- •Введение
- •Уравнение Шредингера для стационарного случая
- •Собственные волновые функции и собственные значения оператора Гамильтон
- •Уравнение Шредингера для свободной частицы, двигающейся в направлении оси
- •Моделирование движения микрочастицы в свободном пространстве с помощью интегрального пакета прикладных программ MathCad
- •Моделирование волнового пакета Определение волнового пакета
- •Волновая функция волнового пакета
- •Моделирование волнового пакета
- •Заключение
- •Контрольные вопросы
- •Библиографический список
- •Лабораторная работа №2 движение микрочастиц в поле потенциальных сил. Движение микрочастиц через потенциальный барьер Определение потенциального барьера
- •Уравнение Шредингера для частицы двигающейся через потенциальный барьер
- •Коэффициенты отражения и прозрачности.
- •Туннельный эффект
- •Лабораторное задание
- •Контрольные вопросы
- •Библиографический список
- •Лабораторная работа № 3
- •Исследование зонной структуры твердых тел
- •Строение вещества и коллективизированные электроны
- •В кристалле
- •Приближения при решении уравнения Шредингера для кристалла
- •Приближение слабосвязанных электронов.
- •Движение электрона в кристаллической решетке Модель Кронига-Пенни
- •Уравнение Шредингера для модели Кронига-Пенни
- •Решение уравнения Шредингера
- •Определение волнового числа
- •Зоны Бриллюэна. Модель приведенных зон
- •Заполнение зон электронами и классификация энергетическихзон
- •Зонная структура и электрические свойства твердых тел
- •Энергетическая структура алмазоподобных полупроводников.
- •Лабораторное задание
- •Контрольные вопросы
- •Библиографический список
- •Лабораторная работа №4 исследование статистических свойств носителей заряда в полупроводниках и металлах Химический потенциал невырожденного идеального газа. Энергия Ферми.
- •Распределение Ферми-Дирака при абсолютном нуле
- •Вычисление энергии Ферми
- •Изменение энергии Ферми при изменении температуры
- •Собственные и примесные полупроводники
- •Ec ev δEg запрещенная зона валентная зона зона проводимости
- •Статистика носителей заряда в собственном полупроводнике
- •Статистика носителей заряда в примесных полупроводниках
- •Уровень Ферми носителей заряда в примесном полупроводнике n-типа
- •Статистика носителей заряда в примесном полупроводнике p-типа
- •Уровень Ферми носителей заряда в примесном полупроводнике p-типа
- •Лабораторное задание:
- •Контрольные вопросы
- •Расчет концентраций равновесных носителей заряда в приконтактной области
- •Расчет уровней Ферми электронов и дырок в приконтактной области
- •Расчет потенциального барьера контакта двух полупроводников
- •Расчет концентрации неравновесных носителей заряда контакта двух полупроводников.
- •Расчет ширины области обедненной носителями заряда.
- •Расчет барьерной емкости контакта двух полупроводников
- •Расчет диффузионной длины носителей зарядов контакта двух полупроводников
- •Расчет тока проводимости контакта двух полупроводников
- •Расчет диффузионной емкости контакта двух полупроводников
- •Лабораторное задание
- •Контрольные вопросы
- •Библиографический список
- •Лабораторная работа №6 исследование электропроводности транзисторной структуры Физические процессы в транзисторной структуре
- •Расчет коэффициента передачи тока транзисторной структуры
- •Расчет концентрации неосновных носителей в области базы
- •Расчет плотности тока неосновных носителей в области базы
- •Расчет токов эмиттерного и коллекторного переходов
- •Эквивалентная схема биполярного транзистора
- •Эквивалентная схема биполярного транзистора в виде четырехполюсника
- •Эквивалентная схема биполярного транзистора
- •Расчет параметров элементов эквивалентной схемы транзисторной структуры
- •Математическая модель биполярного транзистора и расчет переходов
- •Расчет электрических параметров схемы с биполярным транзистором с использованием эквивалентной схемы
- •Лабораторное задание
- •Контрольные вопросы
- •Библиографический список
- •Лабораторная работа №7 физические процессы в полевых транзисторах Конструктивные особенности полевых транзисторов с изолированным затвором
- •Физические процессы в транзисторе
- •Эффективная подвижность носителей заряда в канале
- •Концентрация подвижных носителей в области канала
- •Напряжение отсечки
- •Ширина канала полевого транзистора
- •Вольтамперная характеристика полевого транзистора
- •Входная и выходная характеристики полевого транзистора
- •Лабораторное задание
- •Содержание
Библиографический список
1. Епифанов, И. П. Физические основы микроэлектроники/И.П. Епифанов.– М: Высшая школа, 1983.
2. Епифанов, И. П. Твердотельная электроника/И. П. Епифанов.– М: Высшая школа, 1986.
3. Аваев, Н. А. Основы микроэлектроники/Н. А. Аваев. – М.: Радио и связь, 1991.
4. Волков, В. М. Микроэлектроника/М. Волков. – Киев, Техника, 1983.
5. Угай, Я. А. Введение в химию полупроводников/Я. А. Угай. – М: Высшая школа, 1975.
Лабораторная работа №4 исследование статистических свойств носителей заряда в полупроводниках и металлах Химический потенциал невырожденного идеального газа. Энергия Ферми.
Химический потенциал определяет среднюю энергию частиц в термодинамической системе микрочастиц, отнесенную к одной части-це. Для химического потенциала можно записать:
(1)
С другой стороны, количество частиц в термодинамической сис-теме определяется интегрированием полной функции распределения:
. (2)
Дифференцируя это выражение по энергии, получим:
. (3)
В равновесном состоянии энергия и количество частиц в термо-динамической системе постоянны, поэтому для такого состояния мож-но записать . Учитывая это соотношение, получим:
(4)
Воспользовавшись формулой Больцмана
(5)
и обозначив концентрацию частиц , получим:
(6)
Логарифмируя это выражение, получим выражение для химиче-ского потенциала:
. (7)
Величина
(8)
получила название эффективного числа состояний. Подставляя это выражение в химический потенциал, получим:
(9)
Химический потенциал в применении к полупроводникам и ме-таллам определяет среднюю энергию электронного газа, отнесенную к одному электрону, и совпадает с понятием энергии Ферми.
Распределение Ферми-Дирака при абсолютном нуле
Электроны в металле можно рассматривать как находящиеся в потенциальной яме. Выход электронов из металла требует затраты энергии для преодоления сил химической связи, которые удерживают электроны. Обычно за нулевой уровень энергии принимается поверх-ность металла – электроны, находящиеся вне металла. В связи с этим электроны в металле, находящиеся в потенциальной яме, имеют отри-цательную энергию.
Рис.1. Электроны в потенциальной яме
Если бы электроны не были фермионами, то при абсолютном ну-ле они бы скапливались на дне потенциальной ямы. Являясь фермио-нами и подчиняясь принципу запрета Паули, электроны последова-тельно занимают уровни от дна потенциальной ямы до верхнего по-следнего уровня, который получил название уровня Ферми. Энергия этого уровня соответствует энергии Ферми. Поскольку энергияФерми, в этом случае отсчитывается от дна потенциальной ямы, то эта энер-гия всегда положительная.
Рассматривая заполнение энергетических уровней при абсолют-ном нуле, следует отметить, что при E<EF все энергетические уровни будут заняты. В то же время для E>EF все энергетические уровни бу-дут свободны. Таким образом, для функции распределения Ферми-Дирака при абсолютном нуле можно записать:
Полная функция распределения Ферми-Дирака запишется: