- •Тема 1. Комплексная микроминиатюризация и автоматизированные
- •Цели и задачи микроэлектронной аппаратуры
- •Основные пути выбора конструктивно-компоновочной схемы и методов монтажа мэа
- •Элементная база и ее влияние на конструкцию мэа
- •Корпусированная элементная база
- •Динамика развития основных исходных конструкторских
- •Бескорпусная элементная база
- •Исходные данные задания
- •Порядок выполнения задания
- •Пример выполнения задания практического занятия
- •Результаты, полученные при выполнении задания
- •Тема 2. Конструктивные исполнения и современные технологии сборки элементной базы.
- •Микросхемы, элементы, компоненты
- •Классификация микросхем
- •Современные корпуса дискретных полупроводниковых приборов или их сборок
- •Современные корпуса дискретных полупроводниковых приборов или их сборок
- •Бескорпусная элементная база
- •Имс с проволочными выводами
- •Термокомпрессионная сварка
- •Сварка с косвенным импульсным нагревом
- •Кристаллы с балочными выводами
- •Имс с организованными шариковыми выводами
- •Имс с организованными выводами на гибком носителе
- •Классификация типов ленточных носителей
- •Одноточечная автоматизированная сборка на ленту-носитель
- •Резисторы
- •Основные сведения об объемных резисторах
- •Конденсаторы
- •Относительные диэлектрические проницаемости
- •Катушки индуктивности
- •Технология монтажа пассивных компонентов
- •Практическое занятие оптимизация технологических режимов процесса микроконтактирования бескорпусных кристаллов сбис в электронных устройствах с высокоплотным монтажом
- •Теоретические сведения Элементная база для сборки и монтажа мэу
- •Оценка и анализ качества микроконтактирования
- •Порядок выполнения заданий
- •Примеры выполнения заданий практического занятия Задание 1
- •Задание 2
- •Тема 3. Многоуровневые коммутационные системы.
- •Монтаж микросборок и ячеек мэа
- •Сводные характеристики многослойных керамических плат
- •Типы печатных плат
- •Двухсторонние печатные платы
- •Многослойные печатные платы
- •Гибкие печатные платы
- •Рельефные печатные платы (рпп)
- •Характеристики рельефных плат
- •Сравнение технологических и стоимостных характеристик рельефной и многослойной печатной платы
- •Гибкие печатные платы
- •Основные элементы конструкции гибких печатных плат
- •Полиимидные пленки
- •Адгезивы
- •Гибко-жёсткие печатные платы
- •Миниатюрные охлаждающие агрегаты
- •Радиаторы
- •Теплопроводящие трубки
- •Углеродные нанотрубки
- •Охлаждение элементом Пельтье
- •Плоские теплоотводы
- •Охлаждение микросхем распылением на них жидкости
- •Капиллярная система теплоотвода ibm
- •Особенности обеспечения теплоотвода в теплонапряженных модулях
- •Обеспечение теплоотвода при монтаже высокоскоростных модулей на основе бескорпусных бис
- •Конструкции и компоновочные схемы радиоэлектронных ячеек
- •Особенности конструктивно-технологических принципов построения мэа свч диапазона и источников вторичного электропитания.
- •Особенности монтажа микросборок и ячеек свч диапазона.
- •Теоретические сведения
- •Сравнительные параметры мкп, выполненных по различным технологиям
- •Исходные данные заданий
- •Пример выполнения задания практического занятия
- •Тема 4. Технологии внутриячеечного монтажа.
- •Лекция 18. Паяные соединения. Особенности и способы пайки. Бесфлюсовая пайка. Контроль качества. Бессвинцовая технология пайки. Общее понятие процесса пайки и паяных швов.
- •Технология пайки
- •Основный виды пайки.
- •Способы пайки.
- •Типы паяных соединений.
- •Подготовка деталей к пайке и пайка.
- •Дефекты паяных соединений и контроль качества. Типы дефектов паяных соединений.
- •Контроль качества.
- •Возможные дефекты
- •Выбор припойной пасты.
- •Состав припойных паст.
- •Характеристики частиц в припойных пастах.
- •Свойства флюсов.
- •Трафаретный метод нанесения припойной пасты.
- •Диспенсорный метод нанесения припойной пасты
- •Нанесение припойной пасты.
- •Результаты выполнения задания
- •Тема 5. Конструкторско-технологические особенности
- •Лекция 24,25. Герметизация компонентов рэа. Способы контроля герметичности.
- •Структура процесса герметизации
- •Входной контроль
- •Приготовление герметизирующего состава
- •Подготовка герметизируемого изделия
- •Герметизация изделий
- •Сварка.
- •Пропитка
- •Обволакивание
- •Заливка
- •Опрессовка
- •Герметизация капсулированием
- •Герметизация в вакуум-плотных корпусах
- •Практическое занятие герметизация эвс и их конструктивов
- •Теоретические сведения
- •Исходные данные задания
- •Пример выполнения задания практического занятия
- •Порядок выполнения задания
- •Пример выполнения задания практического занятия
Особенности конструктивно-технологических принципов построения мэа свч диапазона и источников вторичного электропитания.
Рассматривая основные особенности конструктивно-технологического исполнения МЭА СВЧ диапазона и источников вторичного электропитания (ИВЭП), отметим, что это, прежде всего теплонапряженная аппаратура, хотя и в ЦАА отвод тепла от кристаллов 'большого уровня инерции (особенно биполярных), как мы уже отмечали в гл. 1, является насущной проблемой. Любая технология, позволяющая размещать большое число кристаллов ИМС в малом объеме, оказывается бесполезной, если она не обеспечивает отвод выделяемого кристаллами тепла без недопустимого их перегрева. Рассмотрим более подробно эти вопросы и связанные с ними вопросы монтажа.
Для всех ранее описанных конструкций ячеек и блоков МЭА характерно то, что тепло внутри блока передается в основном кондуктивным путем по элементам конструкции с высокой теплопроводностью ( =100-200 Вт/м К). Основными тепловыми сопротивлениями являются места контактов кристалла с коммутационной платой, плат — с рамкой ячейки, а также места контактов рамок ячейки между собой и основанием блока. Внешняя теплоотдача от корпуса блока осуществляется за счет конвекции и излучения.
Для улучшения теплопередачи более напряженных блоков
корпуса делают оребренными или устанавливают на теплоотводы, имеющие необходимую поверхность. Особо теплонапряженные блоки (например, ячейка на многослойной керамике) должны разрабатываться с применением принудительного охлаждения, в том числе жидкостного. В этом случае в конструкции изделия необходимо иметь достаточное число дополнительных устройств для охлаждения (насосы, трубопроводы, теплообменники с вентиляторами и т. п.), которые ухудшают массогабаритные характеристики МЭА.
Перегрев электронного компонента относительно температуры окружающей среды можно записать в виде , где - перегрев электронного компонента вследствие прохождения тепловой энергии по конструкции блока (внутренний перегрев); - перегрев в результате теплового взаимодействия поверхности блока с окружающей средой (внешний перегрев).
Величина допустимого суммарного перегрева определяется максимальной температурой окружающей среды ( ) и предельно допустимой температурой электрических компонeнтов ( ) . Уменьшение величины внутреннего перегрева в микроэлектронных блоках при сохранении величины суммарного перегрева позволяет увеличить допустимую величину внешнего перегрева, что оказывает непосредственное влияние на материалоёмкость и энергопотребление систем обеспечения тепловых режимов МЭА. Это вытекает из следующего соотношения:
P/aS,
где
Р — рассеиваемая блоком мощность, Вт;
а - коэффициент теплообмена между корпусом блока и окружающей средой, Вт/( );
S — площадь поверхности блока, участвующая в теплообмене с окружающей средой, см2.
Увеличение позволяет либо при неизменном коэффициенте теплоотдачи уменьшить площадь поверхности блока, что соответственно уменьшает массу блока и упрощает технологию изготовления (например, без оребрения), либо при неизменной поверхности теплообмена применить менее интенсивные системы обеспечения тепловых режимов, имеющие по сравнению с первоначальной меньшую массу.
Например, в случае использования для охлаждения вынужденной конвекции коэффициент пропорционален , где - скорость воздушного потока. Энергопотребление вентиляционного агрегата пропорционально . Следовательно, с уменьшеньшением коэффициента теплоотдачи в два раза уменьшается энергопотребление вентиляционного агрегата примерно на порядок и приблизительно в такой же пропорции уменьшается его масса. Системы обеспечения тепловых режимов МЭА можно структурно подразделить на подсистемы обеспечения хладоагентом (насосы, вентиляторы), трансформаторы тепловой энергии (различного рода теплообменники) и подсистемы контроля и регулирования работы системы обеспечения тепловых режимов (СОТР) (датчики и регуляторы температуры, давления, расхода). Исключительно эффективны для применения в СОТР микроминиатюрные датчики, изготовленные методами тонкопленочной и полупроводниковой технологии.
Применение индивидуальных корпусов для ИМС, особенно пластмассовых, существенно увеличивает теплонапряженность ячеек и заставляет искать дополнительные пути для отвода тепла в разработке методов монтажа.
Заметим, что температура кристалла, рассеивающего 0,5 Вт, в пластмассовом корпусе будет на 25° С выше температуры окружающего воздуха только из-за применения корпуса. Внутреннеетепловое сопротивление можно уменьшить вдвое, заменив пластмассовый корпус керамическим, и во столько же раз увеличить допустимую рассеиваемую мощность при одной и той же температуре перегрева. Керамический микрокорпус имеет по сравнению с ДИП-корпусом несколько худшие тепловые характеристики вследствие меньшей площади. Внешнее тепловое сопротивление корпуса можно уменьшить, установив теплоотвод, который расширяет эффективную площадь поверхности корпуса, а также можно увеличить скорость воздушного потока. Однако снизить полное тепловое сопротивление вдвое этими мерами, как правило, не удается.
Тепловое сопротивление корпуса и условия теплоотвода на коммутационной плате в значительной степени зависят от теплопроводности материала, из которого изготовлены корпус или плата.
Материал рамки и выводов пластмассового корпуса, также должен оказывать значительное влияние на теплоотвод. Заметим, что при креплении бескорпусных БИС на коммутационную плату наличие металлических выводов и их плотность существенно сказываются на условиях теплоотдачи. Так, нанесение на стеклоэпоксидную печатную плату металлических полосок, на которые устанавливаются специальные теплорассеивающие элементы, улучшает их тепловые характеристики почти на 40% (полоски соединяются с земляным выводом или рамой платы).
Предпочтительно создавать из металлических полосок рисунок в виде гребенки; для МДП на полиимидной пленке матрица металлизированных пропаянных отверстий с шагом 0,625—1,5 мм играет роль эффективного теплоотвода на металлическую пластину (алюминий) с диэлектрическим покрытием (оксидированный слой).
Необходимо отметить, что наиболее прогрессивным методом при кондуктивном охлаждении является использование металлических оснований коммутационных плат с диэлектрическим покрытием. Могут быть использованы медные и стальные основания, но наиболее эффективен для применения алюминий и его сплавы, так как его теплопроводность, хотя и меньше меди, но значительно превосходит сталь; алюминий по сравнению с медью имеет значительно меньшую плотность.
Таким образом, определяющим для микроминиатюризации ИВЭП является применение бескорпусных ИМС, смонтированных либо на поликоровой подложке, на которую устанавливаются также диоды, трансформаторы, дроссели и другие элементы (уровень микросборки), либо на металлической подложке с диэлектрическим покрытием (уровень ячейки МЭА). Кроме того, определяющим для микроминиатюризации ИВЭП является оптимизация габаритных размеров трансформаторов и дросселей путем повышения рабочей частоты преобразования до 200 кГц и более.
Преимущественной формой конструкции ИВЭП в таком случае становится планарная, основной конструкционный элемент ячейки - рамка, а герметичного блока - корпус. Наиболее теплонапряженные элементы монтируются непосредственно на рамку или корпус с развитой поверхностью. В связи с относительно небольшой плотностью монтажа компонентов ИВЭП, обусловленной особенностями элементной базы и монтажа, даже при использовании микросборок возможен непосредственный переход к уровню блока, минуя уровень ячейки за счет непрерывной коммутации между микросборками без применения печатных плат. Удельные характеристики таких блоков: 100-150 Вт/дм3 , 60-80 Вт/кг соответственно; параметры таких устройств, изготовленных на анодированном алюминиевом основании: 200-300 Вт/дм3, 180-300 Вт/кг. Удельные характеристики аналогичного блока, выполненного на дискретных элементах, составляют 20-30 Вт/дм3 и 25—30 Вт/кг.
Основой для создания коммутационных элементов микроэлектронных устройств СВЧ диапазона является система микрополосковых линий, выполненных на обеих сторонах подложки с высокой точностью рисунка и его привязки, причём подложки должны обладать хорошими электрофизическими характеристиками в СВЧ диапазоне (используются поликор, сапфир, некоторые органические материалы – фторопласт, полиимид и др.). Сложность в организации пересечения микрополосковых линий заставляет прибегать к двухстороннему расположению микросборок на основании, а конструирование блока ведется по принципу непрерывной схемы. Необходимость соблюдения однородности СВЧ тракта предъявляет жесткие требования к взаимному расположению выходных микрополосков сопрягаемых микросборок. В связи с необходимостью обеспечения хорошего электрического контакта экранирующих трактов микрополосковых линий с корпусом, а компонентов микросборки с экранирующими металлическими слоями подложек одним из конструктивных требований к монтажу таких устройств является необходимость многократной пайки в блоке без выведения из строя уже выполненных соединений.
Для выполнения принципа непрерывной схемы соединение по СВЧ тракту между СВЧ микросборками выполняется с помощью коаксиального перехода. Выводы СВЧ сигнала из гермообъема выполняются с помощью коаксиального микрополоскового герметичного соединителя. Для герметизации штыря соединителя используется металлостеклянный спай. Соединитель герметизируется спайкой, электрические соединения между СВЧ микросборками и гермосоединителем осуществляются перемычками из фольги. Расстояние А от плоскости установки микросборки до оси гермосоединителя зависит от способа крепления микросборок и толщины подложек.
Вместе с тем габариты большинства функциональных блоков СВЧ чаще всего определяются не содержащимися в них ИМС и радиокомпонентами, а числом соединителей и различного рода СВЧ переходов.
Дополнительный объем, необходимый для размещения таких переходов и обеспечения межблочной коммутации, как правило, превышает физический объем самих блоков. Обычно для достижения высокой стабильности параметров каждый функциональный СВЧ блок герметизируется в корпус, используются входные и выходные соединители для индивидуальной настройки блоков, а также их проверки в составе устройства. Промежуточные (технологические) СВЧ соединители служат только для настройки блоков.
Такое выполнение устройств линейной техники и особенно СВЧ устройств с использованием отдельных функциональных герметичных блоков в какой-то мере исчерпало свои возможности и в настоящее время препятствует дальнейшему снижению массогабаритных показателей изделий вследствие большого числа соединителей и проводов коммутации. Изучение опыта и тенденций развитая конструирования МЭА показывает, что главным направлением является переход от интеграции схем к интеграции систем. При этом под системой подразумевается радиоэлектронное устройство заданной сложности.
Следующим шагом в развитии микроэлектронной СВЧ аппаратуры является создание многоканальных СВЧ устройств с общей герметизацией и жидкостным охлаждением, что дает возможность снизить массу в два раза и объем в пять раз по сравнению с устройствами, выполненными на основе отдельных функциональных блоков, устанавливаемых на общей СВЧ коммутационной плате с жидкостным охлаждением. При этом выигрыш получается только за счет уменьшения металлоемкости конструкции устройства и исключения проводов коммутации.