Розділ 1. Едектронні комплексні вироби

Таблиця 1.22.

Характеристики для ІС, що виготовляються за різними технологіями

1.7.3. Основні параметри та позначення інтегральних мікросхем

максимальна вхідна напруга – найбільша вхідна напруга інтегральної мікросхеми, при який вихідна напруга відпо відає заданій;

номінальна вхідна напруга – найменша вхідна напруга інтегральної мікросхеми, при якій вихідна напруга відпо відає заданій;

чутливість – найменша вхідна напруга, при якій елект ричні параметри інтегральної мікросхеми відповідають за даним;

діапазон вхідних напруг – інтервал напруг від мінімальної вхідної напруги до максимальної;

вхідна напруга – напруга на вході інтегральної мікросхе ми у заданому режимі;

максимальна вихідна напруга – найбільша вихідна напру га, при якій зміни параметрів інтегральної мікросхеми відповідають заданим.

струм споживання – струм, який споживається інтеграль ною мікросхемою від джерел живлення в заданому ре жимі;

струм холостого ходу – струм, який споживається інтег ральною мікросхемою при відключеному навантаженні;

47

«Товарознавство»

споживана потужність Р – потужність, яка споживаєть ся інтегральною мікросхемою, що працює в заданому ре жимі, від джерел живлення.

вхідний опір – відношення збільшення вхідної напруги інтегральної мікросхеми до збільшення активної складо вої вхідного струму при заданій частоті сигналу.

вихідний опір – відношення збільшення вихідної напру ги інтегральної мікросхеми до активної складової вих ідного постійного або синусоїдального струму, що його викликала, при заданій частоті сигналу. Кількість дже рел живлення і їхньої напруги істотно впливають на га баритні розміри, масу, вартість і безпеку застосування цифрових пристроїв. Напруги, що відповідають логіч ним константам, багато в чому визначають сумісність різних серій ІМС. Споживана потужність і швидкодія ІМС залежать від режиму роботи (статичний 0 або 1 на виході, переключення з 1 на 0 або з 0 на 1), входу, на який діє переключаючий сигнал параметрів наванта

ження й інших чинників.

Позначення типу інтегральних схем складається з декількох елементів.

Перший елемент позначає конструктивно технологічну гру пу ІС: напівпровідникові ІС – 1,5,7 (цифра 7 відноситься до безкорпусних інтегральних схем); гібридні ІС – 2, 4, 6, 8, інші ІС – 3.

Другий елемент – порядковий номер розробки (містить дві три цифри).

Третій елемент – функціональне призначення інтегральної схеми (підгрупа і вид).

Четвертий елемент – порядковий номер розробки ІС у даній серії, у якій може бути декілька однакових за функціональною ознакою ІС. Він складається з однієї або декількох цифр.

Іноді наприкінці умовного позначення добавляється літера, що визначає технологічне відхилення електричних параметрів типономіналу. У деяких серіях вона визначає тип корпусу, в якому випускається даний типономінал, що оговорюється в

48

Розділ 1. Едектронні комплексні вироби

технічній документації, наприклад, П – пластмасовий корпус, М – керамічний, металокерамічний і склокерамічний, Е – ме талополімерний, І – склокерамічний планарний, А – пластма совий і планарний.

Для інтегральних схем, які використовуються у пристроях широкого застосування, на початку умовного позначення ста виться літера К, наприклад, інтегральний напівпровідниковий операційний підсилювач із порядковим номером розробки серії 40, порядковим номером розробки даної схеми в серії за функ ціональною ознакою, призначений для пристроїв широкого застосування, – К140УД5.

Типи корпусів інтегральних мікросхем, їх габаритні розмі ри, а також умовні позначення стандартизовані. За формою проекцій тіла корпусу на площину підстави і розташування виводів корпуси поділяють на п’ять основних типів. Корпуси типів 1,2,4 i 5 у проекції на площину підстави мають прямокут ну форму, а корпус типу 3 аналогічний за формою корпусу малопотужних транзисторів, відрізняючись від останніх вели ким числом виводів (8 або 12). Розташування виводів щодо площини основи в корпусах типів 1 3 перпендикулярне, а в корпусі типу 4 – паралельне. Корпус типу 5 – прямокутний, плоский, безвиводний. Електричне з’єднання ІС, розміщеної в такому корпусі, здійснюється за допомогою металізованих кон тактних площадок за периметром корпусу. Корпуси мікросхем одного типу можуть розрізнятися за розмірами, кількістю ви водів та їх розташуванням. За габаритними розмірами подібні за конструкцією корпуси підрозділяють на типорозміри, кож ному з яких привласнюють шифр, що складається з позначки підтипу корпусу (12, 21, 31, 41) і двозначного числа, що позна чає порядковий номер типорозміру. Інтегральні мікросхеми характеризуються сукупністю параметрів, що відповідають їх функціональному призначенню. Значення цих параметрів вка зуються в технічній документації та довідкових даних. Парамет ри окремих елементів ІС не наводяться. У довіднику серії мікросхем розташовуються в порядку зростання їх номера.

49