Сравнительные параметры мкп, выполненных по различным технологиям

Параметры	Технология изготовления
	Субтрак-тивная (фольга 5 - 10 мкм)	Полуад-дитивная	Адди-тивная	Толсто-пленочная	Тонкопленочная
					на жестких подложках	на гибких подложках
Минимальная ширина линий, мм	0,25-0,50	0,125-0,250	0,100-0,200	0,15-0,30	0,03-0,10	0,03--0,10
Минимальный диаметр переходных отверстий, мм	0,5-1,0	0,3-0,5	0,2-0,5	0,13-0,3	0,03-0,1	0,02--0,05
Максимальные размеры платы, мм х мм	250x250 можно более	220x250 можно более	200x200	100x120	120x180 (48х60 для ГИС)	100x120
Разрешающая способность, линий/мм.	2,5-4,0	4,0-5,0	4,0-6,0	2,5-4,0	5,0-10,0	5,0--10,0
Максимальное число слоев коммутации	8-12 и более	8-20	8-20 и более	10-20 и более	2-6	Более 10
Удельное погонное сопротивление проводников, Ом/см	0,001-0,01	0,005 и менее	0,005 и менее	0,1-2,0	0,01	0,01 и менее
Удельная погонная паразитная емкость, пФ/см	0,5-0,8	0,5-0,7	0,5-0,7	0,8-1,5	1-2	0,2-0,3
Интенсивность отказов из-за дефектов в переходных отверстиях, 1/ч	10-10	10-9	10-9	10-10	10-10	10-10

Необходимо отметить, что минимальный диаметр переходных отверстий как для субтрактивной, так и для аддитивной технологии практически одинаков.

С использованием тонко- и толстопленочной технологий в настоящее время реализовано множество конструкторско-технологических вариантов МКП, которые условно можно свести к двум разновидностям: МКП, созданная из набора подложек с пленочной коммутацией (так называемая пакетная технология) и МКП, сформированная методом последовательного наращивания слоев (подложечная технология). В первом случае единичные подложки с коммутацией изготавливаются аналогично ГИС до операций сборки, правда, резисторы и конденсаторы в пленочном исполнении чаще всего отсутствуют. Во втором случае многослойная структура формируется в непрерывном процессе из чередующихся изоляционных и проводящих слоев с требуемой топологией. Межслойная коммутация в первом случае осуществляется через переходные отверстия (металлизированные), а во втором - через "окна" в диэлектрике, находящемся между двумя слоями металлизации.

К основным недостаткам технологии последовательного наращивания слоев (или послойного наращивания) следует отнести ограниченное число слоев коммутации из-за рельефности поверхности, на которой слои формируются, так как это создает трудности точного выполнения топологического рисунка коммутации с возрастанием количества наносимых слоев.

Для изготовления коммутации с использованием полупроводниковой технологии основанием платы является полупроводник (например, кремний). В объеме полупроводника проводящие дорожки формируются при чередовании процессов диффузии и эпитаксии, а на поверхности платы - с применением тонкопленочной технологии. Межслойные соединения выполняются локальной диффузией.

Совершенствование средств для создания межслойной коммутации позволяет минимизировать длину межсоединений, увеличивать плотность компоновки коммутации (с повышенной разрешающей способностью межсоединений) и число коммутационных слоев, в также осуществлять более полное температурное согласование элементной базы с КП и другими конструктивами ЭВС.