- •Введение
- •Уравнение Шредингера для стационарного случая
- •Собственные волновые функции и собственные значения оператора Гамильтон
- •Уравнение Шредингера для свободной частицы, двигающейся в направлении оси
- •Моделирование движения микрочастицы в свободном пространстве с помощью интегрального пакета прикладных программ MathCad
- •Моделирование волнового пакета Определение волнового пакета
- •Волновая функция волнового пакета
- •Моделирование волнового пакета
- •Заключение
- •Контрольные вопросы
- •Библиографический список
- •Лабораторная работа №2 движение микрочастиц в поле потенциальных сил. Движение микрочастиц через потенциальный барьер Определение потенциального барьера
- •Уравнение Шредингера для частицы двигающейся через потенциальный барьер
- •Коэффициенты отражения и прозрачности.
- •Туннельный эффект
- •Лабораторное задание
- •Контрольные вопросы
- •Библиографический список
- •Лабораторная работа № 3
- •Исследование зонной структуры твердых тел
- •Строение вещества и коллективизированные электроны
- •В кристалле
- •Приближения при решении уравнения Шредингера для кристалла
- •Приближение слабосвязанных электронов.
- •Движение электрона в кристаллической решетке Модель Кронига-Пенни
- •Уравнение Шредингера для модели Кронига-Пенни
- •Решение уравнения Шредингера
- •Определение волнового числа
- •Зоны Бриллюэна. Модель приведенных зон
- •Заполнение зон электронами и классификация энергетическихзон
- •Зонная структура и электрические свойства твердых тел
- •Энергетическая структура алмазоподобных полупроводников.
- •Лабораторное задание
- •Контрольные вопросы
- •Библиографический список
- •Лабораторная работа №4 исследование статистических свойств носителей заряда в полупроводниках и металлах Химический потенциал невырожденного идеального газа. Энергия Ферми.
- •Распределение Ферми-Дирака при абсолютном нуле
- •Вычисление энергии Ферми
- •Изменение энергии Ферми при изменении температуры
- •Собственные и примесные полупроводники
- •Ec ev δEg запрещенная зона валентная зона зона проводимости
- •Статистика носителей заряда в собственном полупроводнике
- •Статистика носителей заряда в примесных полупроводниках
- •Уровень Ферми носителей заряда в примесном полупроводнике n-типа
- •Статистика носителей заряда в примесном полупроводнике p-типа
- •Уровень Ферми носителей заряда в примесном полупроводнике p-типа
- •Лабораторное задание:
- •Контрольные вопросы
- •Расчет концентраций равновесных носителей заряда в приконтактной области
- •Расчет уровней Ферми электронов и дырок в приконтактной области
- •Расчет потенциального барьера контакта двух полупроводников
- •Расчет концентрации неравновесных носителей заряда контакта двух полупроводников.
- •Расчет ширины области обедненной носителями заряда.
- •Расчет барьерной емкости контакта двух полупроводников
- •Расчет диффузионной длины носителей зарядов контакта двух полупроводников
- •Расчет тока проводимости контакта двух полупроводников
- •Расчет диффузионной емкости контакта двух полупроводников
- •Лабораторное задание
- •Контрольные вопросы
- •Библиографический список
- •Лабораторная работа №6 исследование электропроводности транзисторной структуры Физические процессы в транзисторной структуре
- •Расчет коэффициента передачи тока транзисторной структуры
- •Расчет концентрации неосновных носителей в области базы
- •Расчет плотности тока неосновных носителей в области базы
- •Расчет токов эмиттерного и коллекторного переходов
- •Эквивалентная схема биполярного транзистора
- •Эквивалентная схема биполярного транзистора в виде четырехполюсника
- •Эквивалентная схема биполярного транзистора
- •Расчет параметров элементов эквивалентной схемы транзисторной структуры
- •Математическая модель биполярного транзистора и расчет переходов
- •Расчет электрических параметров схемы с биполярным транзистором с использованием эквивалентной схемы
- •Лабораторное задание
- •Контрольные вопросы
- •Библиографический список
- •Лабораторная работа №7 физические процессы в полевых транзисторах Конструктивные особенности полевых транзисторов с изолированным затвором
- •Физические процессы в транзисторе
- •Эффективная подвижность носителей заряда в канале
- •Концентрация подвижных носителей в области канала
- •Напряжение отсечки
- •Ширина канала полевого транзистора
- •Вольтамперная характеристика полевого транзистора
- •Входная и выходная характеристики полевого транзистора
- •Лабораторное задание
- •Содержание
Введение
Появление большого разнообразия прикладных пакетов программ, позволяющих решать самые разнообразные задачи прикладной математики и физики, создает возможность в некоторых случаях отойти от проведения физического эксперимента, заменив его моделированием на ЭВМ. Это становится возможным при достаточно хорошей математической модели исследуемого процесса или явления. Моделирование на ЭВМ позволяет проводить исследования таких режимов, которые трудно провести в случае физического эксперимента.
Настоящие методические указания включают методику проведения лабораторной работы по курсу «Физические основы микроэлектроники», в которой рассматриваются вопросы моделирования на ЭВМ с помощью прикладного пакета программ MathCad волновых свойств микрочастиц.
Методические указания включают описание математической модели на основе общих физических уравнений, в частности, уравнения Шредингера, составление алгоритма решения задачи на языке прикладного пакета программ MathCad и проведения исследования для различных параметров математической модели.
Важным критерием при изложении материала методических указаний является доступность описания математической модели студентам 1 и 2 курсов, когда параллельно с чтением дисциплины «Физические основы микроэлектроники» читаются курсы физики и высшей математики.
Лабораторная работа № 1
ДВИЖЕНИЕ МИКРОЧАСТИЦ В СВОБОДНОМ ПРОСТРАНСТВЕ
Математическая модель движения микрочастиц в свободном пространстве. Уравнение Шредингера.
Уравнение Шредингера
Качественное своеобразие микрочастиц, резко отличающихся от частиц классической механики, требует и качественно нового подхода к описанию их движения по сравнению с методами классической механики.
Описание состояния квантово-механических систем с помощью набора координат и импульсов, как это делается в классической механике, невозможно.
Наличие волновых свойств у микрочастиц требует, чтобы закон их движения определялся законом распространения волн де- Бройля, связанных с этими частицами.
Для рассмотрения движения частиц во внешних полях необходимо установить вид дифференциального уравнения, которому удовлетворяет волновая функция. Волновая функция должна быть решением этого уравнения.
Так как распространение любого волнообразного процесса описывается волновым уравнением, то следует ожидать, что движение микрочастиц должно описываться волновым уравнением. Это уравнение должно быть линейным, так как волновая функция удовлетворяет принципу суперпозиции.
Волновое уравнение Шредингера имеет вид:
,
(1)
где оператор Гамильтона запишется:
. (2)
– потенциальная энергия; – оператор Лапласа.
Уравнение Шредингера для стационарного случая
Потенциальная энергия, входящая в уравнение Шредингера, является, в общем случае, функцией координат и времени. Однако для многих практически важных случаев потенциальная энергия является функцией только координат и не зависит от времени или изменяется по гармоническому закону. Если вероятность нахождения частицы в элементе объема не зависит от времени, то такое распределение вероятности в пространстве является стационарным.
Состояние частицы, удовлетворяющее условию стационарного распределения, называется стационарным состоянием. В стационар- ном состоянии волновая функция может быть представлена в виде произведения двух функций, каждая из которых зависит только координат или времени:
. (3)
Уравнение Шредингера в этом случае может быть записано:
(4)
или, сделав преобразования получим:
. (5)
Если изменение волновой функции определяется гармонической зависимостью
, (6)
тогда для производной по времени можно записать:
(7)
Подставляя это выражение в уравнение Шредингера и сокращая на временную функцию, получим:
(8)
Раскрывая оператор Гамильтона
, (9)
получим уравнение, не содержащее временной переменной, которое получило название уравнение Шредингера для стационарного случая или амплитудное уравнением для волновой функции.
. (10)
Это уравнение описывает стационарное состояние микрочастицы и характеризует плотность вероятности изменения координат частицы.