- •ЭЛЕКТРОДИНАМИКА И РАСПРОСТРАНЕНИЕ РАДИОВОЛН
- •ПРЕДИСЛОВИЕ
- •1.1. Интегральная формулировка УМ
- •1.3. Физическое содержание первого УМ
- •2.1. ГУ для тангенциальных составляющих векторов ЭМП
- •2.2. ГУ для нормальных составляющих векторов ЭМП
- •3.2. Баланс энергии в ЭМП. Теорема Умова-Пойтинга
- •4.2. Теорема о комплексной мощности
- •5.2. Электродинамические потенциалы
- •6.4. Общие свойства магнитных (Н) волн
- •6.7. Электрические (Е) типы волн в прямоугольном волноводе
- •6.8. Магнитные волны в прямоугольном волноводе
- •6.11. Магнитные (Н) волны в круглом волноводе
- •6.12. Потери и затухание волн в волноводах
- •7.3. Уравнения возбуждения регулярных волноводов сторонними токами
- •8.1. Неортогональные координатные системы
- •8.2. Дифференциальные операторы
- •8.4. Уравнение возбуждения произвольно-нерегулярного волновода сторонними токами
- •8.5. Самосогласованные нелинейные уравнения лампы бегущей волны О - типа
- •8.6. Уравнения возбуждения произвольно-нерегулярного коаксиального волновода
- •8.7. Уравнения возбуждения нерегулярных замедляющих систем
- •8.8. Нерегулярные волноводы с прямоугольным сечением.
- •8.9 Т-функции для решения двухточечных задач в теории нерегулярных волноводов
- •8.9.1 Т-функции
- •8.9.2 Взаимодействие Hoi волн в гофрированном волноводе с круговым сечением
- •9.3. Трансформирующие свойства отрезков линий передачи.
- •9.4. Короткозамкнутые и разомкнутые на конце отрезки линии передачи (шлейфы).
- •9.5. Частичное отражение волн в линиях передачи.
- •10.1. Понятие планарных линий передачи.
- •10.2. Симметричная полосковая линия
- •10.3. Несимметричная полосковая линия
- •10.4. Симметричная щелевая линия
- •10.5. Несимметричная щелевая линия
- •10.6.1 Общая формулировка метода
- •10.7. Копланарная линия передачи
- •10.8. Четная и нечетная моды в связанных полосковых линиях
- •11.2 Поля в ОР как в отрезках регулярных волноводов с короткозамыкающими крышками
- •11.3 Расчет полей в резонаторах с помощью потенциалов Герца
- •11.3.1 Прямоугольный резонатор
- •11.3.2. Цилиндрический резонатор
- •11.4 Добротность собственных колебаний в резонаторах. Внешняя и нагруженная добротности
- •12.2 Свойства собственных функций резонатора
- •12.3 Уравнение возбуждения резонатора
- •12.4. Способы возбуждения резонаторов
- •13.1. Расчет полей с помощью электрического вектора Герца
- •13.2. Анализ поля ЭЭИ в квазистатической (ближней) зоне
- •13.3. Анализ поля ЭЭИ в волновой (дальней) зоне
- •14.3. Анализ поля ЭМИ в волновой (дальней) зоне
- •18.2. Зоны Френеля. Область, существенная для распространения радиоволн
- •18.3. Дифракция электромагнитных волн от края непрозрачного экрана
- •19.2. Наклонное падение горизонтально-поляризованной волны на плоскую границу раздела двух сред
- •19.3. Наклонное падение вертикально-поляризованной волны на плоскую границу раздела двух сред
- •19.4. Отражение плоских волн от плоской границы среды с потерями
- •20.3. Поле вертикального вибратора над плоской отражающей поверхностью
- •20.4. Поле горизонтального вибратора, поднятого над плоской поверхностью земли на высоту h
- •20.7. Учет сферичности земной поверхности
- •20.9. Дифракция радиоволн вокруг сферической земной поверхности
- •21.2. Поглощение радиоволн в тропосфере
- •21.3. Рефракция радиоволн в тропосфере
- •22.2. Механизм ионизации и рекомбинации на больших высотах
- •22.3. Электронная диэлектрическая проницаемость ионизированного газа без учета столкновений электронов с ионами и нейтральными молекулами
- •22.5. Преломление и отражение радиоволн в ионосфере
- •22.6. Влияние магнитного поля Земли на распространение волн в ионосфере. Двойное лучепреломление
- •23.1 Уравнения движения электрона в форме Лагранжа.
- •23.2 Поступательная (трансляционная) симметрия
- •23.3. Азимутальная симметрия
- •23.4. Вращающиеся поля
- •23.5. Бегущие в направлении z волны
Из рис. 10.19 видно, что измеренное переходное ослабление НО в требуемом диапазоне частот находится в заданных пределах.
Таким образом, метод проектирования сверхширокополосковых трехдецибельных направленных ответвителей, основанный на строгом расчете каскада сильной связи методом неортогональных рядов, позволяет пректировать НО с учетом различия диэлектрических проницаемостей материалов подложек и прокладок в области сильной связи.
10.7. Копланарная линия передачи
Копланарная линия (КЛ) передачи относится к линиям квазиоткрытого типа, в которой распространяются волны квази-Т и Н типа. Токонесущие про-
водники КЛ образованы узким проводником и двумя полубесконечными слоями металла, расположенными на одной стороне диэлектрической подложки.
Структуры электромагнитных полей в КЛ для четного типа волн приведены на рис. 10.20,а, для нечетного – на рис.10.20,б. Распределение продольных токов в поперечном сечении КЛ представлено на рис.10.20,в,г, а распределение токов на проводящих слоях – на рис.10.20,д,е.
Для изотропной подложки погонная емкость рассчитывается с помощью формулы, полученной методом конформных отображений:
C = 2(ε +1)ε0 K(k )/ K '(k ), |
(4.7.1) |
|
где K '(k )= K(k'), k = a / b , k'= (1 − k 2 )1/ 2 . |
|
|
1 |
1 |
|
Рис. 10.17.
186
Рис. 10.18.
Результаты расчета емкости КЛ на единицу длины в отсутствии диэлектрической подложки представлены в табл.10.7.
Табл.10.7
a/b |
C, пФ |
|
|
0.2 |
1.6529 |
0.4 |
2.1838 |
0.6 |
2.7566 |
0.8 |
3.5804 |
10.8. Четная и нечетная моды в связанных полосковых линиях
Пусть в симметричной либо микрополосковой линии две металлические полоски равной ширины располагаются, как показано на рис. 10.20. Электрические поля, возникающие вокруг этих проводников, существуют не только в непосредственной близости от каждого из них, поэтому появляется взаимодействие между ними за счет краевых полей, величина которых зависит от разности потенциалов между проводниками, формы проводников, расстояния между проводниками и параметров диэлектрической подложки.
187
Взаимодействие, обусловленное краевыми полями, используется в таких устройствах, как направленные ответвители, а также во многих типах фильтров. Для получения требуемой характеристики в фильтре используются связанные отрезки линии передачи, резонирующие на определенной частоте и расположенные определенным образом.
Возможны два способа возбуждения проводников: оба центральных проводника находятся под одним и тем же потенциалом, равным, например,
Рис. 10.19.
+1В (четная мода), либо потенциал одного из проводников +1, а второго –1В (нечетная мода). Тогда на оси симметрии (штрихпунктирная линия на рис. 10.19) будут располагаться «магнитная» стенка при возбуждении четной моды и электрическая стенка при возбуждении нечетной моды. Во всх связанных вдоль бокового торца (боковая связь) линии могут существовать четная и нечетная моды. Коэффициент связи между линиями, как правило, может быть выражен через волновое сопротивление четной и нечетной мод. Следующие соотношения устанавливают связь между этими величинами:
коэффициент связи С(дБ)=20lg(Ku)=-20lgC0;
где Ku – коэффициент связи по напряжению; волновое сопротивление для четной моды
1/ 2
ZВЧ = ZВ 1+ C0 , (10.47)
1−C0
волновое сопротивление для нечетной моды
1/ 2
ZВН = ZВ 1−C0 ; (10.48)
1+ C0
188
ZВ = (ZВЧ ZВH )1/ 2 . |
(10.49) |
Указанные соотношения строго выполняются для Т-волн, например, в коаксиальной или симметричной полосковой линии, где постоянные распространения четной и нечетной мод равны.
В микрополосковой линии каждая из этих мод, строго говоря, имеет свой коэффициент распространения и свою фазовую скорость, поэтому равенствами (10.47) – (10.49) можно пользоваться лишь как приближенными.
Простейшая реализация связанных симметричных полосковых линий (СПЛ) изображена на рис.10.21 б, где оба центральных проводника расположены на равном расстоянии от внешних проводников и настолько близко друг к другу, что возникает их взаимное влияние.
При t<0,1 и W/b>0,35 формулы для анализа имеют вид
(ε )1/ 2 ZВЧ = 30π (b −t )/ (W + (bC / 2π )AЧ ) |
, |
|
|
|
|||||||||||||
|
ВH |
|
|
( |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
(ε )1/ 2 Z |
|
|
|
|
|
|
H ) |
|
|
|
|||||||
|
|
= 30π (b −t )/ W |
+ (bC / 2π )A , |
|
|
|
|||||||||||
где |
|
ln(1+ thθ ) |
|
|
|
|
|
ln(1+ cthθ ) |
|
|
|
|
|
|
|||
A =1+ |
; |
A =1+ |
; |
|
|
|
|
||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|||||||||||
Ч |
|
|
0,6932 |
|
H |
|
|
0,6932 |
|
|
|
|
|
|
|
||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
(2b −t ) . |
|||||||
|
|
|
|
|
2b −t |
|
t |
||||||||||
θ = (πS / 2b); C = 2ln |
|
|
−(t / b)ln |
|
|
|
|
|
|
|
|||||||
|
|
|
(b −t )2 |
||||||||||||||
|
|
|
|
|
b −t |
|
|
|
|||||||||
Формулы для синтеза имеют вид |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||||||
|
W / b = (2 /π )arсth(kЧ kH ), |
|
|
|
|
|
|
|
|||||||||
|
|
|
|
|
|
1 |
− k |
|
|
|
1/ 2 |
|
|
|
|||
|
|
S / b = (2/π )arсth |
|
|
|
Ч |
(k / k |
|
|
) |
|
, |
|
||||
|
|
|
|
|
H |
|
|
||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
Ч |
|
|
|
|
|||||
|
|
|
|
|
|
1 |
− kH |
|
|
|
|
|
|
|
где
(10.50)
(10.51)
189
|
|
|
exp(π x |
|
|
)− |
2 |
|
4 1/ 2 |
|
|
|
|
|
|||||||||||
k |
|
= 1 |
− |
|
|
|
|
Ч |
|
|
|
|
|
|
|
при 1≤ |
х |
|
≤ ∞; |
||||||
|
exp |
(π x |
|
|
)+ |
2 |
|
|
|||||||||||||||||
Ч |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Ч |
|
||||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
Ч |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||||||
|
|
|
|
exp(π xН )− 2 |
4 1/ 2 |
|
|
|
|
|
|||||||||||||||
k |
|
= 1 |
− |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
при 1≤ х |
|
≤ ∞; |
|||||
Н |
|
exp(π x |
|
|
|
)+ 2 |
Н |
||||||||||||||||||
|
|
|
|
|
Н |
|
|
|
|
|
|
|
|||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||||
|
|
exp(π x |
|
)− 2 |
2 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||||||||||
kЧ |
= |
|
|
|
|
Ч |
|
|
|
|
|
|
при 0 ≤ хЧ ≤1; |
|
|
|
|||||||||
exp(π x |
|
)+ 2 |
|
|
|
||||||||||||||||||||
|
|
|
|
|
Ч |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||||
kH |
|
exp(π xН )− |
2 |
2 |
при 0 ≤ хН ≤1; |
|
|
|
|||||||||||||||||
= |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
2 |
|
|
|
||||||||||||||
|
|
|
exp(π xН )+ |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||||||||||
х |
= |
ZВЧ (ε )1/ 2 |
; x |
H |
|
= |
ZВH (ε )1/ 2 |
. |
|
|
|
||||||||||||||
|
|
|
|
|
|
||||||||||||||||||||
Ч |
|
|
|
|
30π |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
30π |
|
|
|
|
|
|||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Приближенный синтез микрополосковых линий (рис.10.21 а) можно выполнять, имея зависимость величины ZВЧ и ZВH от параметра W/h при различных значениях S/h и заданном значении ε. Затем рассчитываются те же зависимости, но при воздушном заполнении, что позволяет определить фазовую скорость и длину волны каждой из мод. (Так как у диэлектриков µ =1, погонная индуктивность линии в первом приближении не зависит от характера диэлектрического заполнения).
Действительно,
ZВЧ =υфЧ L, ZВH =υфН L, |
|
|
|||||
ZВЧвозд = cL, |
ZВНвозд = cL, |
|
|
|
|||
те. . |
|
|
|
|
|
|
|
υфЧ = cZВЧ / ZВЧвозд, |
|
|
|
|
|||
υфH = cZВH / ZВвоздH |
|
|
|
|
|||
и |
|
|
|
|
|
|
|
λ |
=υ |
фЧ |
/ f = cZ |
ВЧ |
/ fZ |
возд, |
(10.52) |
Ч |
|
|
|
ВЧ |
|
λH =υфH / f = cZВH / fZВвоздH ,
где f – рабочая частота.
Воспользуемся для примера графиками, построенными в (рис.10.22). Пусть перед нами стоит задача определить величины W и S в связан-
ных микрополосковых линиях, если заданы толщина подложки h=0,25 мм, ее относительная диэлектрическая проницаемость ε=2,3, коэффициент связи С=-10 дБ, рабочая частота f=1 ГГц и волновое сопротивление питающей линии ZВ =50 Ом.
Из соотношений (10.47) – (10.49) определяем величины
190
-10=20lgC0, откуда С0=0,32,
Проверим выполнение равенства
ZВ = (ZВЧ ZВH )1/ 2 = (69,7 36)1/ 2 = 50,01 ≈ 50 (Ом).
Для нахождения отношений W/h и S/h обратимся к рис.10.22. Наносим на вертикальную ось полученные значения ZВЧ и ZВH . Проводим прямые, параллельные горизонтальной оси, до пересечения с кривыми, соответствующими одному и тому же значению S/h (точки Р на рис.10.22), и опускаем перпендикуляр, проходящий через эти точки, до пересечения с го-
Рис. 10.20.
ризонтальной осью (точка Q).
Р=10= S/h, т.е. S =10 0,25 = 2,5 (мм),
Q =11,7 = W / h, т.е. W =11,7 0,25 ≈ 2,9 (мм).
Далее мы можем определить эффективную диэлектрическую проницаемость и длину волны в линии:
εэфф ≈ 2,32+1 + 2,32−1(1+12(0,25/ 2,9))1/ 2 ≈ 2,11,
λ≈ (c / f )(2,11)−1/ 2 = 3 1010 0,69 = 21 (см)
1109
Вприближенных расчетах можно полагать, что длина волны в связан-
ной линии совпадает с длиной волны в одиночной полосковой линии с той же шириной полоски. При этом погрешность лежит в пределах 10%.
191
ЧАСТЬ 3
ОБЪЕМНЫЕ РЕЗОНАТОРЫ
ГЛАВА XI
ОСНОВЫ ТЕОРИИ ОБЪЕМНЫХ РЕЗОНАТОРОВ
11.1. Типы объемных резонаторов
Объемным резонатором (ОР) называется объем V, заключенный между отражающими, обычно металлическими стенками S.
ОР по типу можно разделить на; а) открытые и закрытые б) отражательные и бегущей волны.
Закрытым называется ОР, стенки которого образуют замкнутую поверхность. Открытым называется ОР с незамкнутыми стенками, образующими систему отражающих зеркал.
В отражательных ОР накопление электромагнитной энергии происходит за счет установления стоячего поля как следствия переотражений от стенок резонатора. ОР бегущей волны представляет собой замкнутый на себя волновод, причем длина этой замкнутой системы на резонансной частоте
l p = NΛВ . Здесь N - целое число; ΛВ - длина волны в волноводе на резо-
нансной частоте для некоторого распространяющегося типа волн.
На рис. 11.1 изображены резонаторы, образованные отрезками регу-
Рис. 11.1.
лярных волноводов различных форм поперечных сечений с короткозамкнутыми торцевыми крышками
На рис. 11.2 показаны резонаторы, соответствующие телам вращения: сферической, биконической, эллиптической
Рис. 11.2.
Заметим, что поле в закрытых резонаторах (например, рис. 11.2) на ряде типов колебаний не везде примыкает к стенкам (особенно это характерно для биконического и эллиптического резонаторов). Удалив «лишние» части
192