- •Полупроводниковые приборы. Классификация. Область применения.
- •Полупроводниковые диоды. Классификация. Область применения.
- •Полупроводниковые транзисторы. Классификация. Область применения.
- •Полупроводниковые резисторы. Классификация. Область применения.
- •Фотоэлектрические приборы. Классификация. Область применения.
- •Аналоговые усилители. Классификация. Основные характеристики и параметры.
- •Избирательные усилители. Усилители постоянного тока. Усилители мощности. Область применения.
- •Стабилизаторы напряжения. Классификация. Параметры. Область применения.
- •Логические операции. Схемная реализация.
- •Цифровые устройства. Классификация. Комбинационные цу. Дешифраторы. Шифраторы, мультиплексоры, демультиплексоры.
- •Комбинационные сумматоры.
- •Триггера. Классификация. Область применения.
- •Регистры и счетчики. Классификация. Схемы. Область применения.
- •Цифро-аналоговые преобразователи. Назначение. Принцип работы. Матрица r-2r. Область применения.
- •Аналого-цифровые преобразователи. Классификация. Область применения. Параллельные ацп. Ацп поразрядного взвешивания.
- •Интегрирующие ацп. Ацп двойного интегрирования
- •Таймеры. Классификация. Область применения.
- •Источники вторичного напряжения. Структурные схемы. Выпрямители и фильтры.
- •Транзисторный усилительный каскад с общим эммитером
- •Дискретные цифровые сар: математическое описание, z передаточные функции.
- •Анализ дискретных сар
- •23. Логарифмические частотные характеристики сар.
- •24. Переходные функции и переходные характеристики сар. Реакция сар на произвольный входной сигнал
- •25.Типовые звенья сар и их частотные и временные характеристики Апериодическое звено
- •Интегрирующее звено
- •26. Устойчивость линейных сар: определение, теоремы Ляпунова, алгебраический критерий устойчивости Гурвица.
- •27. Частотные критерии устойчивости линейных сар
- •28. Анализ качества линейных сар.
- •29. Синтез корректирующих устройств линейных сар.
- •30. Анализ нелинейных сар.
- •31. Показатели качества эс
- •33. Себестоимость и уровень качества эс
- •34. Корреляционная связь показателей эc Диаграмма разброса (поле корреляции)
- •35. Метод расслаивания чм.
- •36. Метод «авс-анализ»
- •Складские запасы изделий
- •37. Виды статистического контроля эс
- •38. Количественные показатели надежности эс
- •39. Последовательная модель надежности
- •40. Параллельная модель надежности эс
- •41. Основные этапы автоматизации: их характеристики и особенности.
- •42. Назначение, классификация и области применения роботов
- •43. Манипуляционные роботы: типы, характеристики, применение
- •44. Структура механизмов манипуляц-х роботов и характеристики их геом. Свойств
- •45. Приводы манипуляторов и роботов: классификация, особенности применения
- •46. Конструкции схватов промышленных роботов(пр), особенности применения
- •47. Проектирование архитектуры интегрированной компьютерной системы управления (иксу)
- •48. Описание технологического процесса как объекта автоматизированного управления
- •49. Описание производственного процесса как объекта автоматизированного управления: реализации арм различных уровней
- •50. Выбор датчиков тп:типы измерительных устройств, подключение
- •51. Теорема Котельникова (теорема отсчетов). Квазидетерминированные сигналы.
- •52. Преобразование измерительных сигналов. Виды модуляций
- •53. Цифровые частотомеры
- •54. Цифровые фазометры
- •55. Цифровые вольтметры (цв) временного преобразования
- •56. Микропроцессорные цифровые измерительные приборы.
- •57. Резистивные датчики (реостатные, тензорезисторы)
- •58. Электромагнитные датчики (индуктивные, трансформаторные, магнитоупруние).
- •59. Пьезоэлектрические датчики
- •60. Тепловые датчики (термопары, термометры сопротивления).
- •61. Организация и этапы разработки конструкторских документов.
- •62. Виды кд.
- •63. Стандартизация и бнк.
- •64. Виды и типы схем, обозначения по ескд.
- •65. Методы компоновки конструкции эвс.
- •66. Климатические зоны и категории исполнения.
- •67. Способы защиты эвс от влаги.
- •Примеры конструкций средств защиты
- •68. Защита эвс от механических воздействий.
- •Рекомендации по защите рэа от вибрационных воздействий
- •69. Способы обеспечения теплового режима эвс.
- •70. Электромагнитные воздействия. Виды экранов.
- •Экран из ферромагнитного материала с большой магнитной проницаемостью (метод шунтирования экраном).
- •71. Виды линий связи.
- •72. Особенности конструирования бортовых эвс.
- •73. Особенности конструкций персональных эвм.
- •74. Унификация. Разновидности стандартизации.
- •Разновидности стандартизации
- •75. Требования к трассировке пп
- •76. Электромонтажные провода. Припои и флюсы.
- •77. Волоконно-оптические линии связи (волс). Примеры использования.
- •78. Эргономические требования к пультам и органам управления и сигнализации
- •79. Эргономика конструирования лицевой панели прибора.
- •80. Защита эс от воздействия радиации.
- •81. Производственный и технологический процесс и их составляющие
- •82. Исходные данные для разработки технологических процессов. Основные этапы разработки единичного технологического процесса.
- •83. Требования к оформлению технологической документации. Примеры записи технологических операций.
- •84. Основные методы изготовления печатных плат и их особенности
- •85. Конструктивно-технологические разновидности радиоэлектронных узлов и их сопоставительный анализ.
- •86. Основные технологические операции при изготовлении радиоэлектронных узлов с монтажом на поверхность
- •87. Нанесение паяльной пасты и клея и используемое при этом оборудование
- •88. Принципы организации работы сборочных автоматов
- •89. Особенности выполнения пайки при изготовлении электронных модулей ( пайка оплавлением, волной припоя, селективная пайка).
- •90. Особенности выполнения ремонтных работ: демонтаж и монтаж компонентов.
- •91. Материалы, используемые в технологии монтажа на поверхность.
- •92 Виды соединительных операций при сборке.
- •94. Соединение пайкой: разновидности, области применения, примеры выполнения паяных соединений.
- •95. Разработка схемы сборки изделий.
- •96. Нормирование затрат времени при проектировании технологических процессов (штучное и подготовительно-заключительное время, определение такта и ритма выпуска изделий).
- •97. Изготовление деталей эс методом литья
- •98. Разделительные и формообразующие операции холодной штамповки
- •99. Общая характеристика методов формообразования материалов и деталей при производстве эс
- •100. Изготовление электронных модулей по технологии внутреннего монтажа.
- •101. Приведите структуру контроллера (микроЭвм) с раздельными шинами адрес/данные и следующим составом:
- •102. Укажите место на структурной схеме эвм различных интерфейсов. Как объединять эвм в систему? Какие условия следует выполнить при передаче данных? Обоснуйте.
- •103.Расставьте по убыванию значимости параметры эвм по критерию производительности. Охарактеризуйте эти параметры.
- •105. Сопоставьте принципы печати лазерного и струйного принтеров, опишите и сравните их.
- •107. Выберите способ обмена данными между процессором и внешним устройством. Обоснуйте выбор. Напишите процедуру ввода или вывода данных в память эвм в мнемонике команд (уровень ассемблера).
- •108. Приведите основные архитектурные варианта построения операционных систем. Поясните понятие «виртуальная машина»
- •110. Спроектировать устройство микропрограммного управления автономного типа. Источник управляющих кодов – счетчик микрокоманд, число состояний счетчика – 32. Разрядность регистра микрокоманд – 24
- •112. Прерывания как способ изменения адреса в управляющей команде. Привести пример системы прерывания. Описать процедуру опознавания запроса на прерывание с маскированием
- •С линией запроса
- •113. Системы памяти эвм. Назначение каждого типа элементов памяти и место его в иерархии. Что дает для характеристик эвм каждый тип элементов памяти
- •114. Память программ. Виды носителей. Жесткие диски и их твердотельные аналоги
- •115. Компиляторы. Назначение компиляторов, их виды. Последовательность процедуры компиляции
- •116. Контроль информации при последовательной передаче двоичного кода. Методы контроля. Контроль передачи информации при обмене словами (байтами). Методы.
- •117. Приведите основные структуры объединения процессоров в многопроцессорных системах. В чем суть ограничений архитектуры Фон-Неймана
- •118. Сравните структуры двух мпк, имеющих организацию smp и mpp. Приведите их структурные схемы
- •119. Сравните характеристики двух последовательных интерфейсов rs-232с и usb. Приведите структурную организацию интерфейсов и формат передаваемых данных
- •121. Основные понятия процесса проектирования систем управления. Цель процесса проектирования.
- •122. Системный подход к проектированию.
- •123. Структура процесса автоматизированного проектирования
- •124. Основные типы автоматизированных систем, разновидности сапр.
- •Структура сапр
- •125. Стадии проектирования автоматизированных систем и аспекты их описания.
- •126. Особенности проектирования автоматизированных систем.
- •127. Понятие о cals-технологиях.
- •128. Открытые системы.
- •129. Техническое обеспечение систем автоматизированного проектирования
- •130. Типы сетей, методы доступа в сетях, протоколы и стеки протоколов в вычислительных сетях
- •Стеки протоколов и типы сетей в ас
- •131. Сапр систем управления
- •132. Автоматизация управления предприятием, логистические системы.
- •133. Асутп, автоматизированные системы делопроизводства.
- •Автоматизированные системы делопроизводства
- •134. Математическое обеспечение анализа проектных решений.
- •135. Компоненты математического обеспечения, структура вычислительного процесса анализа.
- •136. Математические модели в процедурах анализа на макроуровне
- •137. Математическое обеспечение анализа на микроуровне
- •138. Математическое обеспечение анализа на функционально-логическом уровне
- •139. Математическое обеспечение на системном уровне
- •140. Математическое обеспечение подсистем машинной графики и геометрического моделирования.
- •141. Схемы мультивибратора на транзисторах и оу.
- •142. Схема одновибратора на транзисторах.
- •144. Повторитель на оу
- •145. Двухтактный трансформаторный усилитель мощности, работающий в режиме ав.
- •150. Генератор гармонических колебаний на транзисторах.
- •151. Архитектурные принципы Фон-Неймана. Ограничения.
- •152. Основные понятия информационно-вычислительных систем, классификация по критерию потоков информации
- •153. Совмещение операций и многопрограммная работа. Режим работы в реальном времени
- •154.Типы структур многопроцессорных вс. Параллельные эвм, классификация. Три архитектурных класса машин
- •Классификация по программной организации
- •Классификация по архитектуре
- •155. Принципы ввода-вывода информации в пэвм. Роль и структура контроллера ввода информации
- •Принцип ввода-вывода информации в пэвм. Роль и структура контроллера ввода информации
- •156. Программная реализация ввода чисел с клавиатуры. Привести алгоритм ввода двухразрядного числа с клавиатуры для его суммирования с другими числами
- •157. Вывод и.На дисплей.Принципы отображения информации на экране дисплея. Lcd-дисплеи
- •158. Процедура вывода символьной информации на дискретные индикаторы.
- •159. Загрузчики. Процедура загрузки. Статистические и динамические загрузки.
- •160. Управление реальной памятью. Виртуальная память. Таблица соответствия адресов
33. Себестоимость и уровень качества эс
Зависимость себестоимости и уровня качества продукции можно в общем виде представить в виде следующего графика (рис.3)
СП – затраты на материалы, комплектующие изделия, оборудование, заработную плату, контроль и испытания и т.д.
При повышении уровня качества от низкого до оптимального затраты растут медленно (х), поскольку производство легко справляется с заданными требованиями на уровень качества. По мере повышения УКП затраты (у) существенно возрастают. При дальнейшем повышении требований к УКП в конце концов достигается такой предел, когда ни оборудование, ни ТП, ни НТП и т.д. не в состоянии обеспечить требуемого (недостижимо высокого) качества. Затраты при этом устремляются в бесконечность.
Затраты на продукцию складываются из 1- затрат на изготовление (проектирование и производство) и на 2 - эксплуатацию продукции (рис. 4). 3 - суммарные
Оптимальный уровень качества продукции - это такой уровень, выше или ниже которого производить продукцию экономически нецелесообразно.
При низком уровне качества продукции в сфере эксплуатации потребитель вынужден выделять дополнительные средства на ремонт, доработку и обслуживание продукции.
Высокий уровень качества продукции обуславливается ее высокой себестоимостью.
34. Корреляционная связь показателей эc Диаграмма разброса (поле корреляции)
Диаграмма разброса применяется для исследования зависимости (корреляции) между двумя видами данных. Поэтому ее часто называют полем корреляции.
С помощью диаграммы разброса удобно наблюдать процесс изменения параметра качества во времени при воздействии тех или иных факторов.
Пример:
Требуется выяснить влияние термообработки ИС при Т=1200С в течение t=24 ч на уменьшение обратного тока р-n перехода. Взято 25 ИС и замерены значения Iобр (табл.2).
x (Iобр при t=0 ч)
y (Iобр при t=24 ч)
Таблица 2
Значение обратного тока до и после обработки интегральных микросхем
¹ ÈÑ |
X |
Y |
|
¹ ÈÑ |
X |
Y |
|
¹ ÈÑ |
X |
Y |
1 |
68 |
61 |
|
11 |
78 |
68 |
|
21 |
68 |
70 |
2 |
71 |
67 |
|
12 |
92 |
88 |
|
22 |
79 |
69 |
3 |
65 |
63 |
|
13 |
60 |
57 |
|
23 |
78 |
71 |
4 |
78 |
70 |
|
14 |
75 |
71 |
|
24 |
78 |
71 |
5 |
75 |
74 |
|
15 |
73 |
70 |
|
25 |
73 |
69 |
6 |
85 |
76 |
|
16 |
69 |
68 |
|
|
|
|
7 |
86 |
82 |
|
17 |
73 |
73 |
|
|
|
|
8 |
84 |
70 |
|
18 |
73 |
69 |
|
|
|
|
9 |
74 |
68 |
|
19 |
83 |
76 |
|
|
|
|
10 |
65 |
60 |
|
20 |
70 |
73 |
|
|
|
|
Из таблицы имеем:
Xmax=92; Ymax=88
Xmin=60; Ymin=57
Наносим на график по оси абсцисс значения Х, по оси ординат - значения Y. При этом длину осей делают почти равной разности между их max и min значениями. На вид график приближается к квадрату. В нашем случае Xmax- Xmin=32; Ymax- Ymin=31; поэтому промежутки между делениями шкалы можно делать одинаковыми.
На график наносим данные в порядке измерений и получаем точки диаграммы рассеяния (рис.10).
Рис. 10. Диаграмма разброса
Совокупность точек на графике - диаграмма рассеяния.
Если разброс значений изучаемого параметра качества составляет несколько порядков, то удобно применять логарифмический масштаб по осям.
Если на одну и ту же точку графика попадает несколько значений параметра, то они обозначаются как точка в круге и возле точки проставляется число данных.
С помощью диаграммы разброса можно выяснить, имеется ли корреляционная связь между параметрами, и МНК определить вид этой связи.
Примеры:
Прямая корреляция Легкая прямая корреляция
Обратная (отрицательная) Легкая обратная корреляция корреляция
Отсутствие корреляции Криволинейная корреляция
Рис.11. Виды корреляционных связей
Криволинейную корреляцию можно разделить на участки, имеющие прямолинейный характер, и исследовать каждый участок в отдельности как прямолинейную корреляцию.
Степень корреляционной связи X и Y может быть оценена:
коэффициентом корреляции (прямолинейная)
корреляционным отношением (криволинейная).
Связь прямолинейную между Y и X можно найти, используя формулу
,
где r - коэффициент парной корреляции,
;
; ,
n - число пар наблюдений.
-1 r 1
При r=1 - связь функциональная. Зависимость между X и Y в виде формулы (например, закон Ома, все точные законы механики, физики, химии, астрономии).
При r<1 - связь статистическая. Каждому фиксированному значению X соответствует ряд изменяющихся вместе с X значений Y и наоборот. Параметры X и Y считаются статистически зависимыми, если
.
При r=0 X и Y не связаны между собой и не зависят друг от друга.
Знак r говорит о следующем:
“-” X Y и наоборот X Y
“+” X Y и наоборот X Y