- •Тема 1. Комплексная микроминиатюризация и автоматизированные
- •Цели и задачи микроэлектронной аппаратуры
- •Основные пути выбора конструктивно-компоновочной схемы и методов монтажа мэа
- •Элементная база и ее влияние на конструкцию мэа
- •Корпусированная элементная база
- •Динамика развития основных исходных конструкторских
- •Бескорпусная элементная база
- •Исходные данные задания
- •Порядок выполнения задания
- •Пример выполнения задания практического занятия
- •Результаты, полученные при выполнении задания
- •Тема 2. Конструктивные исполнения и современные технологии сборки элементной базы.
- •Микросхемы, элементы, компоненты
- •Классификация микросхем
- •Современные корпуса дискретных полупроводниковых приборов или их сборок
- •Современные корпуса дискретных полупроводниковых приборов или их сборок
- •Бескорпусная элементная база
- •Имс с проволочными выводами
- •Термокомпрессионная сварка
- •Сварка с косвенным импульсным нагревом
- •Кристаллы с балочными выводами
- •Имс с организованными шариковыми выводами
- •Имс с организованными выводами на гибком носителе
- •Классификация типов ленточных носителей
- •Одноточечная автоматизированная сборка на ленту-носитель
- •Резисторы
- •Основные сведения об объемных резисторах
- •Конденсаторы
- •Относительные диэлектрические проницаемости
- •Катушки индуктивности
- •Технология монтажа пассивных компонентов
- •Практическое занятие оптимизация технологических режимов процесса микроконтактирования бескорпусных кристаллов сбис в электронных устройствах с высокоплотным монтажом
- •Теоретические сведения Элементная база для сборки и монтажа мэу
- •Оценка и анализ качества микроконтактирования
- •Порядок выполнения заданий
- •Примеры выполнения заданий практического занятия Задание 1
- •Задание 2
- •Тема 3. Многоуровневые коммутационные системы.
- •Монтаж микросборок и ячеек мэа
- •Сводные характеристики многослойных керамических плат
- •Типы печатных плат
- •Двухсторонние печатные платы
- •Многослойные печатные платы
- •Гибкие печатные платы
- •Рельефные печатные платы (рпп)
- •Характеристики рельефных плат
- •Сравнение технологических и стоимостных характеристик рельефной и многослойной печатной платы
- •Гибкие печатные платы
- •Основные элементы конструкции гибких печатных плат
- •Полиимидные пленки
- •Адгезивы
- •Гибко-жёсткие печатные платы
- •Миниатюрные охлаждающие агрегаты
- •Радиаторы
- •Теплопроводящие трубки
- •Углеродные нанотрубки
- •Охлаждение элементом Пельтье
- •Плоские теплоотводы
- •Охлаждение микросхем распылением на них жидкости
- •Капиллярная система теплоотвода ibm
- •Особенности обеспечения теплоотвода в теплонапряженных модулях
- •Обеспечение теплоотвода при монтаже высокоскоростных модулей на основе бескорпусных бис
- •Конструкции и компоновочные схемы радиоэлектронных ячеек
- •Особенности конструктивно-технологических принципов построения мэа свч диапазона и источников вторичного электропитания.
- •Особенности монтажа микросборок и ячеек свч диапазона.
- •Теоретические сведения
- •Сравнительные параметры мкп, выполненных по различным технологиям
- •Исходные данные заданий
- •Пример выполнения задания практического занятия
- •Тема 4. Технологии внутриячеечного монтажа.
- •Лекция 18. Паяные соединения. Особенности и способы пайки. Бесфлюсовая пайка. Контроль качества. Бессвинцовая технология пайки. Общее понятие процесса пайки и паяных швов.
- •Технология пайки
- •Основный виды пайки.
- •Способы пайки.
- •Типы паяных соединений.
- •Подготовка деталей к пайке и пайка.
- •Дефекты паяных соединений и контроль качества. Типы дефектов паяных соединений.
- •Контроль качества.
- •Возможные дефекты
- •Выбор припойной пасты.
- •Состав припойных паст.
- •Характеристики частиц в припойных пастах.
- •Свойства флюсов.
- •Трафаретный метод нанесения припойной пасты.
- •Диспенсорный метод нанесения припойной пасты
- •Нанесение припойной пасты.
- •Результаты выполнения задания
- •Тема 5. Конструкторско-технологические особенности
- •Лекция 24,25. Герметизация компонентов рэа. Способы контроля герметичности.
- •Структура процесса герметизации
- •Входной контроль
- •Приготовление герметизирующего состава
- •Подготовка герметизируемого изделия
- •Герметизация изделий
- •Сварка.
- •Пропитка
- •Обволакивание
- •Заливка
- •Опрессовка
- •Герметизация капсулированием
- •Герметизация в вакуум-плотных корпусах
- •Практическое занятие герметизация эвс и их конструктивов
- •Теоретические сведения
- •Исходные данные задания
- •Пример выполнения задания практического занятия
- •Порядок выполнения задания
- •Пример выполнения задания практического занятия
Задание 2
Методику моделирования распределения температур в зоне микроконтактирования (см. табл. 1.5) рассмотрим в последовательности, рекомендуемой в разделе “Порядок выполнения заданий”.
1) Определяем количество подводимого тепла к контактной площадке по следующей формуле:
2) Вычисляем значения коэффициентов температуропроводности ( ) и температуроотдачи ( ) по формулам, приведенным ниже:
3) Рассчитываем температуру в центре контактной площадки при времени воздействия t=0,05с, пользуясь формулой:
4) Определяем значение температуры на краях контактной площадки (при этом считаем, что контактная площадка квадратной формы, а центр контактной площадки принимаем за ноль):
5) Построим график распределения температуры в зоне микросварки в зависимости от размеров контактной площадки T(r), задавая значения r (на прямой линии, проходящей через центр площадки по обе стороны от её центра) в пределах поля площадки (10-3м х 10-3м) для данного варианта (рис. 1.2).
Результаты выполнения обоих заданий сведены в табл. 1.10, составленной по форме табл. 1.8.
Рис. 1.2. График зависимости температуры от размеров контактной площадки в зоне микросварки (в качестве нулевого отсчета принимаем центр контактной площадки)
Таблица 1.10
Результаты выполнения заданий 1 и 2
Обозначение параметра |
Варьируемые факторы ТП |
Численные значения параметров |
|
Инстр.1, реж1. |
35,33 |
Инстр.1, реж2. |
33 |
|
Инстр.1, реж3. |
33,67 |
|
Инстр.2, реж1. |
37,33 |
|
Инстр.2, реж2. |
34,67 |
|
Инстр.2, реж3. |
35,33 |
|
R |
Инстр.1, реж1. |
5 |
Инстр.1, реж2. |
9 |
|
Инстр.1, реж3. |
6 |
|
Инстр.2, реж1. |
8 |
|
Инстр.2, реж2. |
10 |
|
Инстр.2, реж3. |
6 |
|
|
Инстр.1, реж1. |
0,067 |
Инстр.1, реж2. |
0,222 |
|
Инстр.1, реж3. |
0,222 |
|
Инстр.2, реж1. |
0,292 |
|
Инстр.2, реж2. |
0,033 |
|
Инстр.2, реж3. |
0,056 |
|
Q(U), Дж |
________ |
72,83 |
а10-5, м2/с |
________ |
5,91 |
b, 1/с |
________ |
72,48 |
T(0), K |
________ |
498,6 |
T(r/2), K |
________ |
488,2 |
Выводы:
1. С учетом значения критического усилия отрыва был выбран для монтажа БК на КП полиимидный носитель фольгированный алюминием, поэтому структура токопроводящей системы данного изделия содержит электропроводящие материалы:
Cr-Cu-Sn/Bi (покрытие КП платы);
Sn-Cu-Cr (облуживающее покрытие вывода носителя в зоне монтажа);
Al (вывод носителя);
Al (материал контактной площадки кристалла).
2. С помощью статистической экспресс-методики оценки качества микроконтактирования были проведены расчеты и определены наилучшие режимы микроконтактирования для каждого инструмента, а также был выбран наилучший инструмент для микросварки.
3. Температура в центре контактной площадки при микроконтактировании максимальная. Распределение температуры по контактной площадке является симметричным, что показано на рис. 1.2.
4. Все параметры, которые требовалось определить, найдены, и задания можно считать выполненными в полном объеме.