- •Введение
- •Уравнение Шредингера для стационарного случая
- •Собственные волновые функции и собственные значения оператора Гамильтон
- •Уравнение Шредингера для свободной частицы, двигающейся в направлении оси
- •Моделирование движения микрочастицы в свободном пространстве с помощью интегрального пакета прикладных программ MathCad
- •Моделирование волнового пакета Определение волнового пакета
- •Волновая функция волнового пакета
- •Моделирование волнового пакета
- •Заключение
- •Контрольные вопросы
- •Библиографический список
- •Лабораторная работа №2 движение микрочастиц в поле потенциальных сил. Движение микрочастиц через потенциальный барьер Определение потенциального барьера
- •Уравнение Шредингера для частицы двигающейся через потенциальный барьер
- •Коэффициенты отражения и прозрачности.
- •Туннельный эффект
- •Лабораторное задание
- •Контрольные вопросы
- •Библиографический список
- •Лабораторная работа № 3
- •Исследование зонной структуры твердых тел
- •Строение вещества и коллективизированные электроны
- •В кристалле
- •Приближения при решении уравнения Шредингера для кристалла
- •Приближение слабосвязанных электронов.
- •Движение электрона в кристаллической решетке Модель Кронига-Пенни
- •Уравнение Шредингера для модели Кронига-Пенни
- •Решение уравнения Шредингера
- •Определение волнового числа
- •Зоны Бриллюэна. Модель приведенных зон
- •Заполнение зон электронами и классификация энергетическихзон
- •Зонная структура и электрические свойства твердых тел
- •Энергетическая структура алмазоподобных полупроводников.
- •Лабораторное задание
- •Контрольные вопросы
- •Библиографический список
- •Лабораторная работа №4 исследование статистических свойств носителей заряда в полупроводниках и металлах Химический потенциал невырожденного идеального газа. Энергия Ферми.
- •Распределение Ферми-Дирака при абсолютном нуле
- •Вычисление энергии Ферми
- •Изменение энергии Ферми при изменении температуры
- •Собственные и примесные полупроводники
- •Ec ev δEg запрещенная зона валентная зона зона проводимости
- •Статистика носителей заряда в собственном полупроводнике
- •Статистика носителей заряда в примесных полупроводниках
- •Уровень Ферми носителей заряда в примесном полупроводнике n-типа
- •Статистика носителей заряда в примесном полупроводнике p-типа
- •Уровень Ферми носителей заряда в примесном полупроводнике p-типа
- •Лабораторное задание:
- •Контрольные вопросы
- •Расчет концентраций равновесных носителей заряда в приконтактной области
- •Расчет уровней Ферми электронов и дырок в приконтактной области
- •Расчет потенциального барьера контакта двух полупроводников
- •Расчет концентрации неравновесных носителей заряда контакта двух полупроводников.
- •Расчет ширины области обедненной носителями заряда.
- •Расчет барьерной емкости контакта двух полупроводников
- •Расчет диффузионной длины носителей зарядов контакта двух полупроводников
- •Расчет тока проводимости контакта двух полупроводников
- •Расчет диффузионной емкости контакта двух полупроводников
- •Лабораторное задание
- •Контрольные вопросы
- •Библиографический список
- •Лабораторная работа №6 исследование электропроводности транзисторной структуры Физические процессы в транзисторной структуре
- •Расчет коэффициента передачи тока транзисторной структуры
- •Расчет концентрации неосновных носителей в области базы
- •Расчет плотности тока неосновных носителей в области базы
- •Расчет токов эмиттерного и коллекторного переходов
- •Эквивалентная схема биполярного транзистора
- •Эквивалентная схема биполярного транзистора в виде четырехполюсника
- •Эквивалентная схема биполярного транзистора
- •Расчет параметров элементов эквивалентной схемы транзисторной структуры
- •Математическая модель биполярного транзистора и расчет переходов
- •Расчет электрических параметров схемы с биполярным транзистором с использованием эквивалентной схемы
- •Лабораторное задание
- •Контрольные вопросы
- •Библиографический список
- •Лабораторная работа №7 физические процессы в полевых транзисторах Конструктивные особенности полевых транзисторов с изолированным затвором
- •Физические процессы в транзисторе
- •Эффективная подвижность носителей заряда в канале
- •Концентрация подвижных носителей в области канала
- •Напряжение отсечки
- •Ширина канала полевого транзистора
- •Вольтамперная характеристика полевого транзистора
- •Входная и выходная характеристики полевого транзистора
- •Лабораторное задание
- •Содержание
Моделирование движения микрочастицы в свободном пространстве с помощью интегрального пакета прикладных программ MathCad
Рассмотрим движение электрона, обладающего энергией E=10 эВ и двигающегося в направлении оси x. Для моделирования электрона воспользуемся выражением (25) для волновой функции микрочастицы, связанной с вероятностью нахождения электрона в объеме пространства с координатой x в момент времени t. Запишем исходные данные:
Для определения угловой частоты воспользуемся формулой Планка для энергии фотона:
Для определения волнового числа k воспользуемся выражением для энергии электрона E через импульс p и формулой де-Бройля для импульса электрона p через волновое число k:
Полагая, что произведения k·x и не превышают единицы, оценим порядки x и t:
Зададимся интервалом изменения переменной x:
.
Выберем два момента времени ,
где
.
Волновая функция для выбранных моментов времени запишется:
.
Построим графики действительной части волновой функции и
Рис.1. График изменения действительной части волновой функции свободно двигающейся частицы от пространственных координат и времени
Вероятность нахождения частицы в объеме пространства с ко-ординатой x определится как квадрат действительной части волновой функции . Построим эти графики для моментов времени t1 и t2:
Рис.2. Графики плотности вероятности нахождения частицы в объеме пространства с координатой x в заданный момент времени
Моделирование волнового пакета Определение волнового пакета
Монохроматическая волна, представляющая собой либо плоскую волну, либо сферическую волну, которые включают в себя одну час-тотную компоненту, является физической абстракцией. В реальных условиях с распространением любого волнообразного процесса связа-но распространение волнового пакета, состоящего из группы волн, ко-торые близки по своей длине и направлению распространения. Простейшим примером группы волн может являться импульс света, который можно сформировать с помощью затвора, открываемого на ограниченный промежуток времени . Пространственные размеры импульса света будут определяться расхождением пучка лучей после прохождения отверстия, закрываемого затвором.
В том случае, если затвор остается открытым в течение времени, при котором пространственная длина импульса света с будет много больше диаметра пучка, то можно полагать, что это одномерный слу-чай, так как изменение импульса в направлении, перпендикулярном направлению распространения, не происходит.
В общем случае импульс является трехмерным. Его пространст-венная длина определяется скоростью распространения, а диаметр размером отверстия затвора.
Другим примером волнового пакета является распространение группы частиц, каждая из которых будет формировать монохромати-ческую волну. Эти волны будут близки по своей длине и направлению распространения.