Карточка № 17.5 (349).
Фотодиоды
Какое различие существует между фотодиодом |
и |
Принципиальное |
75 |
|
обычным полупроводниковым диодом? |
|
|
|
|
|
|
Конструктивное |
41 |
|
|
|
|
||
|
|
|
Функциональное |
57 |
Можно ли использовать неосвещенный фотодиод в |
Да |
88 |
||
качестве выпрямителя? |
|
|
|
|
|
|
Нет |
61 |
|
|
|
|
||
Каково соотношение полярности напряжений на |
|
31 |
||
зажимах освещенного и неосвещенного фотодиодов? |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
51 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
39 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
22 |
|
|
|
|
|
Каково соотношение между токами I1 и I2 |
в |
I1>I2 |
5 |
|
приведенных схемах? |
|
|
|
|
|
|
I1<I2 |
82 |
|
|
|
|
||
|
|
|
I1≈I2 |
17 |
|
|
|
||
Найдите правильное соотношение между токами I1 и I2 в |
I1>I2 |
91 |
||
данных схемах |
|
|
|
|
|
|
I1≈I2 |
13 |
|
|
|
|
I1<I2 |
86 |
|
|
|
|
|
§17.6. Фототранзисторы
Фототранзистор представляет собой трехслойный полупроводниковый прибор с двумя р- п-переходами, обладающий свойством усиления фототока при воздействии лучистой энергии.
Фототранзистор, как правило, выполнен в виде обычного плоскостного транзистора из германия или кремния. Световой поток падает на базу, поэтому эмиттер делают тонким, небольших размеров.
На рис. 17.12 представлена двухполюсная схема включения фототранзистора. Под действием света в области базы образуются пары носителей зарядов — электроны и дырки. Дырки (неосновные носители базы) под действием электрического поля источника Ек движутся через коллекторный переход, образуя фототок Iф, проходящий через нагрузку Rн. Электроны, не
прошедшие через эмиттерный переход и оставшиеся в базе, снижают потенциальный барьер. Это облегчает переход дырок из эмиттера в базу, увеличивая коллекторный фототок.
Чувствительность фототранзистора сильно превышает чувствительность фотодиодов и имеет значения порядка 0,5—1А/лм.
На рис. 17.13 показана схема с подключенной базой. Возможности такой схемы шире, так как на ее, вход можно подавать кроме светового электрический сигнал. Обычно электрический вход используют для выбора рабочей точки на линейном участке характеристики, а также для уменьшения влияния внешних воздействий.
Рис. 17.12. Двухполюсная схема включения |
Рис. 17.13. Схема включения фототранзистора с |
фототранзистора с отключенной базой |
подключенной базой |
Фототранзисторы широко применяются в различных областях: фототелеграфии, фототелефонии, в вычислительной технике, регистрации видимого, инфракрасного и ультрафиолетового излучения.
Карточка № 17.6 (273).
Фототранзисторы
Какие |
носители обеспечивают ток в базе |
Электроны и дырки |
|
|
1 |
||||
фототранзистора типа р-п-р? |
|
|
|
|
|
||||
|
Только электроны |
|
|
59 |
|||||
|
|
|
|
|
Только дырки |
|
|
6 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|||
Каково |
|
влияние |
электронов, |
Уменьшают чувствительность |
|
28 |
|||
накапливающихся в базе фототранзистора, на |
|
|
|
||||||
Увеличивают чувствительность |
|
34 |
|||||||
чувствительность прибора? |
|
|
|
|
|
|
|||
|
Не влияют на чувствительность |
|
14 |
||||||
|
|
|
|
|
|
||||
|
|
|
|
|
|
|
|||
Каково |
соотношение |
темновых токов в. |
Токи одинаковы |
|
|
18 |
|||
схемах, представленных на рис. 17.12 и 17.13, |
|
|
|||||||
Темновой ток в схеме на рис. 17.12 больше |
77 |
||||||||
при равенстве Ек и одинаковых транзисторах? |
|
|
|||||||
Темновой ток в схеме на рис. 17.13 больше |
89 |
||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
||
Каким |
должно |
быть |
соотношение |
Одинаковым |
|
|
30 |
||
концентраций носителей зарядов в эмиттере и |
|
|
|||||||
Концентрация носителей в базе должна быть |
26 |
||||||||
базе фототранзистора для его нормальной |
больше, чем в эмиттере |
|
|
|
|||||
работы? |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Концентрация носителей в эмиттере должна |
85 |
|||||
|
|
|
|
|
|||||
|
|
|
|
|
быть больше, чем в базе |
|
|
||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Можно |
ли |
использовать |
неосвеценный |
Да |
|
|
|
64 |
|
фототранзистор |
в обычном |
усилительном |
|
|
|
|
|
||
Нет |
|
|
|
7 |
|||||
режиме? |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Это |
зависит |
от |
конструкции |
37 |
||
|
|
|
|
|
|||||
|
|
|
|
|
фототранзистора |
|
|
|
|