- •Введение
- •Уравнение Шредингера для стационарного случая
- •Собственные волновые функции и собственные значения оператора Гамильтон
- •Уравнение Шредингера для свободной частицы, двигающейся в направлении оси
- •Моделирование движения микрочастицы в свободном пространстве с помощью интегрального пакета прикладных программ MathCad
- •Моделирование волнового пакета Определение волнового пакета
- •Волновая функция волнового пакета
- •Моделирование волнового пакета
- •Заключение
- •Контрольные вопросы
- •Библиографический список
- •Лабораторная работа №2 движение микрочастиц в поле потенциальных сил. Движение микрочастиц через потенциальный барьер Определение потенциального барьера
- •Уравнение Шредингера для частицы двигающейся через потенциальный барьер
- •Коэффициенты отражения и прозрачности.
- •Туннельный эффект
- •Лабораторное задание
- •Контрольные вопросы
- •Библиографический список
- •Лабораторная работа № 3
- •Исследование зонной структуры твердых тел
- •Строение вещества и коллективизированные электроны
- •В кристалле
- •Приближения при решении уравнения Шредингера для кристалла
- •Приближение слабосвязанных электронов.
- •Движение электрона в кристаллической решетке Модель Кронига-Пенни
- •Уравнение Шредингера для модели Кронига-Пенни
- •Решение уравнения Шредингера
- •Определение волнового числа
- •Зоны Бриллюэна. Модель приведенных зон
- •Заполнение зон электронами и классификация энергетическихзон
- •Зонная структура и электрические свойства твердых тел
- •Энергетическая структура алмазоподобных полупроводников.
- •Лабораторное задание
- •Контрольные вопросы
- •Библиографический список
- •Лабораторная работа №4 исследование статистических свойств носителей заряда в полупроводниках и металлах Химический потенциал невырожденного идеального газа. Энергия Ферми.
- •Распределение Ферми-Дирака при абсолютном нуле
- •Вычисление энергии Ферми
- •Изменение энергии Ферми при изменении температуры
- •Собственные и примесные полупроводники
- •Ec ev δEg запрещенная зона валентная зона зона проводимости
- •Статистика носителей заряда в собственном полупроводнике
- •Статистика носителей заряда в примесных полупроводниках
- •Уровень Ферми носителей заряда в примесном полупроводнике n-типа
- •Статистика носителей заряда в примесном полупроводнике p-типа
- •Уровень Ферми носителей заряда в примесном полупроводнике p-типа
- •Лабораторное задание:
- •Контрольные вопросы
- •Расчет концентраций равновесных носителей заряда в приконтактной области
- •Расчет уровней Ферми электронов и дырок в приконтактной области
- •Расчет потенциального барьера контакта двух полупроводников
- •Расчет концентрации неравновесных носителей заряда контакта двух полупроводников.
- •Расчет ширины области обедненной носителями заряда.
- •Расчет барьерной емкости контакта двух полупроводников
- •Расчет диффузионной длины носителей зарядов контакта двух полупроводников
- •Расчет тока проводимости контакта двух полупроводников
- •Расчет диффузионной емкости контакта двух полупроводников
- •Лабораторное задание
- •Контрольные вопросы
- •Библиографический список
- •Лабораторная работа №6 исследование электропроводности транзисторной структуры Физические процессы в транзисторной структуре
- •Расчет коэффициента передачи тока транзисторной структуры
- •Расчет концентрации неосновных носителей в области базы
- •Расчет плотности тока неосновных носителей в области базы
- •Расчет токов эмиттерного и коллекторного переходов
- •Эквивалентная схема биполярного транзистора
- •Эквивалентная схема биполярного транзистора в виде четырехполюсника
- •Эквивалентная схема биполярного транзистора
- •Расчет параметров элементов эквивалентной схемы транзисторной структуры
- •Математическая модель биполярного транзистора и расчет переходов
- •Расчет электрических параметров схемы с биполярным транзистором с использованием эквивалентной схемы
- •Лабораторное задание
- •Контрольные вопросы
- •Библиографический список
- •Лабораторная работа №7 физические процессы в полевых транзисторах Конструктивные особенности полевых транзисторов с изолированным затвором
- •Физические процессы в транзисторе
- •Эффективная подвижность носителей заряда в канале
- •Концентрация подвижных носителей в области канала
- •Напряжение отсечки
- •Ширина канала полевого транзистора
- •Вольтамперная характеристика полевого транзистора
- •Входная и выходная характеристики полевого транзистора
- •Лабораторное задание
- •Содержание
Собственные волновые функции и собственные значения оператора Гамильтон
Уравнение Шредингера для стационарного случая является уравнением для собственных функций и собственных значений оператора Гамильтона .
Амплитудная волновая функция должна удовлетворять условиям непрерывности, конечности и однозначности. Кроме того, она должна обращаться в нуль на границе области.
Амплитудная волновая функция является собственной функцией, а энергия E является собственным значением оператора . Собственные значения и собственные функции являются функциями пространственных координат.
Решением уравнения Шредингера для стационарного случая являются собственные значения, которые являются уровнями энергии. Вместе с уровнями энергии определяются собственные функции.
Уравнение Шредингера для свободной частицы, двигающейся в направлении оси
Уравнение Шредингера для свободной частицы, обладающей энергией E и двигающейся в направлении оси x, запишется:
, (11)
где оператор Гамильтона имеет вид
, (12)
так как потенциальная энергия для свободно двигающейся частицы либо равна нулю, либо является постоянной величиной. Подставляя оператор Гамильтона, получим уравнение Шредингера для свободно двигающейся частицы в направлении оси x:
. (13)
Будем искать решение этого уравнения в виде произведения двух функций:
. (14)
Это выражение может быть записано:
. (15)
Разделив обе части э того выражения на произведение функций , получим:
. (16)
Правая часть этого выражения является функцией только времени, а левая часть является функцией пространственной координаты. Эти переменные являются независимыми, и поэтому каждая часть этого выражения может быть приравнена к постоянной величине. Этой величиной может быть энергия частицы E:
, (17)
. (18)
Эти уравнения могут быть записаны:
, (19)
. (20)
Решение первого уравнения будет иметь вид
, (21)
где величина k определяется выражением:
. (22)
Решение второго уравнения запишется:
. (23)
Подставляя эти выражения в общее решение уравнения Шредингера, получим:
. (24)
Это выражение определяет суперпозицию плоских волн, распространяющихся в двух противоположных направлениях. Для частицы, двигающейся в положительном направлении оси x, коэффициент B будет равен нулю, и это выражение запишется:
. (25)
Величина является модулем волнового вектора, который связан с волной де- Бройля:
, (26)
где – длина волны де-Бройля.