Порядок выполнения заданий

1. Определить электропроводящие материалы, используя критическое усилие отрыва (а) (см. табл. 1.3 и табл. 1.1).

2. Представить данные табл. 1.3 в виде табл. 1.2 и выполнить необходимые вычисления (пользуясь формулами (1.1) и (1.2)).

Таблица 1.3

Исходные данные к заданию 1

Усилие отрыва (сдвига), г						Критическое усилие отрыва (а), г
Для первой разновидности микросварочного инструмента			Для второй разновидности микросварочного инструмента
Режим 1	Режим 2	Режим 3	Режим 1	Режим 2	Режим 3
33 38 35	28 34 37	31 37 33	42 36 34	34 40 30	36 32 38	35

Таблица 1.4

Значения граничного критерия для разных уровней достоверности

Количество измерений, n	Уровень достоверности, %
	95	99
3	0,885	2,111

3. С учетом табличных значений граничных критериев (см. табл. 1.4) проанализировать расчетные критерии оценки экспериментальных данных (см. табл. 1.2) и выбрать оптимальный режим и лучший инструмент для микроконтактирования.

4. Изобразить структуру организованного вывода кристалла либо структуру межсоединения в системе БК – КП, либо фрагмент конструкции кристаллодержателя на КП.

5. Используя данные табл. 1.5 определить параметры , , b, , в соответствии с формулами (1.4)…(1.7) и пользуясь сведениями табл. 1.6 и 1.7.

6. Построить график зависимости .

7. Сформулировать выводы, аргументированно отразив в них:

− какие выбраны материалы в составе токопроводящей системы кристаллодержатель – КП;

− какой инструмент более эффективен для выбранного способа микросварки;

− указать характер зависимости распределения температуры от размера контактной площадки и приемлемость рассчитанного режима для заданных материалов в сопряженной системе.

Таблица 1.5

Исходные данные к заданию 2

Материал диэлектрического основания носителя выводов	Полиимид
U, B	60
h, мм	0,07
r, мкм*	1000

* - контактные площадки приняты квадратными.

Таблица 1.6

Характеристики материалов (к заданию 2)

Материал основания носителя (ОН)	Нагрево-стойкость ОН, оС	Плотность ОН ρ, кг/м3	Теплоемкость ОН с, Дж/(кг·К)	Теплопроводность ОН , Вт/(м·К)	Материал контактной площадки носителя (КПН)	Теплопроводность материала КПН , Вт/(м·К)
Полиимид	250	1400	1070	0,2	Cr-Cu+Sn/Bi	88,6

Таблица 1.7

Данные для расчета параметров задания 2

Постоянные параметры	Обозначение	Численное значение	Размерность
КПД		0,85	отн. ед.
Сопротивление микросварного контакта	R	1	Ом
Длительность импульса		0,1	c
Коэффициент теплоотдачи		3800	Дж/(м2·с·К)
Время воздействия	t	0,05	c

Форма табл. 1.8

Результаты, полученные при выполнении заданий 1 и 2

Обозначение параметра	Варьируемые факторы ТП	Численные значения параметров
	Инстр.1, реж1.
	Инстр.1, реж2.
	Инстр.1, реж3.
	Инстр.2, реж1.
	Инстр.2, реж2.
	Инстр.2, реж3.
R	Инстр.1, реж1.
	Инстр.1, реж2.
	Инстр.1, реж3.
	Инстр.2, реж1.
	Инстр.2, реж2.
	Инстр.2, реж3.
	Инстр.1, реж1.
	Инстр.1, реж2.
	Инстр.1, реж3.
	Инстр.2, реж1.
	Инстр.2, реж2.
	Инстр.2, реж3.
Q(U), Дж
а10-5, м2/с
b, 1/с
T(0), K
T(r/2), K