
- •Полупроводниковые приборы. Классификация. Область применения.
- •Полупроводниковые диоды. Классификация. Область применения.
- •Полупроводниковые транзисторы. Классификация. Область применения.
- •Полупроводниковые резисторы. Классификация. Область применения.
- •Фотоэлектрические приборы. Классификация. Область применения.
- •Аналоговые усилители. Классификация. Основные характеристики и параметры.
- •Избирательные усилители. Усилители постоянного тока. Усилители мощности. Область применения.
- •Стабилизаторы напряжения. Классификация. Параметры. Область применения.
- •Логические операции. Схемная реализация.
- •Цифровые устройства. Классификация. Комбинационные цу. Дешифраторы. Шифраторы, мультиплексоры, демультиплексоры.
- •Комбинационные сумматоры.
- •Триггера. Классификация. Область применения.
- •Регистры и счетчики. Классификация. Схемы. Область применения.
- •Цифро-аналоговые преобразователи. Назначение. Принцип работы. Матрица r-2r. Область применения.
- •Аналого-цифровые преобразователи. Классификация. Область применения. Параллельные ацп. Ацп поразрядного взвешивания.
- •Интегрирующие ацп. Ацп двойного интегрирования
- •Таймеры. Классификация. Область применения.
- •Источники вторичного напряжения. Структурные схемы. Выпрямители и фильтры.
- •Транзисторный усилительный каскад с общим эммитером
- •Дискретные цифровые сар: математическое описание, z передаточные функции.
- •Анализ дискретных сар
- •23. Логарифмические частотные характеристики сар.
- •24. Переходные функции и переходные характеристики сар. Реакция сар на произвольный входной сигнал
- •25.Типовые звенья сар и их частотные и временные характеристики Апериодическое звено
- •Интегрирующее звено
- •26. Устойчивость линейных сар: определение, теоремы Ляпунова, алгебраический критерий устойчивости Гурвица.
- •27. Частотные критерии устойчивости линейных сар
- •28. Анализ качества линейных сар.
- •29. Синтез корректирующих устройств линейных сар.
- •30. Анализ нелинейных сар.
- •31. Показатели качества эс
- •33. Себестоимость и уровень качества эс
- •34. Корреляционная связь показателей эc Диаграмма разброса (поле корреляции)
- •35. Метод расслаивания чм.
- •36. Метод «авс-анализ»
- •Складские запасы изделий
- •37. Виды статистического контроля эс
- •38. Количественные показатели надежности эс
- •39. Последовательная модель надежности
- •40. Параллельная модель надежности эс
- •41. Основные этапы автоматизации: их характеристики и особенности.
- •42. Назначение, классификация и области применения роботов
- •43. Манипуляционные роботы: типы, характеристики, применение
- •44. Структура механизмов манипуляц-х роботов и характеристики их геом. Свойств
- •45. Приводы манипуляторов и роботов: классификация, особенности применения
- •46. Конструкции схватов промышленных роботов(пр), особенности применения
- •47. Проектирование архитектуры интегрированной компьютерной системы управления (иксу)
- •48. Описание технологического процесса как объекта автоматизированного управления
- •49. Описание производственного процесса как объекта автоматизированного управления: реализации арм различных уровней
- •50. Выбор датчиков тп:типы измерительных устройств, подключение
- •51. Теорема Котельникова (теорема отсчетов). Квазидетерминированные сигналы.
- •52. Преобразование измерительных сигналов. Виды модуляций
- •53. Цифровые частотомеры
- •54. Цифровые фазометры
- •55. Цифровые вольтметры (цв) временного преобразования
- •56. Микропроцессорные цифровые измерительные приборы.
- •57. Резистивные датчики (реостатные, тензорезисторы)
- •58. Электромагнитные датчики (индуктивные, трансформаторные, магнитоупруние).
- •59. Пьезоэлектрические датчики
- •60. Тепловые датчики (термопары, термометры сопротивления).
- •61. Организация и этапы разработки конструкторских документов.
- •62. Виды кд.
- •63. Стандартизация и бнк.
- •64. Виды и типы схем, обозначения по ескд.
- •65. Методы компоновки конструкции эвс.
- •66. Климатические зоны и категории исполнения.
- •67. Способы защиты эвс от влаги.
- •Примеры конструкций средств защиты
- •68. Защита эвс от механических воздействий.
- •Рекомендации по защите рэа от вибрационных воздействий
- •69. Способы обеспечения теплового режима эвс.
- •70. Электромагнитные воздействия. Виды экранов.
- •Экран из ферромагнитного материала с большой магнитной проницаемостью (метод шунтирования экраном).
- •71. Виды линий связи.
- •72. Особенности конструирования бортовых эвс.
- •73. Особенности конструкций персональных эвм.
- •74. Унификация. Разновидности стандартизации.
- •Разновидности стандартизации
- •75. Требования к трассировке пп
- •76. Электромонтажные провода. Припои и флюсы.
- •77. Волоконно-оптические линии связи (волс). Примеры использования.
- •78. Эргономические требования к пультам и органам управления и сигнализации
- •79. Эргономика конструирования лицевой панели прибора.
- •80. Защита эс от воздействия радиации.
- •81. Производственный и технологический процесс и их составляющие
- •82. Исходные данные для разработки технологических процессов. Основные этапы разработки единичного технологического процесса.
- •83. Требования к оформлению технологической документации. Примеры записи технологических операций.
- •84. Основные методы изготовления печатных плат и их особенности
- •85. Конструктивно-технологические разновидности радиоэлектронных узлов и их сопоставительный анализ.
- •86. Основные технологические операции при изготовлении радиоэлектронных узлов с монтажом на поверхность
- •87. Нанесение паяльной пасты и клея и используемое при этом оборудование
- •88. Принципы организации работы сборочных автоматов
- •89. Особенности выполнения пайки при изготовлении электронных модулей ( пайка оплавлением, волной припоя, селективная пайка).
- •90. Особенности выполнения ремонтных работ: демонтаж и монтаж компонентов.
- •91. Материалы, используемые в технологии монтажа на поверхность.
- •92 Виды соединительных операций при сборке.
- •94. Соединение пайкой: разновидности, области применения, примеры выполнения паяных соединений.
- •95. Разработка схемы сборки изделий.
- •96. Нормирование затрат времени при проектировании технологических процессов (штучное и подготовительно-заключительное время, определение такта и ритма выпуска изделий).
- •97. Изготовление деталей эс методом литья
- •98. Разделительные и формообразующие операции холодной штамповки
- •99. Общая характеристика методов формообразования материалов и деталей при производстве эс
- •100. Изготовление электронных модулей по технологии внутреннего монтажа.
- •101. Приведите структуру контроллера (микроЭвм) с раздельными шинами адрес/данные и следующим составом:
- •102. Укажите место на структурной схеме эвм различных интерфейсов. Как объединять эвм в систему? Какие условия следует выполнить при передаче данных? Обоснуйте.
- •103.Расставьте по убыванию значимости параметры эвм по критерию производительности. Охарактеризуйте эти параметры.
- •105. Сопоставьте принципы печати лазерного и струйного принтеров, опишите и сравните их.
- •107. Выберите способ обмена данными между процессором и внешним устройством. Обоснуйте выбор. Напишите процедуру ввода или вывода данных в память эвм в мнемонике команд (уровень ассемблера).
- •108. Приведите основные архитектурные варианта построения операционных систем. Поясните понятие «виртуальная машина»
- •110. Спроектировать устройство микропрограммного управления автономного типа. Источник управляющих кодов – счетчик микрокоманд, число состояний счетчика – 32. Разрядность регистра микрокоманд – 24
- •112. Прерывания как способ изменения адреса в управляющей команде. Привести пример системы прерывания. Описать процедуру опознавания запроса на прерывание с маскированием
- •С линией запроса
- •113. Системы памяти эвм. Назначение каждого типа элементов памяти и место его в иерархии. Что дает для характеристик эвм каждый тип элементов памяти
- •114. Память программ. Виды носителей. Жесткие диски и их твердотельные аналоги
- •115. Компиляторы. Назначение компиляторов, их виды. Последовательность процедуры компиляции
- •116. Контроль информации при последовательной передаче двоичного кода. Методы контроля. Контроль передачи информации при обмене словами (байтами). Методы.
- •117. Приведите основные структуры объединения процессоров в многопроцессорных системах. В чем суть ограничений архитектуры Фон-Неймана
- •118. Сравните структуры двух мпк, имеющих организацию smp и mpp. Приведите их структурные схемы
- •119. Сравните характеристики двух последовательных интерфейсов rs-232с и usb. Приведите структурную организацию интерфейсов и формат передаваемых данных
- •121. Основные понятия процесса проектирования систем управления. Цель процесса проектирования.
- •122. Системный подход к проектированию.
- •123. Структура процесса автоматизированного проектирования
- •124. Основные типы автоматизированных систем, разновидности сапр.
- •Структура сапр
- •125. Стадии проектирования автоматизированных систем и аспекты их описания.
- •126. Особенности проектирования автоматизированных систем.
- •127. Понятие о cals-технологиях.
- •128. Открытые системы.
- •129. Техническое обеспечение систем автоматизированного проектирования
- •130. Типы сетей, методы доступа в сетях, протоколы и стеки протоколов в вычислительных сетях
- •Стеки протоколов и типы сетей в ас
- •131. Сапр систем управления
- •132. Автоматизация управления предприятием, логистические системы.
- •133. Асутп, автоматизированные системы делопроизводства.
- •Автоматизированные системы делопроизводства
- •134. Математическое обеспечение анализа проектных решений.
- •135. Компоненты математического обеспечения, структура вычислительного процесса анализа.
- •136. Математические модели в процедурах анализа на макроуровне
- •137. Математическое обеспечение анализа на микроуровне
- •138. Математическое обеспечение анализа на функционально-логическом уровне
- •139. Математическое обеспечение на системном уровне
- •140. Математическое обеспечение подсистем машинной графики и геометрического моделирования.
- •141. Схемы мультивибратора на транзисторах и оу.
- •142. Схема одновибратора на транзисторах.
- •144. Повторитель на оу
- •145. Двухтактный трансформаторный усилитель мощности, работающий в режиме ав.
- •150. Генератор гармонических колебаний на транзисторах.
- •151. Архитектурные принципы Фон-Неймана. Ограничения.
- •152. Основные понятия информационно-вычислительных систем, классификация по критерию потоков информации
- •153. Совмещение операций и многопрограммная работа. Режим работы в реальном времени
- •154.Типы структур многопроцессорных вс. Параллельные эвм, классификация. Три архитектурных класса машин
- •Классификация по программной организации
- •Классификация по архитектуре
- •155. Принципы ввода-вывода информации в пэвм. Роль и структура контроллера ввода информации
- •Принцип ввода-вывода информации в пэвм. Роль и структура контроллера ввода информации
- •156. Программная реализация ввода чисел с клавиатуры. Привести алгоритм ввода двухразрядного числа с клавиатуры для его суммирования с другими числами
- •157. Вывод и.На дисплей.Принципы отображения информации на экране дисплея. Lcd-дисплеи
- •158. Процедура вывода символьной информации на дискретные индикаторы.
- •159. Загрузчики. Процедура загрузки. Статистические и динамические загрузки.
- •160. Управление реальной памятью. Виртуальная память. Таблица соответствия адресов
Полупроводниковые приборы. Классификация. Область применения.
- Полупроводниковые диоды;
- Полупроводниковые транзисторы;
- Полупроводниковые резисторы;
- Приборы с зарядной связью;
- Полупроводниковые лазеры;
- Оптоэлектронные приборы;
- Микросхемы;
Принцип работы П/П приборов определяется электронно-дырочным переходом.
Полупроводниковым диодом называется прибор с двумя выводами и одним p-n переходом. Принцип работы полупроводникового диода основан на использовании односторонней проводимости, электрического пробоя и других свойств p-n перехода. Диоды различают по назначению, материалу, конструктивному исполнению, мощности и другим признакам.
Биполярным транзистором называется полупроводниковый прибор с двумя взаимодействующими p-n переходами. Биполярные транзисторы различаются по структуре. В зависимости от чередования областей различают биполярные транзисторы типа “p-n-p” и “n-p-n”.
Полевые транзисторы. Полевым транзистором называется транзистор, в котором между двумя электродами образуется проводящий канал, по которому протекает ток. Управление этим током осуществляется электрическим полем, создаваемым третьим электродом. Электрод, с которого начинается движение носителей заряда, называется истоком, а электрод, к которому они движутся, стоком. Электрод, создающий управляющее электрическое поле, называется затвором. Различают два типа полевых транзисторов: с управляющим p-n переходом и с изолированным затвором (МДП-транзисторы). По типу электропроводности полевые транзисторы подразделяются на транзисторы с каналами "p" и "n" типов.
Полупроводниковые резисторы нашли широкое применение в электронных приборах. К ним относятся терморезисторы, магниторезисторы, варисторы, фоторезисторы. Принцип действия таких приборов основан на изменении свойств полупроводниковых материалов при воздействии на них температуры, магнитного и электрического полей, электромагнитного излучения.
Все п/п приборы делятся:
1.по технологии изготовления (из кремния, германия, арсенида галлия);
2.по принципу действия:
п/п диоды: выпрямительные, СВЧ, импульсные, смесительные, стабилитроны, стабисторы. Фотодиоды, светодиоды, тиристоры, денисторы.
транзисторы: биполярные, полевые
п/п резисторы: терморезисторы, магниторезисторы, варисторы, фоторезисторы.
Полупроводниковые диоды. Классификация. Область применения.
Полупроводниковым диодом называется прибор с двумя выводами и одним p-n переходом. Принцип работы полупроводникового диода основан на использовании односторонней проводимости, электрического пробоя и других свойств p-n-перехода.
В зависимости от технологии изготовления различают точечные диоды, сплавные, микросплавные, эпитаксиальные и другие.
По функциональному назначению диоды делятся на выпрямительные, универсальные, импульсные, смесительные, СВЧ, стабилитроны, стабисторы, варикапы, динисторы, тиристоры, симисторы, фотодиоды, светодиоды и т.д.
По конструктивному исполнению диоды бывают плоскостные и точечные.
По используемому материалу - кремниевые, германиевые, арсенидгаллиевые. Диоды обладают односторонней проводимостью и служат: для выпрямления переменного тока, стабилизации тока и напряжения, формирования импульсов, для регулирования мощностей и т.д.
Выпрямительные диоды применяются для преобразования переменного тока в постоянный. Они делятся: на маломощные (до 0,3А), средней мощности (до 10А), мощные (более 1000А), низкочастотные (до 1кГц) и высокочастотные (до 100кГц).
Свойства выпрямительных диодов характеризуются вольтамперной характеристикой и параметрами, которые приводятся в справочной литературе.
Основные параметры диодов (рис.4.):
средний выпрямленный ток Jср,
прямое падение напряжения Uпр
обратный ток диода при заданной температуре Jобр.,
напряжение отсечки Uотс.,
мощность рассеивания Ррас.,
рабочая частота fр. и др.
Рисунок 4 – ВАХ выпрямительного диода
Диоды обладают односторонней проводимостью и служат: для выпрямления переменного тока, стабилизации тока и напряжения, формирования импульсов, для регулирования мощностей и т.д.
Выпрямительные диоды применяются для преобразования переменного тока в постоянный. Они делятся: на маломощные (до 0,3А), средней мощности (до 10А), мощные (более 1000А), низкочастотные (до 1кГц) и высокочастотные (до 100кГц).
Свойства выпрямительных диодов характеризуются вольтамперной характеристикой и параметрами, которые приводятся в справочной литературе.
Основные параметры диодов средний выпрямленный ток Jср ,прямое падение напряжения Uпр ,обратный ток диода при заданной температуре Jобр., напряжение отсечки Uотс., мощность рассеивания Ррас., рабочая частота fр. и др.
С
табилитроны
– это разновидность диодов, предназначенных
для стабилизации напряжения. Вольт –
амперная характеристика стабилитрона
имеет вид. Рабочий участок характеристики
АВ лежит в области электрического пробоя
диода и характеризуется малым изменением
напряжения Uст
при значительных изменениях тока.
Стабисторы, как и стабилитроны, предназначены для стабилизации напряжения. Однако, в отличие от последних, рабочим участком у них является прямая ветвь вольт–амперной характеристики. Стабисторы работают при прямом напряжении и позволяют стабилизировать малые напряжения (0,351,9)В.
Варикапы – это полупроводниковые диоды, емкость которых меняется при изменении обратного напряжения.
На рис.13 приведена вольт – амперная и емкостная характеристика варикапа.
Емкость варикапа увеличивается с уменьшением обратного напряжения.
Основными параметрами варикапа являются:
— емкость варикапа при заданном обратном напряжении Св ,
— коэффициент перекрытия по емкости Кв=Св.мак/Свмин.
— сопротивление потерь rп ,
— добротность Qв ,
— температурный коэффициент емкости.
Варикапы применяются в резонансных схемах для изменения резонансной частоты генераторов, усилителей и т.д.