- •Министерство образования и науки украины
- •1. Строение атома
- •1.2. Некоторые сведения из квантовой механики
- •1.3. Уравнение Шредингера для атома водорода
- •1.4. Спин электрона
- •1.5. Атомная орбиталь
- •1.6. Принцип Паули
- •1.7. Многоэлектронные атомы
- •2. Химическая связь
- •2.1. Основные характеристики химической связи
- •2.1. Составление химических уравнений
- •2.3. Стехиометрические расчеты в химии
- •2.5. Номенклатура неорганических соединений
- •2.5. Скорость химических реакций.
- •3. Кристаллохимия
- •3.1. Ионные кристаллы
- •3.2. Ковалентные связи в кристаллах
- •3.3. Металлическая связь
- •3.4. Слабая (ван-дер-ваальсовая) связь в кристаллах
- •3.5. Кристаллохимические параметры
- •4. Кристаллография (1 часть)
- •4.1. Предмет кристаллографии
- •4.4. Сетка Вульфа. Сферические координаты
- •4.5. Элементы симметрии кристалла
- •5. Кристаллография (2 часть)
- •5.1. Сингонии. Решетки Бравэ
- •5.2. Некоторые наиболее распространенные типы решеток
- •5.3. Пространственная решетка
- •5.4. Индицирование направления
- •5.5. Индицирование плоскостей (hkl)
- •5.6. Индицирование гексагональных кристаллов (граней)
- •5.7. Термины в кристаллографии
- •6. Дефекты кристаллической решетки
- •6.1. Точечные дефекты
- •6.2. Миграция точечных дефектов
- •6.3. Диффузия в твердых телах
- •6.4. Дислокации в кристаллах
- •7. Макро-, микро- и наноструктура материалов
- •7.1. Макроскопический анализ
- •7.2. Микроскопический анализ
- •7.3. Принцип работы металлографического микроскопа
- •7.4. Определение балла зерна
- •7.5 Фазовый анализ
- •7.6. Наноструктура
- •7.7. Рентгеноструктурный анализ материалов
- •8. Механические свойства твердых материалов
- •8.1. Разновидности механических свойств материалов
- •8.3. Упругая линейная продольная деформация
- •8.4. Сдвиг. Упругая деформация сдвига
- •8.5. Взаимосвязь между деформациями растяжения (сжатия) и сдвига
- •9. Всесторонняя деформация сжатия
- •9.1. Закон Гука для всесторонней деформации
- •9.2. Закон Гука для деформации вдоль одной стороны
- •9.3. Связь между модулем всестороннего сжатия и
- •9.4. Напряжения при ударе
- •9.5. Упругое последствие
- •10. Изгиб и кручение материалов
- •10.1. Изгиб. Упругая изгибная деформация
- •10.2. Прогиб и поворот сечения балки
- •10.3. Прогиб балки на двух опорах
- •10.4. Кручение материалов. Деформация кручения
- •11. Пластичность. Твердость. Ударная вязкость
- •11.1. Пластическая деформация твердых тел
- •11.2. Физическая сущность пластической деформации
- •11.3. Пластическая деформация поликристаллов
- •11.4. Основные характеристики деформации и разрушения
- •11.5. Твердость материалов
- •12. Разрушение материалов. Пути повышения прочности
- •12.1. Прочность. Виды разрушений
- •12.2. Ползучесть материалов
- •12.3. Другие механические свойства
- •12.4. Пути повышения прочности материалов
- •13. Тепловые свойства твердых тел
- •13.1. Колебания атомов в кристаллах
- •13.2. Теплоемкость твердых тел
- •13.3. Теплопроводность твердых тел
- •13.4. Тепловое расширение твердых тел
- •13.5. Зависимость механических напряжений от температуры
- •13.6. Повышение механических свойств материалов под действием температуры
- •14. Жидкое состояние вещества
- •14.3. Вязкость жидкостей
- •14.4. Поверхностное натяжение
- •14.5. Явления смачивания
- •14.6. Жидкие растворы
- •14.9. Осмотическое давление
- •15. Структура полимеров
- •15.1. Молекулярное строение полимеров
- •15.2. Классификация полимеров
- •15.3. Превращения в полимерах
- •15.4. Надмолекулярная структура полимеров
- •16. Механические свойства полимеров
- •16.1 Высокоэластическое состояние полимеров
- •16.2. Модель Максвелла для линейных полимеров
- •16.3. Модель Кельвина-Фогта для сетчатых полимеров
- •17. Термодинамика фазовых превращений
- •17.1. Фазовые превращения. Правило фаз
- •17.2. Термодинамические функции и параметры
- •Свойства термодинамических функций:
- •17.3. Связь между основными термодинамическими функциями и параметрами
- •17.4. Химический потенциал
- •18. Фазовые переходы I рода. Плавление и
- •18.1. Фазовые переходы I рода
- •18.2. Уравнение Клапейрона-Клаузиуса
- •18.3. Плавление и кристаллизация
- •18.4. Термический анализ
- •19. Фазовые превращения в твердом состоянии
- •19.1. Изоморфизм и полиморфизм вещества
- •19.2. Полиморфные превращения
- •19.3. Бездиффузионные и диффузионные превращения
- •19.4 Кинетика твердофазных превращений
- •19. 5 Упорядочение и разупорядочение в сплавах
- •19.6. Диаграмма состояния сплавов с учетом твердофазных превращений
- •19.7. Эвтектоидные превращения
- •19. 8. Рекристаллизация
- •20. Сплавы
- •20.1. Классификация сплавов
- •20.2. Зависимость свободной энергии Гиббса от температуры и
- •20.3. Система с неограниченной растворимостью компонентов в жидком и твердом состояниях
- •20.4. Построение диаграмм состояния методом термического
- •21. Диаграммы состояния бинарных систем
- •21.1. Система с ограниченной взаимной растворимостью
- •21.2. Анализ диаграммы состояния для сплавов с эвтектическим
- •21.3. Анализ диаграммы состояния для сплавов с перитектическим превращением.
- •21.4. Диаграммы состояния для сплавов, когда компоненты образуют химические соединения
- •22. Изучение диаграмм состояния
- •22.1. Построение и расшифровка диаграмм состояния тройных сплавов
- •22.2. Основные типы диаграмм состояния трехкомпонентных
- •II. Изотермические и политермические сечения тройных диаграмм.
- •23. Определение концентрации компонентов
- •Бинарные сплавы
- •Найти молярную массу бинарного раствора м при известных ,,м1 и м2.
- •24.2. Неорганическое стекло
- •24.3. Механические и тепловые свойства стекла
- •24.6. Оптические свойства стекла
- •24.5. Применение технических стекол.
- •25. Дисперсные системы
- •25.1. Введение
- •25.2. Свойства малых частиц
- •25.3. Коагуляция частиц
- •26. Электрические свойства материалов
- •26.1. Элементы зонной теории твердого тела
- •26.2. Электропроводность твердых тел
- •26.2. Поляризация диэлектрика
- •26.4. Сверхпроводники
- •26.5. Электрический ток в жидкостях
- •27. Магнитные свойства твердых тел
- •27.1. Магнитные моменты атомов
- •27.2. Намагничивание. Диа- и парамагнетики
- •27.3. Ферромагнетики
1.6. Принцип Паули
а) В атоме не может быть двух электронов с одинаковыми четырьмя квантовыми числами n, l, ml и ms.
б) На одном уровне (подуровне), характеризующемся тремя квантовыми числами n, l, ml могут быть два электрона, но только с антипараллельными спинами:
Пример: п=1, l=0, ml =0 (1s2).
1.7. Многоэлектронные атомы
В основе обозначения конфигураций атомов и построения периодической таблицы химических элементов лежат:
квантовые числа,
принцип Паули,
правило Клечковского,
правило Хунда.
Правило Клечковского:
Заполнение энергетических уровней электронами происходит в порядке возрастания суммы чисел (п+1), а при равных значениях (п+1) в порядке возрастания п:
1s<2s2p<3s<3p<4s<5s 0 4d<5p<6s 5d 4f<6р и т.д.
Пример: Значению п+1=5 соответствуют подуровни
3d (п =3, l=2),
4d (п=4, l =1),
5s (n=5, l =0).
Общее число электронов в п- ом уровне
. (1.12)
Общее число электронов в подуровне
Zподyp = 2(2l+1). (1.13)
Пример:
п=3; l=0,1,2; ms=0, ± 1, ±2;
при l=0 ms=0 Zподур = 2,
l=1 ms = 0, ± 1 Zподур = 6,
l=2 ms = 0, ±1,±2 Zподур = 10,
Zyp = 2n2 = 18 электронов.
Электронная конфигурация соответствующих уровней
3s2 Зр6 3d10.
Правило Хунда:
В данном подуровне электроны стремятся занять энергетические состояния таким образом, чтобы суммарный спин был максимальный.
При построении электронной конфигурации атомов следует иметь ввиду:
- порядковый номер элемента, соответствующий числу электронов в атоме;
расположение элементов по периодам, которые по номеру совпадают с главным квантовым числом п;
вышеперечисленные правила.
Пример: атом Na: 1s22s22p63s1 n=3, l=0,1,2; ms = 0, ±1,±2.
В таблице дано состояние электронов и их
количество на разных энергетических уровнях.
Энергетический уровень |
Квантовое число п |
Энергетический подуровень |
Атомные орбитали |
Максималь-ное число электронов | |
На подуровне |
На уровне | ||||
K |
1 |
1s (l=0) |
(ml = 0) |
2 |
2 |
L |
2 |
2s (l=0) 2p (l=1) |
(ml = 0) (ml = + 1,0,-1) |
2 6 |
8 |
M |
3 |
3s (l=0) 3p (l=1) 3d (l=2) |
(ml = 0) (ml = + 1,0,-1) (ml = +2,+1,0,-1,-2) |
2 6 10 |
18 |
N |
4 |
4s (l=0) 4p (l=1) 4d (l=2) 4f (l=3) |
(ml = 0) (ml = + 1,0,-1) (ml = +2,+1,0,-1,-2) (ml = +3,+2,+1,0,-1,-2,-3) |
2 6 10 14 |
32 |
2. Химическая связь
2.1. Основные характеристики химической связи
Химическая связь возникает при взаимодействии атомов, обусловливающем образование устойчивой двух- или многоатомной системы (молекулы, кластера, жидкости, кристалла).
При образовании химической связи полная энергия взаимодействующих атомов уменьшается, следовательно, часть энергии выделяется.
Количество энергии, выделяющейся при образовании химической связи, называется энергией связи.
Геометрическими характеристиками химической связи являются длина связи и углы между связями.
Длина химической связи - l - расстояние между ядрами атомов в молекулах.
Длины связей обусловлены размерами атомов и степенью перекрытия электронных облаков.
Основными методами, объясняющими химическую связь, являются метод валентных связей (ВС) и метод молекулярных орбиталей (МО). В методе ВС предполагается, что химическая связь образуется двумя неспаренными электронами с антипараллельными спинами. При этом образуется электронная пара, принадлежащая двум атомам. В методе МО предполагается, что электроны в молекуле находятся на молекулярных орбиталях, охватывающих все ядра атомов в молекуле.
Рассмотрим поподробнее один из этих методов – метод валентных связей.
В1927 году немецкие физики У.Гайтлер и Ф.Лондон провели квантово-механический расчет взаимодействия атомов водорода при образовании молекулы водородаН2. В результате приближенного решения уравнения Шредингера они вывели зависимость потенциальной энергии системы от расстояния между ядрами атомов Н2 (рис.2.1.).
Рис.2.1. Зависимость энергии связи U между атомами от расстояния r между ними.
Одна из наиболее приемлемых эмпирических форм кривой U(r) была предложена Морсом:
,
где a = Const, Е0 - Const, r0 – равновесное расстояние между атомами с энергией связи Umin.
При r r0, U(r) -Umin, при r U(r) 0.
При сближении двух атомов электроны с спинами притягиваются двумя протонами (кривая 1).
При сближении двух атомов действуют также силы отталкивания между ядрами: на малых расстояниях, либо между двумя электронами со спинами (кривая 2).
При r = r0 энергия системы минимальна и возникает устойчивая химическая связь с образованием молекулы Н2 (r0 = 0,074 нм).
Валентность - способность атома к образованию химической связи.
Количественной мерой валентности принято считать число разных атомов в молекуле, с которыми данный атом образует связи.
Валентность элементов определяется числом неспаренных электронов:
- для s- и р-электронов - это внешние электроны;
- для d-элементов - внешние и некоторые предвнешние уровни.
Li 2s1 B=1
Na 3s1 B=1
Be, Mg, Ca, Sr, Ba, Ra………2s2, 3s3 B=0 (основное состояние)
Be, Mg, Ca, Sr, Ba, Ra........ B=2 (возбужденное состояние)
Кислород B=2 (...2 s2p4)
Железо (..... 3d64s2) B=0 (основное состояние)
3d 4s 4p B=2,3,4,5,6 (возбужденное состояние)
-, -, - связи.
Наиболее прочные связи образуются в направлении перекрывания атомных орбиталей (АО):
- связь - возникает при перекрытии АО вдоль оси, соединяющей ядра взаимодействующих атомов.
- связь - осуществляется при перекрытии АО по обе стороны оси, соединяющей ядра атомов.
- связь - возникает при перекрытии
двух d-AO, расположенных в плоскостях.
Гибридные связи
При образовании молекул происходит изменение энергии и формы АО, т.е. – происходит гибридизация АО.
Примеры:
Молекулы |
Электронные пары |
Гибрид |
Конфигурация молекул |
о |
СО2, HgCl2, BeF2 |
2 |
sp |
линейная |
180 |
BF3, BC13 |
3 |
sp2 |
тригональная |
120 |
VH3 |
3 |
sp3 |
триг. пирамида |
107,3 |
СН4, Si Н4 |
4 |
sp3 |
тетраэдр |
109,28 |
РС15 |
5 |
dsp3 |
триг. бипирамида |
90 |
SF6 |
6 |
d2sp3 |
октаэдр |
90 |