- •Введение
- •Уравнение Шредингера для стационарного случая
- •Собственные волновые функции и собственные значения оператора Гамильтон
- •Уравнение Шредингера для свободной частицы, двигающейся в направлении оси
- •Моделирование движения микрочастицы в свободном пространстве с помощью интегрального пакета прикладных программ MathCad
- •Моделирование волнового пакета Определение волнового пакета
- •Волновая функция волнового пакета
- •Моделирование волнового пакета
- •Заключение
- •Контрольные вопросы
- •Библиографический список
- •Лабораторная работа №2 движение микрочастиц в поле потенциальных сил. Движение микрочастиц через потенциальный барьер Определение потенциального барьера
- •Уравнение Шредингера для частицы двигающейся через потенциальный барьер
- •Коэффициенты отражения и прозрачности.
- •Туннельный эффект
- •Лабораторное задание
- •Контрольные вопросы
- •Библиографический список
- •Лабораторная работа № 3
- •Исследование зонной структуры твердых тел
- •Строение вещества и коллективизированные электроны
- •В кристалле
- •Приближения при решении уравнения Шредингера для кристалла
- •Приближение слабосвязанных электронов.
- •Движение электрона в кристаллической решетке Модель Кронига-Пенни
- •Уравнение Шредингера для модели Кронига-Пенни
- •Решение уравнения Шредингера
- •Определение волнового числа
- •Зоны Бриллюэна. Модель приведенных зон
- •Заполнение зон электронами и классификация энергетическихзон
- •Зонная структура и электрические свойства твердых тел
- •Энергетическая структура алмазоподобных полупроводников.
- •Лабораторное задание
- •Контрольные вопросы
- •Библиографический список
- •Лабораторная работа №4 исследование статистических свойств носителей заряда в полупроводниках и металлах Химический потенциал невырожденного идеального газа. Энергия Ферми.
- •Распределение Ферми-Дирака при абсолютном нуле
- •Вычисление энергии Ферми
- •Изменение энергии Ферми при изменении температуры
- •Собственные и примесные полупроводники
- •Ec ev δEg запрещенная зона валентная зона зона проводимости
- •Статистика носителей заряда в собственном полупроводнике
- •Статистика носителей заряда в примесных полупроводниках
- •Уровень Ферми носителей заряда в примесном полупроводнике n-типа
- •Статистика носителей заряда в примесном полупроводнике p-типа
- •Уровень Ферми носителей заряда в примесном полупроводнике p-типа
- •Лабораторное задание:
- •Контрольные вопросы
- •Расчет концентраций равновесных носителей заряда в приконтактной области
- •Расчет уровней Ферми электронов и дырок в приконтактной области
- •Расчет потенциального барьера контакта двух полупроводников
- •Расчет концентрации неравновесных носителей заряда контакта двух полупроводников.
- •Расчет ширины области обедненной носителями заряда.
- •Расчет барьерной емкости контакта двух полупроводников
- •Расчет диффузионной длины носителей зарядов контакта двух полупроводников
- •Расчет тока проводимости контакта двух полупроводников
- •Расчет диффузионной емкости контакта двух полупроводников
- •Лабораторное задание
- •Контрольные вопросы
- •Библиографический список
- •Лабораторная работа №6 исследование электропроводности транзисторной структуры Физические процессы в транзисторной структуре
- •Расчет коэффициента передачи тока транзисторной структуры
- •Расчет концентрации неосновных носителей в области базы
- •Расчет плотности тока неосновных носителей в области базы
- •Расчет токов эмиттерного и коллекторного переходов
- •Эквивалентная схема биполярного транзистора
- •Эквивалентная схема биполярного транзистора в виде четырехполюсника
- •Эквивалентная схема биполярного транзистора
- •Расчет параметров элементов эквивалентной схемы транзисторной структуры
- •Математическая модель биполярного транзистора и расчет переходов
- •Расчет электрических параметров схемы с биполярным транзистором с использованием эквивалентной схемы
- •Лабораторное задание
- •Контрольные вопросы
- •Библиографический список
- •Лабораторная работа №7 физические процессы в полевых транзисторах Конструктивные особенности полевых транзисторов с изолированным затвором
- •Физические процессы в транзисторе
- •Эффективная подвижность носителей заряда в канале
- •Концентрация подвижных носителей в области канала
- •Напряжение отсечки
- •Ширина канала полевого транзистора
- •Вольтамперная характеристика полевого транзистора
- •Входная и выходная характеристики полевого транзистора
- •Лабораторное задание
- •Содержание
Приближение слабосвязанных электронов.
В приближении слабосвязанных электронов электронные облака валентных электронов размазаны по всему объему у кристалла равномерно. Потенциальная энергия электронов в этом случае, запишется:
,
где U0 – потенциальная энергия электронов в результирующем поле положительных ионов, U(r) - приращение потенциальной энергии, учитывающее взаимодействие атомов.
Уравнение Шредингера относительно амплитудной волновой функции в приближении слабосвязанных электронов запишется
.
Это уравнение является линейным дифференциальным уравнени-ем в частных производных с переменными коэффициентами. Решение этого уравнения ищется в виде функций Блоха:
,
где U(r) – периодическая функция с периодом равным постоянной решетки:
,
где – вектор трансляции. В этом выражении n1, n2, n3 – произвольные целые числа, – векторы элементарных трансляций.
Движение электрона в кристаллической решетке Модель Кронига-Пенни
Модель Кронига-Пенни заменяет линейную одномерную цепочку атомов кристаллической решетки цепочкой потенциальных ям и по-тенциальных барьеров и рассматривает движение электрона, обладаю-щего энергией E, вдоль этой цепочки.
Р ис.1. Цепочка потенциальных барьеров и ям
Уравнение Шредингера для модели Кронига-Пенни
При рассмотрении движения электрона вдоль цепочки потен-циальных ям и потенциальных барьеров воспользуемся приближени-ем слабо связанных электронов. Уравнение Шредингера для этого случая запишется:
.
В первом приближение будем полагать, что взаимодействие меж-ду атомами отсутствует. Тогда уравнение Шредингера примет вид
.
Так как операции интегрирования и дифференцирования должны осуществляться в областях, где функции и их первые производные непрерывны, то рассмотрим это уравнение для области вне потенциального барьера 1 и внутри потенциального барьера 2. Для области вне потенциального барьера обозначим волновую функцию 1(x), а для области внутри потенциального барьера – 2(x). Уравнения Шредингера для этих областей запишутся:
Введем обозначения:
Тогда получим:
Решение уравнения Шредингера
Решение уравнений при отсутствии взаимодействия между атомами будут иметь вид:
Если теперь принять во внимание взаимодействие между атомами, то решения уравнений следует искать в виде функций Блоха:
Откуда для функций Блоха можно записать:
Определение волнового числа
Постоянные интегрирования A1, A2, B1, B2, k определяются из граничных условий. Используя граничные условия, можно получить следующее трансцендентное уравнение относительно волнового числа k:
.
Устремим b 0 и U0 так, чтобы произведение
оставалось конечным. Это эквивалентно представлению линейки по-тенциальных ям и потенциальных барьеров в виде последовательнос-ти чередующихся потенциальных барьеров, имеющих вид дельта- функции:
; .
Г рафик этих функций имеет вид:
Рис.2. Цепочка дельтообразных потенциальных барьеров
Тогда трансцендентное уравнение относительно волнового числа k примет вид
.
Оценим графически решение данного уравнения. Для этого необходимо построить графики левой части и правой части этого уравнения. Обозначим через f1(k1a) и f2(ka) правую и левую части этого уравнения:
Поскольку величина волнового числа k неизвестна, то график изменения правой части невозможно построить, а могут быть определены пределы изменения функции f2(k·a) – (+1, –1). Построим график функции f1(k1a) и на этом графике определим пределы изменения функции f2(ka). Области пересечения графика функции f1(k1a) и пределов изменения функции f2(ka) определяют области значений волнового числа k.
Р ис.3. Графическое решение
Из рисунка 3 видно, что волновое число k наряду с дискретными значениями имеет области разрешенных непрерывных значений. Кроме того, волновое число имеет области запрещенных значений.
Энергетические зоны модели Кронига-Пенни
Энергия свободного электрона, выраженная через импульс, определяется
.
Это выражение в координатах энергии и волнового числа пред-ставляет параболу. С другой стороны, для кристалла с периодическим повторением расположения атомов волновое число может быть определено из выражения:
.
Подставляя волновое число в значение энергии, получим:
.
Решение уравнения Шредингера для электрона, двигающегося в пространстве кристаллической решетки, характеризуется наличием разрешенных и запрещенных значений волновых чисел, а, следовательно, разрешенных и запрещенных значений энергий. Области разрешенных и запрещенных значений энергий формируют соответствующие зоны – зоны разрешенных энергий E1, E2, E3 и зоны запрещенных энергий (см. рисунок 4).
Рис.4. Вид разрешенных и запрещенных областей