- •Полупроводниковые приборы. Классификация. Область применения.
- •Полупроводниковые диоды. Классификация. Область применения.
- •Полупроводниковые транзисторы. Классификация. Область применения.
- •Полупроводниковые резисторы. Классификация. Область применения.
- •Фотоэлектрические приборы. Классификация. Область применения.
- •Аналоговые усилители. Классификация. Основные характеристики и параметры.
- •Избирательные усилители. Усилители постоянного тока. Усилители мощности. Область применения.
- •Стабилизаторы напряжения. Классификация. Параметры. Область применения.
- •Логические операции. Схемная реализация.
- •Цифровые устройства. Классификация. Комбинационные цу. Дешифраторы. Шифраторы, мультиплексоры, демультиплексоры.
- •Комбинационные сумматоры.
- •Триггера. Классификация. Область применения.
- •Регистры и счетчики. Классификация. Схемы. Область применения.
- •Цифро-аналоговые преобразователи. Назначение. Принцип работы. Матрица r-2r. Область применения.
- •Аналого-цифровые преобразователи. Классификация. Область применения. Параллельные ацп. Ацп поразрядного взвешивания.
- •Интегрирующие ацп. Ацп двойного интегрирования
- •Таймеры. Классификация. Область применения.
- •Источники вторичного напряжения. Структурные схемы. Выпрямители и фильтры.
- •Транзисторный усилительный каскад с общим эммитером
- •Дискретные цифровые сар: математическое описание, z передаточные функции.
- •Анализ дискретных сар
- •23. Логарифмические частотные характеристики сар.
- •24. Переходные функции и переходные характеристики сар. Реакция сар на произвольный входной сигнал
- •25.Типовые звенья сар и их частотные и временные характеристики Апериодическое звено
- •Интегрирующее звено
- •26. Устойчивость линейных сар: определение, теоремы Ляпунова, алгебраический критерий устойчивости Гурвица.
- •27. Частотные критерии устойчивости линейных сар
- •28. Анализ качества линейных сар.
- •29. Синтез корректирующих устройств линейных сар.
- •30. Анализ нелинейных сар.
- •31. Показатели качества эс
- •33. Себестоимость и уровень качества эс
- •34. Корреляционная связь показателей эc Диаграмма разброса (поле корреляции)
- •35. Метод расслаивания чм.
- •36. Метод «авс-анализ»
- •Складские запасы изделий
- •37. Виды статистического контроля эс
- •38. Количественные показатели надежности эс
- •39. Последовательная модель надежности
- •40. Параллельная модель надежности эс
- •41. Основные этапы автоматизации: их характеристики и особенности.
- •42. Назначение, классификация и области применения роботов
- •43. Манипуляционные роботы: типы, характеристики, применение
- •44. Структура механизмов манипуляц-х роботов и характеристики их геом. Свойств
- •45. Приводы манипуляторов и роботов: классификация, особенности применения
- •46. Конструкции схватов промышленных роботов(пр), особенности применения
- •47. Проектирование архитектуры интегрированной компьютерной системы управления (иксу)
- •48. Описание технологического процесса как объекта автоматизированного управления
- •49. Описание производственного процесса как объекта автоматизированного управления: реализации арм различных уровней
- •50. Выбор датчиков тп:типы измерительных устройств, подключение
- •51. Теорема Котельникова (теорема отсчетов). Квазидетерминированные сигналы.
- •52. Преобразование измерительных сигналов. Виды модуляций
- •53. Цифровые частотомеры
- •54. Цифровые фазометры
- •55. Цифровые вольтметры (цв) временного преобразования
- •56. Микропроцессорные цифровые измерительные приборы.
- •57. Резистивные датчики (реостатные, тензорезисторы)
- •58. Электромагнитные датчики (индуктивные, трансформаторные, магнитоупруние).
- •59. Пьезоэлектрические датчики
- •60. Тепловые датчики (термопары, термометры сопротивления).
- •61. Организация и этапы разработки конструкторских документов.
- •62. Виды кд.
- •63. Стандартизация и бнк.
- •64. Виды и типы схем, обозначения по ескд.
- •65. Методы компоновки конструкции эвс.
- •66. Климатические зоны и категории исполнения.
- •67. Способы защиты эвс от влаги.
- •Примеры конструкций средств защиты
- •68. Защита эвс от механических воздействий.
- •Рекомендации по защите рэа от вибрационных воздействий
- •69. Способы обеспечения теплового режима эвс.
- •70. Электромагнитные воздействия. Виды экранов.
- •Экран из ферромагнитного материала с большой магнитной проницаемостью (метод шунтирования экраном).
- •71. Виды линий связи.
- •72. Особенности конструирования бортовых эвс.
- •73. Особенности конструкций персональных эвм.
- •74. Унификация. Разновидности стандартизации.
- •Разновидности стандартизации
- •75. Требования к трассировке пп
- •76. Электромонтажные провода. Припои и флюсы.
- •77. Волоконно-оптические линии связи (волс). Примеры использования.
- •78. Эргономические требования к пультам и органам управления и сигнализации
- •79. Эргономика конструирования лицевой панели прибора.
- •80. Защита эс от воздействия радиации.
- •81. Производственный и технологический процесс и их составляющие
- •82. Исходные данные для разработки технологических процессов. Основные этапы разработки единичного технологического процесса.
- •83. Требования к оформлению технологической документации. Примеры записи технологических операций.
- •84. Основные методы изготовления печатных плат и их особенности
- •85. Конструктивно-технологические разновидности радиоэлектронных узлов и их сопоставительный анализ.
- •86. Основные технологические операции при изготовлении радиоэлектронных узлов с монтажом на поверхность
- •87. Нанесение паяльной пасты и клея и используемое при этом оборудование
- •88. Принципы организации работы сборочных автоматов
- •89. Особенности выполнения пайки при изготовлении электронных модулей ( пайка оплавлением, волной припоя, селективная пайка).
- •90. Особенности выполнения ремонтных работ: демонтаж и монтаж компонентов.
- •91. Материалы, используемые в технологии монтажа на поверхность.
- •92 Виды соединительных операций при сборке.
- •94. Соединение пайкой: разновидности, области применения, примеры выполнения паяных соединений.
- •95. Разработка схемы сборки изделий.
- •96. Нормирование затрат времени при проектировании технологических процессов (штучное и подготовительно-заключительное время, определение такта и ритма выпуска изделий).
- •97. Изготовление деталей эс методом литья
- •98. Разделительные и формообразующие операции холодной штамповки
- •99. Общая характеристика методов формообразования материалов и деталей при производстве эс
- •100. Изготовление электронных модулей по технологии внутреннего монтажа.
- •101. Приведите структуру контроллера (микроЭвм) с раздельными шинами адрес/данные и следующим составом:
- •102. Укажите место на структурной схеме эвм различных интерфейсов. Как объединять эвм в систему? Какие условия следует выполнить при передаче данных? Обоснуйте.
- •103.Расставьте по убыванию значимости параметры эвм по критерию производительности. Охарактеризуйте эти параметры.
- •105. Сопоставьте принципы печати лазерного и струйного принтеров, опишите и сравните их.
- •107. Выберите способ обмена данными между процессором и внешним устройством. Обоснуйте выбор. Напишите процедуру ввода или вывода данных в память эвм в мнемонике команд (уровень ассемблера).
- •108. Приведите основные архитектурные варианта построения операционных систем. Поясните понятие «виртуальная машина»
- •110. Спроектировать устройство микропрограммного управления автономного типа. Источник управляющих кодов – счетчик микрокоманд, число состояний счетчика – 32. Разрядность регистра микрокоманд – 24
- •112. Прерывания как способ изменения адреса в управляющей команде. Привести пример системы прерывания. Описать процедуру опознавания запроса на прерывание с маскированием
- •С линией запроса
- •113. Системы памяти эвм. Назначение каждого типа элементов памяти и место его в иерархии. Что дает для характеристик эвм каждый тип элементов памяти
- •114. Память программ. Виды носителей. Жесткие диски и их твердотельные аналоги
- •115. Компиляторы. Назначение компиляторов, их виды. Последовательность процедуры компиляции
- •116. Контроль информации при последовательной передаче двоичного кода. Методы контроля. Контроль передачи информации при обмене словами (байтами). Методы.
- •117. Приведите основные структуры объединения процессоров в многопроцессорных системах. В чем суть ограничений архитектуры Фон-Неймана
- •118. Сравните структуры двух мпк, имеющих организацию smp и mpp. Приведите их структурные схемы
- •119. Сравните характеристики двух последовательных интерфейсов rs-232с и usb. Приведите структурную организацию интерфейсов и формат передаваемых данных
- •121. Основные понятия процесса проектирования систем управления. Цель процесса проектирования.
- •122. Системный подход к проектированию.
- •123. Структура процесса автоматизированного проектирования
- •124. Основные типы автоматизированных систем, разновидности сапр.
- •Структура сапр
- •125. Стадии проектирования автоматизированных систем и аспекты их описания.
- •126. Особенности проектирования автоматизированных систем.
- •127. Понятие о cals-технологиях.
- •128. Открытые системы.
- •129. Техническое обеспечение систем автоматизированного проектирования
- •130. Типы сетей, методы доступа в сетях, протоколы и стеки протоколов в вычислительных сетях
- •Стеки протоколов и типы сетей в ас
- •131. Сапр систем управления
- •132. Автоматизация управления предприятием, логистические системы.
- •133. Асутп, автоматизированные системы делопроизводства.
- •Автоматизированные системы делопроизводства
- •134. Математическое обеспечение анализа проектных решений.
- •135. Компоненты математического обеспечения, структура вычислительного процесса анализа.
- •136. Математические модели в процедурах анализа на макроуровне
- •137. Математическое обеспечение анализа на микроуровне
- •138. Математическое обеспечение анализа на функционально-логическом уровне
- •139. Математическое обеспечение на системном уровне
- •140. Математическое обеспечение подсистем машинной графики и геометрического моделирования.
- •141. Схемы мультивибратора на транзисторах и оу.
- •142. Схема одновибратора на транзисторах.
- •144. Повторитель на оу
- •145. Двухтактный трансформаторный усилитель мощности, работающий в режиме ав.
- •150. Генератор гармонических колебаний на транзисторах.
- •151. Архитектурные принципы Фон-Неймана. Ограничения.
- •152. Основные понятия информационно-вычислительных систем, классификация по критерию потоков информации
- •153. Совмещение операций и многопрограммная работа. Режим работы в реальном времени
- •154.Типы структур многопроцессорных вс. Параллельные эвм, классификация. Три архитектурных класса машин
- •Классификация по программной организации
- •Классификация по архитектуре
- •155. Принципы ввода-вывода информации в пэвм. Роль и структура контроллера ввода информации
- •Принцип ввода-вывода информации в пэвм. Роль и структура контроллера ввода информации
- •156. Программная реализация ввода чисел с клавиатуры. Привести алгоритм ввода двухразрядного числа с клавиатуры для его суммирования с другими числами
- •157. Вывод и.На дисплей.Принципы отображения информации на экране дисплея. Lcd-дисплеи
- •158. Процедура вывода символьной информации на дискретные индикаторы.
- •159. Загрузчики. Процедура загрузки. Статистические и динамические загрузки.
- •160. Управление реальной памятью. Виртуальная память. Таблица соответствия адресов
59. Пьезоэлектрические датчики
Некоторые диэлектрики при воздействии на них механического усилия подвергаются электрической поляризации, что представляет собой явление прямого пьезоэффекта. Обратный пьезоэффект характеризуется тем, что диэлектрический материал под воздействием электрического поля подвергается механической деформации. При этом пьезоэффект обладает знакочувствительностью, т. е. при изменении направления механического напряжения изменяется полярность электрических зарядов и при изменении полярности электрического поля меняется направление механической деформации диэлектрика.
К материалам, обладающим пьезоэффектом, можно отнести кварц, сегнетовую соль и другие кристаллические вещества, а также искусственные керамики: титанат бария, титанат свинца, цирконат свинца и др.
Электрический заряд, возникающий на гранях пьезоэлектрической конструкции, определяется формулой q=dQ
г де d — пьезоэлектрический модуль.
П ьезоэлектрические датчики относятся к датчикам генераторного типа (входная величина — силвыходная—количество электричества). Обычно для увеличения чувствительности пьезодатчика применяют две или несколько пластинок, соединенных параллельно; при этом заряды одноименно заряжающихся плоскостей должны складываться. Ha рис. приведена простейшая схема пьезоэлектрического датчика, состоящего из пластинок 1, и станиолевых прокладок 3, которые служат одним из выводов, а второй вывод имеет контакт с корпусом 2. Изоляционная прокладка 4 служит для уменьшения утечки зарядов.
Различают продольный и поперечный пьезоэффекты.
1 — Пьезокристалл
Следует отметить, что мощность, развиваемая пьезоэлементом, чрезвычайно мала, ввиду этого измерительная цепь датчика тщательно экранируется от помех и наводок.
При измерении статических сил возникающий электрический заряд утекает через сопротивление измерительной цепи, следовательно, исключается возможность их регистрации. Поэтому практически пьезоэлектрические датчики применяются для регистрации лишь динамических сил. Частотный диапазон измерений составляет 10-5 —10s Гц.
В измерительной цепи пьезодатчиков обычно используется усилитель выходным сопротивлением R > 1013 Ом с малой входной емкостью. Дифференцирующий характер пьезоэлектрических преобразователей позволяет на их базе построить датчики виброускорений — акселерометры.
Uи
60. Тепловые датчики (термопары, термометры сопротивления).
Принцип действия тепловых датчиков основан на использовании тепловых процессов (нагрева, охлаждения, теплообмена). На этом принципе строятся датчики для измерения не только температуры, но и других физических параметров, таких, как тепловой поток, скорость потока в и жидкости, расход, химический состав, давление газов, влажность, уровень и др.
Для измерения температуры последняя преобразуется в промежуточную величину, например в ЭДС, электрическое сопротивление и другие величины. Отметим, что для регистрации весьма больших температур используется оптический метод.
Из всех существующих методов измерения температуры наиболее широко применяются термоэлектрические.
Термоэлектрическое явление заключается в том, что при соединении двух проводов А и В из разных материалов (термопара) и создании разности температур между точкой соединения T1 и точками свободных концов Т0 возникает ЭДС, пропорциональная разности функций температур: E(T1,T0)=f(Tl)-f(T0).
Значение термоЭДС зависит от материалов термопары и колеблется в пределах от долей до сотен милливольт на 100 °С Характеристика термоэлектрических преобразователей, как правило, нелинейная ив значительной степени зависит от наличия примесей, механической и термической обработки материалов термопары.
А, В — Провода T1 — Точка горячего спая T0 — Точка холодного спая
Каждая термопара снабжается градуировочной характеристикой. Градуировка термопар осуществляется при температуре свободных концов, равной нулю; при температуре, отличной от нуля, возникает дополнительная погрешность.
При градуировке термопар для исключения погрешности от непостоянства внутреннею сопротивления прибора (мВ) последний градуируется совместно сдатчиком.
Термометры сопротивления. (ГОСТ 6651-78) имеют две основные разновидности:
Термосопротивления с платиновым (ТСП) и медным (ТСМ) чувствительными элементами.
Современные платиновые терморезистивные датчики температуры имеют вид спирали, помещенной в канавках двух- или четырехканального керамического каркаса и уплотненной порошкообразной окисью алюминия. Такая конструкция позволяет использовать преобразователь как в защитной арматуре, так и без нее.
Медный терморезистивный чувствительный элемент представляет собой бескорпусную обмотку из медной изолированной проволоки, покрытую сверху фторопластовой пленкой. Для обеспечения необходимой прочности обмотку помещают в тонкостенную металлическую гильзу, которую засыпают керамическим порошком и герметизируют.
Наиболее близка к линейной – хар-ка терморезисторов.