Тема 3. Многоуровневые коммутационные системы.

Лекция 9-10. Коммутационные системы микроскобок и ячеек. Конструктивные типы многослойных жёстких и гибких платоснований и технология их производства.

Монтаж микросборок и ячеек мэа

Коммутационные платы для микросборок

В качестве коммутационных плат для микросборок в основном используются тонко- и толстопленочные схемы, причем кроме про­водящих шин и КП на платах одновременно изготавливается ряд пассивных элементов схемы: резисторы, конденсаторы, катушки индуктивности (тонкопленочные схемы). Исходя из анализа конст­руктивно-технологических принципов формирования микросборок, можно указать основные требования, которые предъявляются к коммутационным платам микросборок:

- высокая плотность рисунка элементов схемы, в том числе кон­тактных площадок для присоединения кристаллов; необходимо, чтобы минимальный шаг контактных площадок совпадал с шагом выходных КП кристалла;

- в связи с требованием увеличения плотности рисунка, широким внедрением автоматизированных систем проектирования возника­ет необходимость использования многоуровневой коммутации;

- обеспечение хорошей ремонтоспособности схемы, которая вклю­чает в себя возможности отрыва любой связи и создание новой, соединение пассивного элемента и создание в схеме нового, неод­нократное присоединение выводов навесных элементов на КП и замена этих навесных элементов на плате;

- применение таких подложек для микросборок, которые имеют хорошую теплопроводность (для мощных схем) и механическую прочность.

Заметим, что для толсто­пленочных схем чаще всего применяются подложки из окиси алю­миния: керамика 22ХС и поликор; для тонкопленочных — ситалл и поликор. Для мощных схем широко применяются эмалированная сталь (толстопленочные) и анодированный алюминий (тонкопле­ночные).

В качестве материалов для проводящих шин тонкопленочной технологии микросборок используются металлы, имеющие минимальное значение сопротив­ления (медь с подслоем хрома, золото с подслоем хрома, алюминий), в связи, с чем тонкопленочная технология находит преимущественное применение при изготовлении СВЧ микросборок. В толстопленочной технологии для этих же целей используются проводниковые пасты на основе благородных металлов и их сплавов (серебро, палладий, золото); реже используются композиции, вклю­чающие медь, никель. Часто для создания хороших условий для присоединения выводов навесных компонентов толстопленочные проводники облуживают; иног­да с этой - же целью их покрывают металлическими слоями золота и никеля электрохимическими методами.

Поскольку в толстопленочной технологии применяется последовательное .на­мазывание паст через трафареты и их дальнейшая термообработка при темпе­ратурах 500—1200°С, в техпроцессе необходимо обеспечить стабильность сос­тава проводящих и диэлектрических слоев при температурах, равных темпе­ратурам вжигания последующих проводящих и диэлектрических слоев. Поэтому число уровней разводки обычно невелико — ведь для каждого металлическо­го и диэлектрического слоев по существу необходима паста с другим составом (обычно используется до четырех паст). Второй особенностью температурных процессов при создании толстопленочных схем является возможность короб­ления и растрескивания подложек большого размера. Поэтому при размере плат до 60X48 мм толщина подложек обычно 0,8—1,5 мм, а свыше указан­ного размера — от 2 до 4 мм. Однако и в этом случае процент выхода год­ных плат размером около 100X100 мм еще недостаточно высок. Для межслойной изоляции используются пасты на основе кристаллизирую­щихся стекол и композиционных материалов (стекло — керамика). После обжига эти материалы повторно не размягчаются, если их даже нагреть до тем­пературы, значительно превышающей температуру обжига. Использование стеклокерамических композиций с большим содержанием керамического наполните­ля позволяет получать переходные отверстия до 0,25 мм. Для того чтобы не возникало большое количество коротких замыканий между уровнями разводки, толщины толстых диэлектрических пленок составляют не менее 45 мкм. Не ме­нее 20 мкм составляют обычно и толщины проводящих пленок — для получе­ния необходимого удельного поверхностного сопротивления порядка 0,005 Ом/кв. Как известно, технология толстопленочных резисторов позволяет получать не­обходимый набор номиналов резисторов для схемы (за исключением, пожалуй, прецизионных). Однако требуется индивидуальная подгонка резисторов (пес­коструйная или лазерная), так как невоспроизводимость удельного поверхност­ного сопротивления при изготовлении достигает ±50%. В настоящее время связан ряд производительных автоматов для такой подгонки.

Несмотря на большое значение диэлектрической проницаемости керамичес­ких порошков в пастах на основе стекол из-за не столь высокого значения этого параметров у стекол и большой толщины пленок, удельная емкость толс­топленочных конденсаторов невелика. Ввиду этого в толстопленочных микро­сборках чаще применяют навесные конденсаторы.

Разрешающая способность рисунка толстопленочных схем из-за условий их получения уступает тонкопленочным. Обычно менее 125 мкм ширина линий и зазоров не выполняется, причем в массовом производстве она составляет 200—300 мкм и более.

Методы создания тонкопленочной коммутации в отличие от толстопленоч­ной позволяют достигнуть более высокой разрешающей способности рисунка в одном слое (30—50 мкм), а также большей механической прочности сцепления слоев. Эти методы в настоящее время достаточно хорошо отработаны и бази­руются на высокопроизводительном оборудовании вакуум-термического, ионно-плазменного распыления (включая магнетронное), плазмохимического и ион­ного травления, электрохимического осаждения металлов и анодирования; ме­тод получения рисунка — преимущественно контактная фотолитография.

В качестве материалов для тонкопленочных резисторов используются спла­вы высоколегированного хромом кремния (РС-5406, РС-3710) и керметы, осно­ву которых составляет высоколегированный хромом кремний и бесщелочное пятикомпонентное стекло С-44-1 (К-20С, К-50С). Диапазон номиналов тонко­пленочных резисторов полностью обеспечивает требования схемотехники. При этом каждый тип тонкопленочного резистора можно выполнить в прецизионном исполнении: долговременная стабильность таких резисторов обычно не хуже ±0,05%, ТКС —5-Ю-⁵ К"¹.

Технологический процесс получения тонкопленочных резисторов обеспечива­ет воспроизводимость номиналов ±(5—10)%, причем групповой отжиг при температуре 400—450°С в течение 5—15 мин резисторов на основе кермета К-50С с удельным поверхностным сопротивлением 500—10 000 Ом/кв. позволя­ет достигать точности выполнения номиналов ±5% у 99% резисторов. Груп­повой отжиг эффективен вплоть до воспроизводимости номиналов ±1%.

Удельная емкость тонкопленочных конденсаторов выше, нежели толстопле­ночных (из-за меньшей толщины слоя диэлектрика), однако рабочее напряже­ние меньше по тем же причинам. Несмотря на большой выбор применяемых материалов для диэлектрика тонкопленочных конденсаторов, недостаточная на­дежность последних, вызванная сквозной пористостью, присущей тонким ди­электрическим слоям, обусловила ограниченный перечень таких материалов. По существу в настоящее время используются преимущественно окисные стекла, имеющие наименьшую сквозную пористость при осаждении. Если к этому до­бавить, что емкость более 0,1 мкФ фактически недостижима и для тонкопле­ночной технологии, то становится понятно, что и в тонкопленочных микросбор­ках навесные конденсаторы применяются весьма широко. При формировании СВЧ трактов в микросборках преимущественно исполь­зуются слои меди с подслоем хрома толщиной от 2 до 50 мкм, защищенные слоем никеля или золота (1—3 мкм); геометрия микрополосковых линий вы­полняется с точностью ±(3—5) мкм. Серебро в тонкопленочных схемах прак­тически не применяется из-за большой миграционной способности. Отметим, что методы вакуумного осаждения металлов не позволяют осаждать слои свыше 10 мкм из-за сильного влияния внутренних механических напряжений (до 150— 20 МПа). Поэтому для получения слоев с относительно небольшими значения­ми внутренних механических напряжений используется электрохимический ме­тод осаждения металлов.

Так как многоуровневая разводка по структуре тождественна тонкопленоч­ному конденсатору, по вышеуказанным причинам для микросборок формируется 2—3 слоя тонкопленочной разводки. Ограничен и размер микросборок — до 60X48 мм.

В связи с высокими диэлектрическими свойствами некоторых полимерных материалов, широко используемых в микроэлектронике (негативные фоторезис­торы на основе циклокаучука, полипиромеллитимидные лаки и др.), простотой их нанесения и создания рисунка с высокой разрешающей способностью, они широко применяются в технологии тонкопленочной многослойной разводки для микросборок. Однако по сравнению с неорганическими диэлектриками следует отметить несколько меньшую температурную устойчивость органических пленок (до 125° С) и их большую пористость, всвязи с чем необходимо использовать слой полимеров толщиной 4—6 мкм.

Одной из критичных операций в тонкопленочной технологии по созданию многоуровневой разводки микросборок является металлизация переходных от­верстий, соединяющих один металлический слой со слоем другого уровня. Реа­лизацией этой проблемы в тонкопленочной технологии является метод послой­ного глубокого анодного окисления. После нанесения слоя алюминия формиро­вание рисунка первого уровня коммутации проводится не фототравлением, а избирательным «сквозным> анодированием второго рода. Затем выполняется еще одно анодное окисление первого рода в местах, где должен проходить второй слой коммутации. Нанесение второго слоя коммутации (чаще всего алю­миния) и формирование его рисунка производится обычными способами. Од­нако ограничением метода создания тонкопленочной многоуровневой коммута­ции в настоящее время является необходимость проверки качества выполнения операции сквозного анодирования вследствие весьма большой вероятности сох­ранения в отдельных местах шунтирующих включений неокисленного алюминия, а также повышенное значение паразитной емкости между слоями. Предлагае­мые способы устранения этих ограничений пока еще достигаются либо сущест­венным увеличением трудоемкости изготовления, либо снижением плотности коммутации.

Коммутационные платы ячеек МЭА

Для создания коммутационных плат ячеек МЭА применяются многослойные печатные платы (для корпусных ИМС), а также многослойная керамика и многослойные платы на полиамидной пленке. Традиционная технология многослойных печатных плат (МПП) по-прежнему совершенствуется, причем плотность комму­тации и ее надежность возрастают, а себестоимость снижается. Как мы уже говорили, посадка ДИП-корпусов с шагом 2,5 мм не требует плотности линий более 1 мм^-1 и числа слоев более 4—6. "Уменьшение шага и поверхностный монтаж компонентов требуют увеличения плотности коммутации. В настоящее время технология МПП уже позволяет изготавливать проводники и зазоры шириной около 130—150 мкм, однако процент выхода таких плат невелик; при массовом производстве ширина линий и зазоров обычно не менее 200—250 мкм.

Кроме указанной ширины проводников МПП характеризуются и рядом других конструктивных особенностей. Важно отметить, что с уменьшением размеров элементов все в большей степени становятся взаимозависимыми допуски различных элементов — таких, как отверстия, контактные площадки, проводники, рассто­яния между проводниками, стенки отверстий и сквозные контакт­ные отверстия. Бессмысленно уменьшать ширину линий и зазоров сверх 200 мкм в то время как диаметр переходного отверстия, ко­торый создается механическим сверлением, составляет не менее 400—500 мкм, а соответственно укрепляющая отверстие контакт­ная площадка — 700X700 и даже 800X800 мкм (около 5 отверстий на см²). Несмотря на то, что субтрактивные методы формирования печатных плат по-прежнему преобладают, все же аддитивные ме­тоды находят все большее распространение.

В связи с все возрастающими требованиями увеличения плот­ности коммутации в субтрактивном методе формирования все ча­ще используется «тонкая» (9 мкм) и «сверхтонкая» (5 мкм) фоль­га. Это позволяет резко уменьшить боковое подтравливание линий, равное толщине слоя меди. В качестве основного материала печат­ных плат для высоконадежной аппаратуры применяется стекло-эпоксидная основа.

Повышение качества МПП происходит по следующим направлениям: учет усадки основы платы и отдельных слоев в процессе изготовления платы; локализация сильного влияния влагопоглощения и температуры на материал ос­новы; исключение рассеивания структуры основы; применение методов лазер­ного сверления отверстий.

Для удаления влаги используются три способа: хранение в контейнере с влагопоглощающим веществом, вакуумная обработка и хранение в камере, неп­рерывно продуваемой сухим азотом. Из этих способов больше всего времени требует первый. Вакуумная обработка и обдувка сухим азотом позволяют удалить абсорбированную влагу с примерно одинаковой скоростью. В промыш­ленных условиях обдувка сухим азотом — простейший и наиболее экономичный способ. После удаления влаги из материала до начала прессования его следует хранить в сухом азоте — время от момента извлечения из азотной среды до начала цикла прессования не должно превышать 5 мин.

Для обеспечения достаточного сопротивления расслаиванию также необхо­димо перед прессованием обрабатывать блестящее медное покрытие, чтобы сде­лать его достаточно шероховатым, обеспечивая условия для хорошего сцепле­ния (абразивная обработка и оксидирование меди в щелочном растворе).

Наивысшее сопротивление расслаиванию МПП, изготовленной из «конди­ционированных» заготовок, достигается в момент окончания цикла прессования, поскольку именно в это время в ней наиболее низкое содержание влаги. Сразу после прессования и перенесения платы во внешнюю среду абсорбция влаги возобновляется, что вызывает снижение сопротивления расслаиванию. Поэто­му до завершения процессов формирования МПП, включая защиту органичес­кими материалами, рекомендуется осуществлять межоперационное хранение в сухом азоте. Наибольшее сопротивление расслаиванию имеют стекло, полиимид — 6,3 мин при 300°С.

Отказы в местах переходных отверстий МПП, вызываемые расплющива­нием торцов внутренних проводящих слоев, наличием царапин от сверла, рас­плющивающего стекловолокно (заусенцы), в настоящее время встречаются ред­ко вследствие улучшения качеств сверла и совершенствования процесса сверления. Однако до сих пор серьезными факторами, ухудшающими качество от­верстий, остаются загрязнение стенок пропиточной смолой и растрескивание ме­таллического покрытия стенок. Для решения первой проблемы предлагаются различные пути. Наиболее очевидным представляется оптимизация параметров процесса сверления, тщательный контроль величины подачи сверла за один оборот и усилия нажатия шпинделя, ограничение числа отверстий, просверли­ваемых одним сверлом (1000, иногда 500), отказ от повторной заточки сверл. Необходимо также выдерживать требование, чтобы смола заготовок была отверждена до необходимой стадии по всей толщине. В некоторых зарубежных технологиях обязательной операцией является химическая очистка сквозных от­верстий с целью удаления смол и адгезивов, наволакиваемых сверлом на стенки отверстий. При такой очистке стравливаются не только смола, но частично и концы стеклянных волокон. В последнее время все большее распрост­ранение получает плазмохимическая очистка отверстий.

Что же касается второй проблемы — растрескивания покрытий стенок, — то здесь используются следующие приемы: регулярная обработка гальванических ванн углеродом, тщательный контроль концентрации - блескообразующих доба­вок (их избыток считается одной из важнейших причин растрескивания), повышение эластичности осаждаемой меди. Стойкость металлизированных пок­рытий к растрескиванию повышается автоматически и при повышении стойкости МПП к расслаиванию. Достаточно эффективным является также контроль тес­товых отверстий (по шлифам), изготавливаемых одновременно на той же заго­товке, что и МПП.

Так как стеклоэпоксид хорошо поглощает энергию на длине волны 10,6 мкм, доказана эффективность использования С0₂-лазера для сверления глухих отверстий в МПП диаметром 0,12—0,15 мкм и глубиной 0,15 мм. Эф­фективным является и контроль изменения размеров в процессе изготовления слоев МПП с целью их последующего учета в результате обоснованных упреж­дающих допусков на размеры элементов.

Примером эффективности учета всех вышеприведенных факторов служит технология изготовления прецизионных плат фирмы 1ВМ. В этой технологии сначала создается жесткая основа (плата питания) из двух медных слоев, изолированных двумя слоями стеклоэпоксида. Вторая пара изолирующих сло­ев и второй медный слой схемы добавляется последовательно с каждой сто­роны, образуя субсборку. Делаются два типа субсборок: один содержит две пары слоев сигнальных межсоединений, второй — пару слоев сигнальных меж­соединений на одной стороне и пару слоев питания на другой стороне (рис. 5.2). Обе субсборки соединяются между собой с соответствующим расстоянием между изолирующими слоями и слоями питания. Полученная структура свер­лится, и отверстия металлизируются для получения межслойных соединений.Каждый слой схемы содержит набор медных опорных точек, распределен­ных по площади 600X700 мм. Эти точки облучаются рентгеновскими лучами через шаблон для того, чтобы определить точное расположение каждого элемента платы. После сбора данных на большом количестве структур можно предсказать изменение размеров в каждом слое.

Контролируя температуру и влажность перед процессом фотопечати, мож­но осуществить надлежащую регулировку (юстировку) расположения элемен­тов на фотошаблоне и в процессе обработки, включая стабилизацию размеров платы на каждой стадии обработки. Субсборки могут быть забракованы из-за отсутствия надлежащих допусков на размеры (отклонение в размерах опреде­лялось рентгеновским методом), прежде чем они явятся Причиной брака всей платы. Еще более важно знать, имея данные о точности сверления, будет ли обеспечена необходимая изоляция в слоях или субсборка будет забракована до окончательного соединения в плату?

Контроль допусков на размеры печатных плат проводят, используя высо­коточную измерительную систему и прецизионный генератор фотошаблонов. Работа системы зависит от точной пробивки отверстий, четыре из которых раз­мещаются на средних ортогональных осях платы питания. Эти отверстия сох­раняются в процессе изготовления многослойных субсборок. Система отверстий обеспечивает свободу расширения и сжатия материала, когда он поглощает и выделяет влагу или когда релаксируются напряжения в стеклоэпоксиде при нагревании и термообработке. Каждый инструмент (например, сверло) содер­жит четыре опорных штыря, которым точно соответствуют отверстия.

Измерения проводят с помощью модифицированного калиброванного инст­румента, снабженного оптической головкой и записывающим механизмом. С помощью этой системы можно измерять шаблон, а также расположение про­сверленных отверстий я следить за изменениями размеров во время обработки с точностью приблизительно до 2,5 мкм. Изменения размеров, вызванные погло­щением влаги, могут достигать 0,1 мм. Как уже указывалось ранее, материал сушится до компоновки субсборок для обеспечения их соответствующего сов­мещения.

Контроль изоляции выполняется с помощью быстродействующей системы сканирования, похожей на телевизионную, которая автоматически определяет положение отверстия и сканирует периметр каждого вытравленного отверстия в плате питадия. Для усиления контраста между медным слоем и стеклоэпок-сидом изоляция платы питания пропитывается краской. Система управляется компьютером для выбора мест (например, остатки меди), которые не соответ­ствуют заданному коэффициенту отражения. Эти места на плате затем прове­ряются автоматически на координатном столе для исправления или забраковки. Контроль каждого слоя платы питания.при напряжении 1300 В также обеспе­чивает надежность изоляции между слоями.

После формирования рисунка схемы субсборки на первом и втором уров­нях системы прессуются в вакууме для удаления остатков воздуха, который мо­жет образовать внутренние пустоты. С целью уменьшения дефектов оптими­зированы технологические режимы прессования: давление, температура, время выдержки при обязательном контроле текучести смолы в склеивающих прок­ладках. Плотность дефектов (внутренних пузырей) уменьшается на два по­рядка по сравнению с безвакуумным прессованием.

Печатные проводники получают химической металлизацией по рисунку проявленного фоторезиста. Для обеспечения необходимой адгезии к основанию приклеивается сверхтонкая медная фольга с адгезионным слоем на ней, а за­тем формируется рисунок фоторезиста на этой медной основе. Затем осаждается химическая медь, удаляется фоторезист, а тонкая медь вытравливается. При таком методе адгезия оказывается такой же, как на стандартных платах, полученных травлением медной фольги.

Следующим этапом в формировании межсоединений является создание ла-мината на другом слое стеклоэпоксида и меди, который является, в свою оче­редь, началом второй пары сигнальных слоев. Соединение между двумя сиг­нальными слоями осуществляется металлизацией стенок отверстий 0 0,12— 0,15 мм, полученных лазером на СОг мощностью 30 Вт. Фокусирующие го­ловки лазера устанавливаются на станке, похожем на сверлильный. Импульсы лазера проходят в субсборку через небольшие отверстия, предварительно про­травленные в тонком слое меди. Луч лазера сублимирует изоляцию, отражаясь от контактных площадок первого слоя межсоединений. Отверстия очищаются высокоскоростной струей, содержащей частицы 5Ю₂. Полученные отверстия металлизируются. Одновременно формируется второй слой межсоединений. Обе стороны субсборки (полупакета) металлизируются одновременно, завершая тем самым соединение двух пар сигнальных слоев. Что касается другого типа сборки, то пара сигнальных слоев формируется только на одной стороне пла­ты, в то время как на другой стороне размещается пара слоев с цепями пи­тания.

Для выявления остатков меди на расстоянии 0,05 мм от линий межсоедине­ний используется метод автоматического оптического сканирования. Разрывы межсоединений также проверяются сканированием, но разрешающая способ­ность такого контроля ограничена. После того как субсборка изготовлена, про­водится электрический контроль всех межсоединений на разрывы и короткие замыкания.

Два типа вышеописанных субсборок вместе с тремя парами слоев питания и внешними (наружными) слоями ламинируются (впрессовываются) в 20-слой-ную структуру. Внешние слои изготавливаются из тонкой меди, подготовленной для формирования схемы, как описано выше.

Сверление отверстий в собранной плате осуществляется двумя этапами. На первом этапе используется короткое сверло для установки места отверстия. Отклонение размеров при сверлении сохраняется в пределах 0,076 мм. Отвер­стия очищаются с помощью высокоскоростной струи абразивного материала, а затем обрабатываются химически. Эпоксидная смола удаляется, а медь страв­ливается до толщины 0,0125 мм. Остатки эпоксидной смолы удаляются повтор­ной обработкой абразивным материалом. Металлизация отверстий (с соотно­шением 11:1) выполняется методом химического и гальванического осаждения. Автоматический контроль состава ванны помогает достичь высокой скорости осаждения и чистоты гальванического покрытия. В результате получают хоро­шую структуру и прочность слоя меди.

Для определения отдельных дефектов все отверстия сканируются рентге­новскими лучами и результаты сканирования фиксируются на фотографической бумаге. Сканирование рентгеновскими лучами повторяется снова после пайки, так как небольшие пустоты или дефекты в металлизации затрудняют смачива­ние припоем всей стенки отверстия. Таким образом, сканирование рентгеновс­кими лучами используется для того, чтобы решить вопрос о выбраковке для тех или иных металлизированных сквозных отверстий. Такие отверстия ремон­тируются путем припайки перемычек на поверхности платы в соответствующих местах. Поверхность плат защищается избирательно фоточувствительной эпоксидной смолой.

Хотя трудоемкость и стоимость изготовления указанных МПП, естествен­но, выше, нежели изготовленных по обычной технологии, их характеристики значительно превышают обычные стандарты. Такие платы целе­сообразно применять не для монтажа корпусных ИМС, а для монтажа бес­корпусных ИМС на полимерных носителях, либо для сборки ячеек МЭА в блок. Многослойные керамические платы для ячеек МЭА изготавли­ваются спеканием алунда со• стеклом при температуре около 1500° С, поэтому проводники делают из паст, содержащих туго­плавкий материал молибден, хотя он имеет удельное объемное сопротивление почти в три раза больше, чем у меди.

Изготовление многослойной керамической подложки начинает­ся с отливки отдельных слоев. Порошки керамики и стекла сме­шиваются с органическим связующим веществом и растворителем, образуется жидкая консистенция, которая наносится на движущий­ся пластмассовый транспортер и проходит под специальным но­жом, который придает слою определенную толщину. В сушильной печи из слоя удаляется растворитель. Из полотна вырезаются квадратные заготовки соответствующего размера. Для удобства выполнения последующих операций в углах каждого листа проби­ваются отверстия для совмещения. Пробивка сквозных отверстий обычно выполняется на быстродействующей многопуансонной пер­форационной установке, управляемой ЭВМ. В штампе установ­лено сразу несколько пуансонов, которые размещены на сетке с определенным шагом. При каждом срабатывании инструмента од­но отверстие пробивается в одной и той же позиции, затем весь лист слегка сдвигается и пробиваются следующие отверстия.

Металлические соединения наносятся на сырые листы методом трафаретной печати. Через металлическую маску, на которой на­несен рисунок соединений, продавливается паста из молибдена, связующего вещества и растворителя. Паста наносится под дав­лением и поэтому заполняет также пробитые в листах сквозные отверстия. После этого металлизированные листы сушатся и про­веряются. Выявление дефектов в отдельных листах до того, как из них будет собрана полная подложка, играет очень важную роль в получении 'высокого процента выхода годных изделий в данном технологическом процессе.

Листы, прошедшие проверку, собираются в определенной по­следовательности в пакеты и спрессовываются под высоким давле­нием при 75° С. Сквозные отверстия в слоях должны совпадать, по­этому, точный контроль размеров и совмещения листов крайне не­обходим. Спрессованная сырая подложка подгоняется под нужный внешний размер и затем проходит длительный цикл отжига, во время которого происходит постепенный нагрев до максимальной температуры свыше 1500°С в атмосфере водорода.

Скорость повышения температуры при нагреве необходимо тща­тельно контролировать; при слишком высокой скорости органическое связующее вещество будет разлагаться быстрее, чем продук­ты распада успеют продиффундировать к поверхности, й подлож­ка может расслоиться. Во время спекания все линейные разме­ры подложки уменьшаются примерно на 17%, так что ее полный объем становится меньше примерно на 40%. С учетом того, что размеры окончательного изделия должны быть выдержаны с же­сткими допусками, очевидно, степень уменьшения линейных раз­меров должна быть точно известна при первоначальном нанесе­нии всех рисунков на сырые листы. После завершения изготовле­ния подложки она контролируется на целостность цепей на авто­мате. Открытые участки металлизации часто покрывают электро­химическим слоем никеля или золота и обслуживают. В табл.1 приведены сводные характеристики многослойных керамических плат.

Таблица 1