Добавил:
Upload Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:
WinRAR ZIP archive / РГР 2 / Данилов Общ эл .pdf
Скачиваний:
5707
Добавлен:
18.03.2016
Размер:
10.1 Mб
Скачать

Карточка № 21.8 (145).

Элементы полупроводниковых микросхем и их соединение

Какие элементы микросхемы нельзя получить с

Конденсаторы и резисторы

85

помощью р-п-перехода

 

 

 

 

 

Диоды и транзисторы

 

145

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Трансформаторы и индуктивные катушки

26

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Все перечисленные

 

56

Каким

образом формируются транзисторы в

Диффузией

примесей

через повторно

116

«карманах»?

 

 

сформированные маски

 

 

 

 

 

 

Одновременно с «карманами» с помощью

146

 

 

 

 

усложненных масок

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Тем и другим способом

 

27

Каким

образом

элементы

микросхемы

Напылением золотых

или алюминиевых

57

соединяют между собой?

 

дорожек через окна в маске

 

 

 

 

 

Пайкой лазерным лучом

 

117

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Термокомпрессией

 

87

 

 

 

 

Всеми перечисленными способами

147

 

 

 

 

С какой целью при изготовлении

микросхемы

Для подсоединения внешних выводов

28

напыляют контактные площадки?

 

 

 

 

 

 

Для

обеспечения

пересечения

58

 

 

 

 

токопроводящих дорожек

 

Каким образом герметизированную микросхему

С помощью клемм

 

88

соединяют с источниками питания и другими

 

 

С помощью тонких проволочных выводов

118

внешними устройствами?

 

 

 

 

 

§21.9. Применение интегральных микросхем

В основу классификации ИМС могут быть положены различные признаки.

Одним из таких признаков служит технология изготовления. Мы установили, что в зависимости от технологии различают гибридные и полупроводниковые ИМС. В свою очередь, гибридные ИМС делят на толстопленочные и тонкопленочные, а в группе полупроводниковых ИМС выделяют подгруппу совмещенных интегральных микросхем.

Технология изготовления совмещенных ИМС не имеет принципиальных отличий от рассмотренных выше технологий. Название совмещенных эти ИМС получили потому, что в них оптимальным образом сочетаются достоинства полупроводниковых и пленочных элементов, при

этом активные элементы схемы изготовляют в приповерхностном слое полупроводникового кристалла, а пассивные в тонкой пленке, нанесенной на его поверхность.

Признаком классификации интегральных микросхем является также уровень интеграции. По этому признаку выделяют ИМС с малой степенью интеграции (от 1 до 10 логических элементов)*; со средней степенью интеграции (от 10 до 100 логических элементов); с высокими

степенями интеграции или большие интегральные схемы БИС с количеством логических элементов, превышающим 100.

Еще одним классификационным признаком служит назначение ИМС, когда их делят на логические и линейные. Логические ИМС используют в цифровых электронных вычислительных машинах, схемах автоматики и радиоэлектроники, для построения запоминающих устройств и логических блоков, линейные для построения аналого-цифровых преобразователей, усилителей сигналов, низко- и высокочастотных генераторов.

Маркировка ИМС осуществляется в соответствии с ГОСТом и отображает некоторые характерные особенности приборов. Она включает три элемента. Принадлежность прибора к ИМС обозначают индексом К. Второй элемент определяет технологическую разновидность схемы: цифрами 1, 5, 7 обозначаются полупроводниковые ИМС, цифрами 2, 4, 6, 8 — гибридные. Третий элемент маркировкидвузначное числономер серии, указывающий функциональную принадлежность микросхемы.

Интегральные микросхемы применяются во всех областях современной техники, где используют полупроводниковые приборы. Малые габариты и массы, большая надежность, высокая стабильность и воспроизводимость параметров, низкий уровень собственных шумов,

* Один логический элемент содержит до восьми схемных компонентов

малое потребление энергии позволяют ИМС успешно конкурировать со схемами, собранными на дискретных элементах.

Особенно велико значение интегральных микросхем для дальнейшего развития вычислительной техники, автоматики, телеизмерительной техники, систем управления технологическими процессами в промышленности и сельском хозяйстве, проводной, радио- и телевизионной связи, всех видов транспорта. Микроэлектроника позволила расширить теоретические и экспериментальные исследования в космосе, биологии, физике. Она применяется и в автоматах, работающих на Луне и Марсе, и при изучении биотоков в клетках живого организма. Микроэлектроника позволила создать приемник радиопередач, помещающийся в дужке очков, телевизор, встроенный в браслет для ручных часов, карманную вычислительную машину и т. д.

Карточка № 21.9 (187).

Применение интегральных микросхем

Какие микросхемы называют совмещенными?

Построенные

на тонких и толстых

148

 

 

пленках

 

 

 

 

 

 

Построенные

на

пленочных

и

29

 

 

планарно-эпитаксиальных элементах

 

 

К какой степени интеграции относятся

ИМС,

К малой

 

 

 

59

содержащие 500 логических элементов?

 

 

 

 

 

 

 

К средней

 

 

 

89

 

 

К высокой

 

 

 

119

Как различают ИМС по названию?

 

Усилительные и генераторные

 

149

 

 

 

 

 

 

 

Вычислительные и запоминающие

 

30

 

 

 

 

 

 

 

Логические и линейные

 

60

В маркировке ИМС после буквы К стоит четная

Полупроводниковая

 

 

90

цифра. Укажите разновидность микросхемы

 

 

 

 

 

 

 

Гибридная

 

 

 

120

 

 

Совмещенная

 

 

 

150

В каких областях техники применение

ИМС

В ракетной и космической технике

 

156

особенно эффективно?

 

 

 

 

 

 

 

В вычислительной технике

 

157

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

В автоматике

 

 

 

158

 

 

Во всех перечисленных

 

159

 

 

 

 

 

 

 

Соседние файлы в папке РГР 2