- •Введение
- •Уравнение Шредингера для стационарного случая
- •Собственные волновые функции и собственные значения оператора Гамильтон
- •Уравнение Шредингера для свободной частицы, двигающейся в направлении оси
- •Моделирование движения микрочастицы в свободном пространстве с помощью интегрального пакета прикладных программ MathCad
- •Моделирование волнового пакета Определение волнового пакета
- •Волновая функция волнового пакета
- •Моделирование волнового пакета
- •Заключение
- •Контрольные вопросы
- •Библиографический список
- •Лабораторная работа №2 движение микрочастиц в поле потенциальных сил. Движение микрочастиц через потенциальный барьер Определение потенциального барьера
- •Уравнение Шредингера для частицы двигающейся через потенциальный барьер
- •Коэффициенты отражения и прозрачности.
- •Туннельный эффект
- •Лабораторное задание
- •Контрольные вопросы
- •Библиографический список
- •Лабораторная работа № 3
- •Исследование зонной структуры твердых тел
- •Строение вещества и коллективизированные электроны
- •В кристалле
- •Приближения при решении уравнения Шредингера для кристалла
- •Приближение слабосвязанных электронов.
- •Движение электрона в кристаллической решетке Модель Кронига-Пенни
- •Уравнение Шредингера для модели Кронига-Пенни
- •Решение уравнения Шредингера
- •Определение волнового числа
- •Зоны Бриллюэна. Модель приведенных зон
- •Заполнение зон электронами и классификация энергетическихзон
- •Зонная структура и электрические свойства твердых тел
- •Энергетическая структура алмазоподобных полупроводников.
- •Лабораторное задание
- •Контрольные вопросы
- •Библиографический список
- •Лабораторная работа №4 исследование статистических свойств носителей заряда в полупроводниках и металлах Химический потенциал невырожденного идеального газа. Энергия Ферми.
- •Распределение Ферми-Дирака при абсолютном нуле
- •Вычисление энергии Ферми
- •Изменение энергии Ферми при изменении температуры
- •Собственные и примесные полупроводники
- •Ec ev δEg запрещенная зона валентная зона зона проводимости
- •Статистика носителей заряда в собственном полупроводнике
- •Статистика носителей заряда в примесных полупроводниках
- •Уровень Ферми носителей заряда в примесном полупроводнике n-типа
- •Статистика носителей заряда в примесном полупроводнике p-типа
- •Уровень Ферми носителей заряда в примесном полупроводнике p-типа
- •Лабораторное задание:
- •Контрольные вопросы
- •Расчет концентраций равновесных носителей заряда в приконтактной области
- •Расчет уровней Ферми электронов и дырок в приконтактной области
- •Расчет потенциального барьера контакта двух полупроводников
- •Расчет концентрации неравновесных носителей заряда контакта двух полупроводников.
- •Расчет ширины области обедненной носителями заряда.
- •Расчет барьерной емкости контакта двух полупроводников
- •Расчет диффузионной длины носителей зарядов контакта двух полупроводников
- •Расчет тока проводимости контакта двух полупроводников
- •Расчет диффузионной емкости контакта двух полупроводников
- •Лабораторное задание
- •Контрольные вопросы
- •Библиографический список
- •Лабораторная работа №6 исследование электропроводности транзисторной структуры Физические процессы в транзисторной структуре
- •Расчет коэффициента передачи тока транзисторной структуры
- •Расчет концентрации неосновных носителей в области базы
- •Расчет плотности тока неосновных носителей в области базы
- •Расчет токов эмиттерного и коллекторного переходов
- •Эквивалентная схема биполярного транзистора
- •Эквивалентная схема биполярного транзистора в виде четырехполюсника
- •Эквивалентная схема биполярного транзистора
- •Расчет параметров элементов эквивалентной схемы транзисторной структуры
- •Математическая модель биполярного транзистора и расчет переходов
- •Расчет электрических параметров схемы с биполярным транзистором с использованием эквивалентной схемы
- •Лабораторное задание
- •Контрольные вопросы
- •Библиографический список
- •Лабораторная работа №7 физические процессы в полевых транзисторах Конструктивные особенности полевых транзисторов с изолированным затвором
- •Физические процессы в транзисторе
- •Эффективная подвижность носителей заряда в канале
- •Концентрация подвижных носителей в области канала
- •Напряжение отсечки
- •Ширина канала полевого транзистора
- •Вольтамперная характеристика полевого транзистора
- •Входная и выходная характеристики полевого транзистора
- •Лабораторное задание
- •Содержание
Эквивалентная схема биполярного транзистора в виде четырехполюсника
Эквивалентная схема биполярного транзистора, приведенная на рис. 5, неудобна для практического использования, поскольку не включает в себя параметры транзистора, определяющие коэффициент усиления и коэффициент передачи. Для включения этих параметров используется эквивалентная схема в виде четырехполюсника.
Рис. 6. Четырехполюсник и переменные на его зажимах эквивалентные биполярному транзистору
Из четырех переменных, описывающих характеристики четырех-полюсника i1, i2, u1, u2, любые две могут быть выбраны в качестве не-зависимых переменных, а две другие – в качестве зависимых перемен-ных. Допустим, что в качестве независимых переменных выбираются токи i1, i2, тогда значения напряжений на зажимах четырехполюсника запишутся:
(30)
Представим выражения для напряжений u1 и u2 в виде разложе-ния в ряд Тейлора в точке i1=I1, i2=I2:
. (31)
. (32)
Пренебрегая производными высших порядков, эти выражения мо-гут быть записаны:
(33)
где обозначены величины:
, (34)
, (35)
, (36)
, (37)
а величины:
(38)
являются характеристиками транзистора. Системе уравнений (33) со-ответствует эквивалентная схема:
Рис. 7. Эквивалентная схема четырехполюсника с сосредоточенными элементами
Данная схема четырехполюсника включает два зависимых экви-валентных источника напряжения и .
Т-образная эквивалентная схема четырехполюсника
Приведенная выше эквивалентная схема четырехполюсника яв-ляется неудобной, так как содержит два зависимых источника напря-жения.
Для получения эквивалентной схемы с одним зависимым источ-ником напряжения воспользуемся уравнениями четырехполюсника, в каждом из которых прибавим и вычтем и :
(39)
Сделав преобразования, получим:
(40)
Этой системе уравнений соответствует следующая эквивалентная схема:
Рис. 8. Т-образная схема четырехполюсника с эквивалентным источником напряжения
На этой схеме величина соответствует эквивалентно-му источнику напряжения.
В некоторых случаях бывает удобно использовать схему четырех-полюсника не с эквивалентным источником напряжения, а с эквива-лентным источником тока.
Рис. 9. Т-образная схема четырехполюсника с эквивалентным источником тока
Если обозначить:
, (41)
тогда величина будет являться эквивалентным источником тока.