- •Введение
- •Уравнение Шредингера для стационарного случая
- •Собственные волновые функции и собственные значения оператора Гамильтон
- •Уравнение Шредингера для свободной частицы, двигающейся в направлении оси
- •Моделирование движения микрочастицы в свободном пространстве с помощью интегрального пакета прикладных программ MathCad
- •Моделирование волнового пакета Определение волнового пакета
- •Волновая функция волнового пакета
- •Моделирование волнового пакета
- •Заключение
- •Контрольные вопросы
- •Библиографический список
- •Лабораторная работа №2 движение микрочастиц в поле потенциальных сил. Движение микрочастиц через потенциальный барьер Определение потенциального барьера
- •Уравнение Шредингера для частицы двигающейся через потенциальный барьер
- •Коэффициенты отражения и прозрачности.
- •Туннельный эффект
- •Лабораторное задание
- •Контрольные вопросы
- •Библиографический список
- •Лабораторная работа № 3
- •Исследование зонной структуры твердых тел
- •Строение вещества и коллективизированные электроны
- •В кристалле
- •Приближения при решении уравнения Шредингера для кристалла
- •Приближение слабосвязанных электронов.
- •Движение электрона в кристаллической решетке Модель Кронига-Пенни
- •Уравнение Шредингера для модели Кронига-Пенни
- •Решение уравнения Шредингера
- •Определение волнового числа
- •Зоны Бриллюэна. Модель приведенных зон
- •Заполнение зон электронами и классификация энергетическихзон
- •Зонная структура и электрические свойства твердых тел
- •Энергетическая структура алмазоподобных полупроводников.
- •Лабораторное задание
- •Контрольные вопросы
- •Библиографический список
- •Лабораторная работа №4 исследование статистических свойств носителей заряда в полупроводниках и металлах Химический потенциал невырожденного идеального газа. Энергия Ферми.
- •Распределение Ферми-Дирака при абсолютном нуле
- •Вычисление энергии Ферми
- •Изменение энергии Ферми при изменении температуры
- •Собственные и примесные полупроводники
- •Ec ev δEg запрещенная зона валентная зона зона проводимости
- •Статистика носителей заряда в собственном полупроводнике
- •Статистика носителей заряда в примесных полупроводниках
- •Уровень Ферми носителей заряда в примесном полупроводнике n-типа
- •Статистика носителей заряда в примесном полупроводнике p-типа
- •Уровень Ферми носителей заряда в примесном полупроводнике p-типа
- •Лабораторное задание:
- •Контрольные вопросы
- •Расчет концентраций равновесных носителей заряда в приконтактной области
- •Расчет уровней Ферми электронов и дырок в приконтактной области
- •Расчет потенциального барьера контакта двух полупроводников
- •Расчет концентрации неравновесных носителей заряда контакта двух полупроводников.
- •Расчет ширины области обедненной носителями заряда.
- •Расчет барьерной емкости контакта двух полупроводников
- •Расчет диффузионной длины носителей зарядов контакта двух полупроводников
- •Расчет тока проводимости контакта двух полупроводников
- •Расчет диффузионной емкости контакта двух полупроводников
- •Лабораторное задание
- •Контрольные вопросы
- •Библиографический список
- •Лабораторная работа №6 исследование электропроводности транзисторной структуры Физические процессы в транзисторной структуре
- •Расчет коэффициента передачи тока транзисторной структуры
- •Расчет концентрации неосновных носителей в области базы
- •Расчет плотности тока неосновных носителей в области базы
- •Расчет токов эмиттерного и коллекторного переходов
- •Эквивалентная схема биполярного транзистора
- •Эквивалентная схема биполярного транзистора в виде четырехполюсника
- •Эквивалентная схема биполярного транзистора
- •Расчет параметров элементов эквивалентной схемы транзисторной структуры
- •Математическая модель биполярного транзистора и расчет переходов
- •Расчет электрических параметров схемы с биполярным транзистором с использованием эквивалентной схемы
- •Лабораторное задание
- •Контрольные вопросы
- •Библиографический список
- •Лабораторная работа №7 физические процессы в полевых транзисторах Конструктивные особенности полевых транзисторов с изолированным затвором
- •Физические процессы в транзисторе
- •Эффективная подвижность носителей заряда в канале
- •Концентрация подвижных носителей в области канала
- •Напряжение отсечки
- •Ширина канала полевого транзистора
- •Вольтамперная характеристика полевого транзистора
- •Входная и выходная характеристики полевого транзистора
- •Лабораторное задание
- •Содержание
Расчет диффузионной длины носителей зарядов контакта двух полупроводников
Приложение прямого напряжения к контакту двух полупроводни-ков приводит к понижению потенциального барьера между p – и n – областями. Это определяет перераспределение концентрации носителей заряда в приконтактной области вследствие процесса диффузии. Для расчета распределения концентрации носителей заряда в приконтакт-ной области воспользуемся уравнениями непрерывности:
(31)
где Dp и Dn – диффузионные постоянные для дырок и электронов;
и – время жизни дырок и электронов;
gp и gn – скорости генерации дырок и электронов;
– напряженность электрического поля в приконтактной области.
При приложении к контакту двух полупроводников прямого на-пряжения, потенциальный барьер, определяемый ионизированными атомами акцепторной и донорной примесями, будет понижаться. При напряжениях, соизмеримых с контактной разностью потенциалов, можно полагать, что напряженность электрического поля в прикон-тактной области будет равна нулю.
Полагая, что генерационные эффекты, связанные с возбуждением носителей зарядов в приконтактной области отсутствуют, можно за-писать для дырочных носителей заряда:
. (32)
Решение этого уравнения будет иметь вид:
, (33)
где A и B – постоянные интегрирования.
Первое слагаемое этого решения не удовлетворяет физическим условиям, так как увеличение x приводит к росту концентрации нерав-новесных носителей заряда. Поэтому постоянная A должна равняться нулю.
Для определения постоянной интегрирования B воспользуемся условием, что на границе приконтактной области с областью p кон-центрация неравновесных носителей заряда будет равна равновесной концентрации в области p. Если начало координат совпадает с грани-цей приконтактной области с областью p, то можно записать:
. (34)
Подставляя значение B в выражение распределения концентра-ции неравновесных носителей заряда в приконтактной области, полу-чим:
. (35) В этом выражении величина:
(36)
получила название диффузионной длины дырочных носителей заряда. Диффузионная длина характеризует расстояние, на котором концен-трация носителей зарядов уменьшается на величину экспоненты.
Аналогично , для электронных носителей зарядов:
, (37)
где диффузионная длина для электронов определится:
. (38)
Расчет тока проводимости контакта двух полупроводников
Ток проводимости, протекающий через контакт двух полупровод-ников, с одной стороны, будет складываться из тока электронных и тока дырочных носителей заряда:
. (39)
С другой стороны, каждый из этих токов будет определяться дви-жением носителей заряда вследствие диффузии и дрейфа:
, (40)
. (41)
В то же время концентрация неравновесных носителей заряда должна определяться решением уравнений непрерывности для элек-тронов и дырок:
, (42)
. (43)
Решение уравнения непрерывности для электронов будет иметь вид
, (44)
где A1 и B1 – постоянные интегрирования;
Ln1 и Ln2 – эквивалентные диффузионные длины для электронов, которые определяются из уравнения:
. (45)
Решая это уравнение, получим:
, (46)
. (47)
Эквивалентная диффузионная длина Ln2 не удовлетворяет физи-ческим условиям, так как подстановка этой величины в решение урав-нения непрерывности приводит к росту концентрации неравновесных носителей заряда с ростом координаты x. Поэтому будем полагать, что постоянная интегрирования B1 будет равна нулю. Тогда решение уравнения непрерывности запишется:
. (48)
Постоянную интегрирования A1 определим из условия, что при x=0, концентрация неравновесных носителей заряда определится:
. (49)
Тогда для постоянной A1 получим:
. (50)
Подставляя это выражение в решение уравнения непрерывности для концентрации неравновесных носителей, получим:
. (51)
Аналогично эквивалентная диффузионная длина для дырочных носителей заряда определится:
. (52)
Концентрация неравновесных дырочных носителей заряда в об-ласти n определится:
. (53)
Подставляя концентрацию неравновесных электронных носите-лей заряда в выражение электронного тока, получим:
. (54)
Аналогично для дырочного тока можно записать:
. (55)
В силу непрерывности тока, создаваемого движением носителей заряда, ток во всех участках цепи должен иметь одинаковое значение. Поэтому в выражениях для дырочного и электронного токов значение x можно принять равным нулю.
. (56)
Аналогично для дырочного тока можно записать:
. (57)
Значение напряженности электрического поля может опреде-ляться как
. (58)