Добавил:
Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:

Математическое моделирование в естественных науках

..pdf
Скачиваний:
26
Добавлен:
15.11.2022
Размер:
24.26 Mб
Скачать

Рис. 2. Диаграмма зависимости перемещения от времени: 1 – исследуемая область Sраб = 0,0025 м2;

2 – исследуемая область Sраб = 0,0115 м2

Рис. 3. Диаграмма зависимости перемещения от времени: 1 – размер подмножества 51, шаг 5; 2 – размер подмножества 31, шаг 5

421

В ходе проделанной работы установлено влияние факторов корреляционной обработки (скорость съемки, время испытания, исследуемая область и размер подмножества) при реализации сложных режимов нагружения на экспериментальные данные, полученные при использовании метода КЦИ и Vic-3D.

Работа выполнена при поддержке гранта Президента РФ для государственной поддержки молодых российских ученых – кандидатов наук (МК-5172.2015.1), при финансовой поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (проекты № 13-08-00304-а, 14-08-31387-мол).

Список литературы

1.Третьякова Т.В., Спаскова Е.М. Экспериментальное исследование напряженно-деформированных состояний квазихрупкого материала с использованием метода корреляции цифровых изображений // Вестник Пермского национального исследовательского политехнического университета. Механика. – 2013. –

2. – С. 186–198.

2.Третьякова Т.В. Особенности использования программного обеспечения Vic-3D, реализующего метод корреляции цифровых изображений, в приложении к исследованию полей неупругих деформаций // Вычислительная механика сплошных сред. – 2014. – Т. 7, № 2. – С. 162–171.

3.Вильдеман В.Э, Третьякова Т.В, Лобанов Д.С. Методика экспериментального исследования закритического деформирования на образцах специальной усложненной конфигурации с применением метода корреляции цифровых изображений // Вестник Пермского государственного технического университе-

та. Механика. – 2011. – № 4. – С. 15–28.

422

ИНВАРИАНТНОЕ ПРЕДСТАВЛЕНИЕ ТЕНЗОРА УПРУГИХ МОДУЛЕЙ В ПОДХОДЕ АТОМАРНОЙ СТАТИКИ

С.С. Стволова, И.Ю. Зубко

(Пермский национальный исследовательский политехнический университет,

Пермь, Россия, zoubko@list.ru)

Получено инвариантное представление упругих модулей в виде сумм, построенных при использовании различных потенциалов межатомного взаимодействия. Вид потенциалов не конкретизируется, появляющиеся производные выражаются через силы межатомного взаимодействия, что позволяет исследовать возможности потенциалов для описания анизотропии и симметричности упругого отклика кристаллического материала. Также с помощью полученного инвариантного представления анализируется возможность применения потенциалов для исследования упругих свойств материалов с несимметричным тензором напряжений Коши.

Ключевые слова: дискретно-атомистическое моделирование, несимметричная упругость, прогнозирование упругих модулей кристаллов.

Работа посвящена исследованию структуры тензоров напряжений и упругих модулей с помощью потенциала межатомного взаимодействия. В общем виде потенциальная энергия системы атомов [1] представляется как

M

M 1 M

 

Φ = Φ1 (Ri ) + Φ2 (R j

Ri ) +

i=1

i=1 j=i+1

 

M 2 M 1 M

 

 

+ Φ3 (R j

Ri ,Rk Ri ,Rk R j ) + ... ,

i=1 j=i+1 k = j+1

где Ri – радиус-вектор, задающий положение i-го атома, M – полное число атомов образца, Φ1(Ri ) – часть потенциальной

энергии атомов, которая не зависит от их взаимодействия, а определяется полем некоторой внешней силы, Φ2 (R j Ri ) – по-

тенциальная энергия парного взаимодействия или двухчастичный потенциал, Φ3 (R j Ri ,Rk Ri ,Rk R j ) – трехчастичный

423

потенциал взаимодействия атомов. Двухчастичный потенциал межатомного взаимодействия характеризует изменение потенциальной энергии при изменении расстояния между парами атомов. Этот потенциал с помощью некоторой функциональной зависимости описывает, что при сближении два атома начинают отталкиваться, а при удалении притягиваться. Поскольку атомы нельзя сдвинуть бесконечно близко, то в ноле такая функция стремится к бесконечности. При увеличении расстояния между парой атомов эта функция выходит на горизонтальную асимптоту, а сила взаимодействия, модуль которой равен тангенсу угла наклона касательной к графику функции Φ2 (R j Ri ) стремится

к нулю. Трехчастичный потенциал учитывает не только расстояние между двумя атомами, как в случае двухчастичного потенциала, но влияние конфигурации ближайших атомов. Например, трехчастичный потенциал может использоваться для описания ковалентной связи между соседними атомами в решетке графена или графита [2], находящимися в состоянии sp2-гибридизации. Силы взаимодействия каждого выбранного атома со всеми остальными атомами образца, вычисляемые с помощью двухчастичного потенциала, аддитивны. Для многочастичных потенциалов аддитивности сил взаимодействия нет. В рассматриваемом случае действие внешних сил не рассматривается, поэтому далее Φ1(Ri ) = 0 .

Для определения деформаций системы атомов необходимо задать две ее конфигурации: начальную и текущую. Для исследования механических свойств образца с кристаллической микроструктурой рассматриваются его конфигурации с однородным распределением атомов, каждая из которых характеризуется набором параметров межатомного расстояния (для простых решеток это один параметр, для сложных решеток параметров может быть несколько). Принимается, что отсчетная конфигурация является равновесной и может быть определена из условия минимума потенциальной энергии всего набора взаимодействующих атомов по параметрам решетки. Однородной

424

деформацией кристалла будем называть изменения длин и углов между прямыми линиями, соединяющими атомы, и линиями, описываемые тензором второго ранга, который соответствует однородному аффинору F (или тензору деформационного градиента, хотя для дискретной системы он не равен градиенту ка- кого-либо непрерывного поля), используемому в механике сплошных сред. В текущей конфигурации положение i-го атома задается вектором ri = F Ri (правило Коши–Борна).

Для расчета упругих модулей кристаллических систем в рамках статического подхода [2–4] принимается, что плотность упругой энергии и плотность потенциальной системы взаимодействующих атомов кристалла в текущей конфигурации совпадают. Тогда производные от плотности потенциальной энергии дискретной системы атомов по мерам деформации дадут выражения для вычисления компонент тензоров напряжений (с помощью первых производных) и компонент тензора линейно-упругих

свойств (вторые производные). Пусть Φˆ (F) – потенциальная

энергия однородно-деформированного кристаллического образца в текущей конфигурации. Энергия в отсчетной конфигурации, которая соответствует системе атомов с заданной кристаллической структурой и минимальным значением потенциальной энер-

ο

гии по параметрам решетки, равна Φ = Φˆ (I) . Относя изменение полной потенциальной энергии при деформировании кристалли-

ческого тела к его объему в отсчетной

ο

ˆ

Ω

или в текущей Ω кон-

фигурации, будем получать соответствующую плотность энергии деформаций. Она используется для вычисления тензора напряжений Пиолы–Кирхгофа:

ο

1

ˆ

ο

T

ο

1

ˆ

T

.

(1)

P1 = Ω

 

(Φ(F) − Φ) F

 

= Ω

 

∂Φ(F) F

 

Тензор напряжений Коши σ получается с использованием связи

σ = J 1F P1 ,

425

 

 

ˆ

ο

 

где

 

Ω . Тогда тензор напряжений Коши

J = det F = Ω /

ˆ

1

ˆ

T

.

σ = Ω

 

F ∂Φ(F) F

 

 

Рассмотрим два вида представления потенциальной энер-

гии в случае учета только двухчастичного взаимодействия, используя для простоты вместо набора векторных аргументов, соединяющих различные пары атомов, обозначение R в отсчетной конфигурации или r в текущей:

ˆ

ˆ

 

 

ˆ

R) , где ( ) – упрощенное

1) Φ(F) = Φ(

r) = Φ(F

обозначение суммы потенциалов (1) в текущей конфигурации,

ˆ

ˆ

 

 

r

 

ˆ

 

F

R

 

ˆ

R F

T

F R).

 

 

 

 

2) Φ(F) = Φ(

 

 

 

) = Φ(

 

 

) = Φ(

 

В первом случае существует возможность учета направления связи между различными парами атомов, во втором случае учитывается только расстояние между ними. Производная по тензору деформационного градиента F в этих двух случаях приводит к выражениям:

1.

ˆ

по аргументу r дает вектор силы

Производная Φ′( r)

f ( r), который определяется конкретным потенциалом межатомного взаимодействия:

ˆ

 

T

 

ˆ

r) (F R) F

T

= R f ( r)

 

∂Φ(F) F

 

= Φ′(

 

 

 

 

ˆ

1

F

R f (

ˆ

1

r f ( r) .

(2)

 

σ = Ω

 

r) = Ω

 

Для двухчастичных потенциалов векторы f ( r) и r коллинеарны, что вызывает симметрию тензора напряжений Коши. Для многочастичного взаимодействия (как в методе погруженного атома) направление силы f ( r) может не совпадать с направлением вектора r, соединяющего атомы, что приведет

кнесимметричности тензора напряжений Коши.

2.Производная Φˆ ( r ) по скалярному аргументу является скалярной величиной, что приводит к выражению:

426

ˆ

T

ˆ

 

 

 

r

 

)

 

R F

T

F

R F

T

=

 

 

 

∂Φ(F) F

 

= Φ′(

 

 

 

 

 

 

 

 

 

ˆ

 

r

 

)

 

r

 

1

R r.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

= Φ′(

 

 

 

 

 

 

 

 

Следовательно, для тензора напряжений Коши получим

ˆ

1 ˆ

 

r

 

) r r

 

r

 

,

(3)

 

 

 

 

σ = Ω

Φ′(

 

 

 

 

т.е. тензор напряжений Коши будет симметричным для любого потенциала межатомного взаимодействия.

В случае учета только парного межатомного взаимодействия, когда потенциальная энергия представляется в виде

ˆ

M 1

M

ϕ(rj

ri ) , где

ϕ(ri rj ) – некоторый двух-

Φ(F) = i=1

j=i+1

частичный потенциал, получим:

а) Φˆ ′ = iM=11 Mj=i+1 ϕ′(rj ri ) ,

σ= Ωˆ 1 iM=11 Mj=i+1(rj ri )ϕ′(rj ri ) = Ωˆ 1 iM=11 Mj=i+1(rj ri )f(ij) ,

причем в общем случае из этого представления следует, что

σT σ;

б) Φˆ ′ = iM=11 Mj=i+1 ϕ′( rj ri ), σ= Ωˆ 1 iM=11 Mj=i+1(rj ri )f(ij) ,

но в этом случае сила f(ij) = ϕ′( rj ri )(rj ri )rj ri парного

межатомного взаимодействия действует по линии, соединяющей атомы, и получаемый тензор напряжений Коши состоит из суммы симметричных диад вида α(ij) (rj ri )(rj ri ) , т.е. являет-

ся симметричным σT = σ.

При учете многочастичного взаимодействия в методе погруженного атома потенциальная энергия системы определяется выражением, в котором учтено, что отталкивание всех атомов описывается согласно закону парного взаимодействия, а притяжение описывается нелинейной функцией γ (), задающей влияние окружения произвольного атома (функция погружения). Окружение определяетсямножествомномеров соседних атомов Si:

427

ˆ

M 1

M

ϕ

+

 

 

 

 

M

γ ( j Si

(rj

ri )). (4)

 

 

 

Φ(F) = i=1

j=i+1

 

(

 

rj ri

 

) + i=1

ϕ

 

 

 

 

 

 

Функции ϕ± (rj ri ) могут зависеть как только лишь от

расстояний между атомами, так и от расстояний и направлений действия межатомных сил в окрестности выбранного атома. Производная от первого слагаемого даст выражение, аналогичное полученной ранее сумме. Для второго слагаемого при использо-

вании обозначений r(ij)

rj ri и (ϕ(r(ij) ))f(ij) получим:

∂ γ ( j Si ϕ(r(ij) ))

FT = γ′( j Si ϕ(r(ij) )) j Si R(ij)f(ij) .

Тогда тензор напряжений Коши можно представить в виде:

 

iM11

Mj i 1(ϕ+ )

 

r(ij)

 

1 r(ij)r(ij) + iM1

(γ′( j S

ϕ(r(ij) )) j S

r(ij)f(ij) )

 

 

 

 

 

 

 

σ=

=

= +

 

 

 

=

i

i

.

(5)

 

 

 

 

 

ˆ

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Ω

 

 

 

 

 

Поскольку вектор f(ij) не обязательно направлен вдоль вектора r(ij) , то в результате получаемый тензор может быть не-

симметричным.

Для вычисления упругих модулей при малых деформациях необходимо найти производную от тензора напряжений Коши (5):

σFT = ∂Ωˆ 1FT ( iM=11 Mj=i+1(ϕ+ )r(ij) 1 r(ij)r(ij ) +

M

 

ˆ 1

M 1

M

(ϕ

+

)

 

r(ij)

 

1

 

 

 

+ i=1

(γ′ j Si

r(ij)f(ij)

))+ Ω ∂ (

i=1

j=i+1

 

 

 

r(ij)r(ij) +

 

 

+ iM=1(γ′ j Si

r(ij)f(ij ) )) FT .

 

 

 

 

 

 

Рассмотрим производные этого выражения по отдельности:

428

ˆ 1

F

T

ο 1

J

1

F

T

ˆ

1

T

,

∂ Ω

 

= Ω

 

 

= −Ω

F

 

r(ij)r(ij )

FT = (en r(ij ) + r(ij )en )R(ij)en ,

где en – ортонормированный базис внешней системы координат. Второе и третье слагаемые содержат следующие производные

(ϕ+ )

 

r(ij)

 

1

r(ij)r(ij)

=

(ϕ+ )′′

 

r(ij)

 

 

(ϕ+ )

r r

R

r

+

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

FT

 

 

 

 

r(ij)

 

3

(ij) (ij)

 

(ij) (ij)

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

+(ϕ+ )((en r(ij) + r(ij)en )R(ij)en ), r(ij)

 

(γ′ j Si r(ij)f(ij) )

= γ′′ r f

 

R

 

f

 

+ γ′ (e

 

g

 

 

 

+ r

G

 

e

 

)R

 

en

,

 

FT

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

(ij) (ij)

 

 

 

 

(ij)

(ij)

 

 

 

 

 

n

 

(ij)

 

(ij)

 

(ij)

 

n

 

(ij)

 

 

где производные γ′

и γ′′ функции γ имеют аргумент j Si

ϕ(r(ij) ) ,

тензор

второго

 

ранга

 

 

 

 

 

 

G

(ij)

≡ ∂f

 

r

 

= ∂2ϕ(r

 

) r

2

,

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

(ij)

 

 

 

 

(ij)

 

 

 

(ij)

 

(ij)

 

f(ij) FT

= G(ij) enR(ij)en . В итоге получим тензор четвертого ран-

га следующего строения:

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

σ F

T

 

 

ˆ 1

 

T

×

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

= −Ω

 

F

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

×( iM=11 Mj=i+1(ϕ+ )

 

r(ij)

 

1

 

r(ij)r(ij) + iM=1(γ′ j S r(ij)f(ij) ))+

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

ˆ 1

M 1

 

 

M

 

 

 

+

)′′

 

r(ij)

 

(ϕ

+

))

 

r(ij)

 

3

r(ij)r(ij)R(ij)r(ij) +

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

i=1

j=i+1{((ϕ

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

+(ϕ+ )r(ij) 1 ((en r(ij) + r(ij)en )R(ij)en )}+

+Ωˆ 1 iM=1 j Si {γ′′ (r(ij)f(ij) R(ij)f(ij) )+

+γ′ (en f(ij) + r(ij)G(ij) en )R(ij)en }.

429

R(ij)
f(ij)

При условии малости деформаций F I получим строение тензора линейно-упругих модулей для кристаллического материала в виде выражения:

ο

 

 

M 1

M

 

 

 

 

 

 

1 R(ij)R(ij) +

M (γ′

R(ij)f(ij) ))+

C = −Ω1 I(

(ϕ+ )

R(ij)

 

 

 

i=1

j=i+1

 

 

 

 

 

 

 

 

 

i=1

j S

ο

 

iM=11 Mj=i+1{((ϕ+ )′′

 

 

(ϕ+ ))

 

 

3 R(ij)R(ij)R(ij)R(ij) +

+ Ω1

R(ij)

R(ij)

 

 

 

 

 

+(ϕ+ )

 

R(ij)

 

1 (en R(ij) + R(ij)en )R(ij)en}+

(6)

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

ο

M

 

{γ′′ R(ij)f(ij)R(ij)f(ij) + γ′ (en f(ij)

+ R(ij)G(ij) en )R(ij)en}.

+ Ω1

 

 

i=1

 

j Si

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

В общем случае данное выражение не обладает симметрией внутри пар первых и вторых диад, которая возможна только в случае коллинеарности векторов с векторами . В слу-

чае их коллинеарности и тождественной функции погружения γ для метода погруженного атома γ′ = 1, γ′′ = 0 тензор четвертого

ранга (6) становится изотропным.

Работа выполнена при финансовой поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (грант № 14-01-00069,

грант № 15-01-08678).

Список литературы

1.Clayton J. Nonlinear Mechanics of Crystals. – London: Springer, 2011. – 715 p.

2.Зубко И.Ю. Вычисление упругих модулей монослоя графена в несимметричной постановке с помощью энергетиче-

ского подхода // Физическая мезомеханика. – 2015. – Т. 18,

2. – С. 37–50.

3.Симонов М.В., Зубко И.Ю. Определение равновесных параметров решетки различных ГПУ-монокристаллов с помощью потенциала межатомного взаимодействия Ми // Вестник

430

Соседние файлы в предмете [НЕСОРТИРОВАННОЕ]