- •ФЕДЕРАЛЬНОЕ АГЕНТСТВО ПО ОБРАЗОВАНИЮ
- •Москва 2008
- •1. Базисные физические уравнения
- •1.1. Предмет наноэлектроники
- •1.2. Пространственные масштабы наноэлектроники
- •1.3. Общая структура наноэлектронных приборов
- •1.4. Энергии и потенциалы
- •1.5. Что такое электрохимический потенциал?
- •1.6. Элементарная кинетика
- •1.7. Диффузионно-дрейфовый ток
- •1.8. Уравнение Больцмана
- •1.9. Уравнение непрерывности
- •1.11. Электрон как волна и длина когерентности
- •1.12. Математическое описание волн
- •1.13. Уравнение Шредингера и волновая функция
- •1.14. Стационарное уравнение Шредингера
- •1.15. Электрон в бесконечно глубокой яме
- •1.16. Плотность дискретного и непрерывного спектра двумерной системы
- •1.17. Энергетическая плотность состояний
- •1.18. Подбарьерное туннелирование
- •2.1. Цифровая техника и логические вентили
- •2.2. Интегральные схемы и планарная технология
- •2.3. МОП транзистор и КМОП технология
- •2.4. Закон Мура
- •2.5. Технологическая (проектная) норма
- •2.6. Тактовая частота
- •2.7. Основные проблемы миниатюризации
- •2.8. Анализ проблемы тепловыделения
- •2.9. Проблема отвода тепла
- •2.10. Проблема диссипации тепла и обратимости вычисления
- •2.11. Адиабатическая логика
- •2.12. Оценка максимального быстродействия
- •2.13. Проблемы при миниатюризации межсоединений
- •2.14. Принципы скейлинга
- •2.15. Компромиссы миниатюризации
- •2.16. Ограничения скейлинга
- •3. Структуры металл - окисел - полупроводник
- •3.1. Контактная разность потенциалов в МОП структуре
- •3.2. Электростатика плоских слоев заряда
- •3.4. Падение потенциалов в неоднородно-легированном полупроводнике
- •3.5. Учет напряжения, приложенного к затвору
- •3.6. Характерные затворные напряжения
- •3.7. Пороговое напряжение
- •3.8. Полный заряд в полупроводнике при заданном поверхностном потенциале
- •3.9. Плотность электронов в канале как функция поверхностного потенциала
- •3.10. Тепловая толщина инверсионного слоя (канала)
- •3.11. Зависимость эффективного прижимающего поля от затворного напряжения в надпороговом режиме
- •3.12. Контроль порогового напряжения за счет легирования подложки
- •3.13. Регулирование порогового напряжения за счет работы выхода материала затвора
- •3.14. Профили легирования
- •3.15. Спадающий (HIGH-LOW) профиль
- •3.16. Нарастающий профиль (LOW-HIGH, ретроградное легирование)
- •3.17. Легирование дельта-слоем
- •3.18. Заряженные ловушки на и вблизи границы раздела
- •3.19. Емкость инверсионного слоя
- •3.20. Полная емкость МОП структуры
- •3.22. Температурная зависимость порогового напряжения
- •4.1. Затворное напряжения как функция поверхностного потенциала в подпороговой области
- •4.2. Плотность носителей в канале как функция затворного напряжения в форме интерполяции (BSIM3)
- •4.4. Статические подпороговые токи утечки
- •4.5. Влияние обратного смещения на подложке
- •4.6. Пороговое напряжение по отношению напряжения между затвором и подложкой
- •4.7. Зависимость порогового напряжения от обратного смещения на подложке
- •4.8. Важность эффекта подложки в реальных схемах
- •4.9. Напряжение между стоком и истоком
- •4.10. Приближение плавного канала
- •4.11. Плотность электронов вдоль канала при VDS >0
- •4.12. Простейшая модель ВАХ МОПТ
- •4.13. Насыщение скорости носителей в канале
- •4.14. Механизмы насыщения тока канала
- •Б. Насыщение дрейфовой скорости
- •4.15. Формула для ВАХ МОП-транзистора с учетом насыщения дрейфовой скорости (BSIM3-4)
- •4.16. Ток насыщения МОПТ
- •5. Физические процессы в каналах МОПТ
- •5.1. Механизмы рассеяния носителей в канале
- •А. Рассеяние на заряженных центрах
- •B. Рассеяние на фононах
- •5.2. Универсальная подвижность в надпороговом режиме
- •5.4. Повышение подвижности с использованием технологии напряженного кремния
- •5.5. Зависимость подвижности эффекта поля от спектра поверхностных состояний
- •5.6. Короткоканальные эффекты в МОП транзисторах и электростатическое качество
- •5.7. Геометрические эффекты порогового напряжения
- •5.8. Эффект спада порогового напряжения («roll-off») для коротких каналов
- •5.9. Эффекты узкого канала и общая характеристика геометрических эффектов порога
- •5.10. Индуцированное стоком понижение барьера (DIBL)
- •5.11. Паразитные токовые эффекты короткого канала
- •5.12. Оптимизация структуры истоков и стоков
- •5.13. Моделирование выходного сопротивления МОПТ
- •5.14. Эффект модуляции длины канала
- •5.15. Паразитные сопротивления стока и истока
- •5.16. Паразитные емкости стока и истока
- •6. Эффекты сильных электрических полей
- •6.1. Квазидвумерная модель распределения сильных электрических полей в районе стока
- •6.3. Горячие носители
- •6.4. Методы борьбы с горячими носителями
- •6.5. Разогрев носителей и «удачливые» (lucky) электроны
- •6.6. Моделирование ударной ионизации в канале
- •6.7. Влияние тока подложки на работу МОПТ
- •6.8. Влияние горячих носителей на срок службы МОПТ
- •6.9. Методика прогнозирования срока службы транзистора по отношению к воздействию горячих носителей
- •7. Диффузионно-дрейфовая модель тока в МОПТ
- •7.1. Введение
- •7.2. Электрохимический потенциал в канале МОПТ
- •7.3. Полная плотность тока в канале МОПТ
- •7.4. Отношение диффузионной и дрейфовой компонент тока как управляющий параметр
- •7.5. Уравнение непрерывности
- •7.6. Интегральное граничное условие
- •7.7. Распределение электрического и химического потенциалов вдоль канала
- •7.9. ВАХ в надпороговой области
- •А. Крутая область ВАХ (триодный режим)
- •B. Режим насыщения
- •7.10. Подпороговый режим
- •7.11. Время пролета электрона через длину канала
- •7.12. Транспортное уравнение Больцмана в канале
- •8. Транзисторы технологии «кремний-на-изоляторе»
- •8.1. Мотивация КНИ
- •8.1. Преимущества КНИ МОПТ
- •8.2. Различные конфигурации КНИ МОПТ
- •8.3. Частично обедненные КНИ МОПТ
- •8.4. Кинк-эффект в частично обедненных КНИ МОПТ
- •8.5. Паразитный биполярный эффект
- •8.6. Полностью обедненные КНИ МОПТ
- •8.7. Эффекты саморазогрева
- •8.8. Влияние обратного напряжения на подложке на пороговое напряжение
- •8.9. Ультратонкие КНИ МОПТ
- •8.10. Сравнение полностью и частично обедненных КНИ МОПТ
- •ПО КНИ МОПТ
- •ЧО КНИ МОПТ
- •8.11. Технологии многозатворных МОПТ
- •9. Моделирование транзисторов КНИ технологий
- •9.1. Электростатика полностью обедненного КНИ МОПТ
- •9.2. Пороговое напряжение полностью обедненного КНИ МОПТ
- •9.3. Включение с нижним затвором
- •9.4. Влияние смещения на подложке на пороговое напряжение основного канала
- •9.5. Вырожденный канал
- •9.7. Решение уравнения непрерывности в канале
- •9.8. Распределение плотности электронов вдоль канала
- •Б. Глобальный подход
- •9.10. Надпороговый режим работы ПО КНИ транзистора
- •9.11. Моделирование подпороговой характеристики ПО КНИ МОПТ
- •10. Токи утечки в наноэлектронных структурах
- •10.1. Токи утечки как ограничитель развития технологии
- •10.2. Классификация токов утечки в современных МОПТ
- •10.3. Прямое туннелирование через подзатворный окисел
- •10.4. Механизм Фаулера-Нордгейма
- •10.5. Токи утечки через pn-переход стока
- •10.6. Токи утечки стока, индуцированные затвором (GIDL)
- •10.7. Использование «high-K» диэлектриков с высокой диэлектрической проницаемостью
- •10.8. Проблемы использования high-K диэлектриков
- •10.10. Модели TDDB
- •А. Токовая модель («1/Е-модель»)
- •Б. Модель электрического поля («Е-модель»)
- •10.11. Подпороговые токи утечки
- •10.12. Разброс пороговых напряжений транзисторов на одном чипе
- •10.13. Статистическое распределение подпороговых токов за счет разброса пороговых напряжений
- •11. Мезоскопические эффекты в наноэлектронных структурах
- •11.2. ВАХ баллистического транзистора
- •11.3. Транспорт носителей в узких каналах и квантование проводимости
- •11.4. Квантовый точечный контакт
- •11.5. Две формулы для сопротивления
- •11.6. Роль контактов
- •11.7. Последовательные сопротивления и их аддитивность
- •Список литературы
- •ПРИЛОЖЕНИЯ
- •ФИЗИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ
- •КРЕМНИЕВОЙ НАНОЭЛЕКТРОНИКИ
Таблица 2.2
Характерные мощности тепловых потоков
Intel 486 |
P = 5…8 Вт/см2 |
Сковородка (1 кВт, площадь 1 дм2) |
P 10 Вт/см2 |
Поверхность Intel Pentium 4 |
P 30 Вт/см2 |
Поверхность ядерного реактора АЭС |
P 300 Вт/см2 |
Поверхность Солнца |
P = 104 Вт/см2 |
В 2016 г. прогноз ITRS дает поток тепла 93 Вт/см2 с поверхности микросхемы. Оценки показывают, что максимально возможный отвод тепла соответствует нескольким сотням Вт/см2 (при водяном охлаждении).
2.9. Проблема отвода тепла
Таким образом, энергия переключения Ctot VDD2 является фундаментальным параметром технологии, определяющим энергопотребление. Очевидным путем решения проблемы минимизации ES
является (а) снижение полной емкости Сtot, что в конечном итоге достигается за счет уменьшения размеров элемента; (б) снижение напряжения питания VDD.
В результате энергия переключения непрерывно уменьшается. Это уменьшение наглядно продемонстрировано в табл. 2.3, где энергия переключения представлена в единицах kBT (~ 0.025 эВ
для комнатных температур).
Таблица 2.3
Энергия переключения в единицах kT
1995 г. |
~5×105 kT |
|
2005 г. |
~104 |
kT |
2015 г. |
~103 |
kT (прогноз) |
Вместе с тем, уменьшение размеров элементов приводит к повышению степени интеграции, и мощность потока тепла при этом только увеличивается. При этом температура микросхемы при функционировании все время должна оставаться постоянной (пусть и повышенной), тепло нужно отводить (подложка, поток воздуха или даже воды). В настоящее время используется воздуш-
50
ное охлаждение с помощью вентиляторов (кулеров). В перспективе необходимым будет использование водяного охлаждения.
При этом очевидно, что максимально возможная отводимая мощность теплового потока Pcool определяет максимально возмож-
ную производительность [N] = 1/(см2 с), т.е. количество операций за единицу времени на единице площади
N = P |
/ C |
tot |
V 2 . |
(2.9.1) |
cool |
|
DD |
|
Отводимая в подложку тепловая мощность пропорциональна разности температур кристалла и теплоотводящей подложки T. Тогда выделяемая тепловая мощность, отводимая в холодильник, оценивается формулой
Pcool = K T, |
(2.9.2) |
где K – коэффициент теплопередачи.
Коэффициент теплопередачи зависит от способа отвода тепла, и его значения представлены в табл. 2.4.
Таблица 2.4
Коэффициенты теплопередачи
|
|
K |
Вт/(см2К) |
Воздух (естественная конвекция) |
0.001 |
Воздух (обдувание) |
0.01 |
Вода (без циркуляции) |
0.1 |
Вода (с циркуляцией) |
1 |
Вода (кипящая) |
10 |
При отводе тепла в подложку становится важной ее коэффициент. В GaAs этот коэффициент в три раза больше, а в алмазе – в 14 раз больше, чем в кремнии.
2.10. Проблема диссипации тепла и обратимости вычисления
Любое вычисление является в конечном итоге физическим процессом. Например, рассеивание тепла при вычислении тесно связано с необратимостью вычисления. Дело в том, что стандартные логические вентили (например, И-НЕ (NAND), ИЛИ-НЕ (NOR)) имеют два входа и один выход (рис. 2.15).
51
Рис. 2.15. Условная схема логического вентиля с двумя входами и одним выходом
Для таких вентилей после акта вычисления не представляется возможным по состоянию выхода восстановить состояние входа. В таких случаях говорят, что имеет место логическая необратимость. Действительно, на входе имеем 2 бита информации, на выходе – 1 бит. Таким образом, количество информации при одном акте вычисления уменьшается на 1 бит.
δI = ln1−ln 2 = −ln 2 . |
(2.10.1) |
По словам известного специалиста Р. Ландауэра: «Современные компьютеры скорее не производят информацию, а уничтожают ее». Согласно термодинамике, любая потеря информации эквива-
лентна увеличению энтропии S |
|
δ S = −kBδI = kB ln 2 , |
(2.10.2) |
что на физическом уровне равносильно выделению тепла |
|
δ Q = T δ S = kBT ln 2 . |
(2.10.3) |
Согласно первоначальной идее Ландауэра (1957), эта величина соответствует минимально возможному тепловыделению при акте вычисления. Как выяснилась впоследствии, это утверждение оказалось неправильным. В принципиальном плане вычисления могут проходить без диссипации энергии и, следовательно, обратимым образом. Примером обратимых процессов без диссипации энергии являются процессы без трения. При достаточно медленном движении нет трения и нет тепловыделения. Процедуру вычислений можно организовать так, чтобы она происходила практически без выделения тепла, но, к сожалению, этого можно достичь только за счет уменьшения быстродействия.
52
2.11. Адиабатическая логика
Адиабатичность означает отсутствие обмена или выделения тепла. Адиабатической логикой называется такая организация процесса вычисления, при которой диссипация энергии (переход в тепло) минимизирована. Простейшим примером такой организации является адиабатическая зарядка конденсатора.
Рис. 2.16. Схема зарядки информационного конденсатора с помощью источника тока
Простейшим способом зарядки конденсатора является зарядка с помощью источника постоянного напряжений, энергия диссипации
при этом равна CtotVDD2 2 (см. п. 2.8). С другой стороны, зарядку информационного конденсатора можно проводить через источник тока, поддерживая в цепи постоянный ток I = Qt0 в течение за-
данного времени t0 (рис. 2.16). Тогда энергию диссипации можно оценить следующим образом:
Ediss = I 2 R t0 = (Q / t0 )2 R t0 |
=Ctot VDD2 |
R Ctot |
. (2.11.1) |
|
|||
|
|
t0 |
При достаточно маленьком токе зарядки (R Ctot << t0) диссипация может быть существенно снижена (но только за счет уменьшения быстродействия).
Одним из возможных принципов адиабатической логики является недопущение открытия МОП транзисторов, когда между стоком и истоком приложено большое напряжение. Ценой этого решения является усложнение архитектуры и относительное уменьшение быстродействия. Ясно, что до тех пор, пока остаются возможности для геометрического скейлинга, у производителей нет значимого стимула для существенного усложнения архитектуры.
53