- •Введение
- •Уравнение Шредингера для стационарного случая
- •Собственные волновые функции и собственные значения оператора Гамильтон
- •Уравнение Шредингера для свободной частицы, двигающейся в направлении оси
- •Моделирование движения микрочастицы в свободном пространстве с помощью интегрального пакета прикладных программ MathCad
- •Моделирование волнового пакета Определение волнового пакета
- •Волновая функция волнового пакета
- •Моделирование волнового пакета
- •Заключение
- •Контрольные вопросы
- •Библиографический список
- •Лабораторная работа №2 движение микрочастиц в поле потенциальных сил. Движение микрочастиц через потенциальный барьер Определение потенциального барьера
- •Уравнение Шредингера для частицы двигающейся через потенциальный барьер
- •Коэффициенты отражения и прозрачности.
- •Туннельный эффект
- •Лабораторное задание
- •Контрольные вопросы
- •Библиографический список
- •Лабораторная работа № 3
- •Исследование зонной структуры твердых тел
- •Строение вещества и коллективизированные электроны
- •В кристалле
- •Приближения при решении уравнения Шредингера для кристалла
- •Приближение слабосвязанных электронов.
- •Движение электрона в кристаллической решетке Модель Кронига-Пенни
- •Уравнение Шредингера для модели Кронига-Пенни
- •Решение уравнения Шредингера
- •Определение волнового числа
- •Зоны Бриллюэна. Модель приведенных зон
- •Заполнение зон электронами и классификация энергетическихзон
- •Зонная структура и электрические свойства твердых тел
- •Энергетическая структура алмазоподобных полупроводников.
- •Лабораторное задание
- •Контрольные вопросы
- •Библиографический список
- •Лабораторная работа №4 исследование статистических свойств носителей заряда в полупроводниках и металлах Химический потенциал невырожденного идеального газа. Энергия Ферми.
- •Распределение Ферми-Дирака при абсолютном нуле
- •Вычисление энергии Ферми
- •Изменение энергии Ферми при изменении температуры
- •Собственные и примесные полупроводники
- •Ec ev δEg запрещенная зона валентная зона зона проводимости
- •Статистика носителей заряда в собственном полупроводнике
- •Статистика носителей заряда в примесных полупроводниках
- •Уровень Ферми носителей заряда в примесном полупроводнике n-типа
- •Статистика носителей заряда в примесном полупроводнике p-типа
- •Уровень Ферми носителей заряда в примесном полупроводнике p-типа
- •Лабораторное задание:
- •Контрольные вопросы
- •Расчет концентраций равновесных носителей заряда в приконтактной области
- •Расчет уровней Ферми электронов и дырок в приконтактной области
- •Расчет потенциального барьера контакта двух полупроводников
- •Расчет концентрации неравновесных носителей заряда контакта двух полупроводников.
- •Расчет ширины области обедненной носителями заряда.
- •Расчет барьерной емкости контакта двух полупроводников
- •Расчет диффузионной длины носителей зарядов контакта двух полупроводников
- •Расчет тока проводимости контакта двух полупроводников
- •Расчет диффузионной емкости контакта двух полупроводников
- •Лабораторное задание
- •Контрольные вопросы
- •Библиографический список
- •Лабораторная работа №6 исследование электропроводности транзисторной структуры Физические процессы в транзисторной структуре
- •Расчет коэффициента передачи тока транзисторной структуры
- •Расчет концентрации неосновных носителей в области базы
- •Расчет плотности тока неосновных носителей в области базы
- •Расчет токов эмиттерного и коллекторного переходов
- •Эквивалентная схема биполярного транзистора
- •Эквивалентная схема биполярного транзистора в виде четырехполюсника
- •Эквивалентная схема биполярного транзистора
- •Расчет параметров элементов эквивалентной схемы транзисторной структуры
- •Математическая модель биполярного транзистора и расчет переходов
- •Расчет электрических параметров схемы с биполярным транзистором с использованием эквивалентной схемы
- •Лабораторное задание
- •Контрольные вопросы
- •Библиографический список
- •Лабораторная работа №7 физические процессы в полевых транзисторах Конструктивные особенности полевых транзисторов с изолированным затвором
- •Физические процессы в транзисторе
- •Эффективная подвижность носителей заряда в канале
- •Концентрация подвижных носителей в области канала
- •Напряжение отсечки
- •Ширина канала полевого транзистора
- •Вольтамперная характеристика полевого транзистора
- •Входная и выходная характеристики полевого транзистора
- •Лабораторное задание
- •Содержание
Волновая функция волнового пакета
Если рассматривать волновой пакет, состоящий из плоских волн, то волновую функцию волнового пакета можно построить интегриро-ванием плоской волны по малой области длин волн или волновых чисел :
.
Для получения пакета общего вида экспоненциальный член умно-жается на весовую функцию . Применение весовой функции экви-валентно интегрированию по заданной области волновых чисел:
.
Для полной волновой функции волнового пакета можно записать:
.
Моделирование волнового пакета
Пусть значение весовой функции f(k) задано в виде графика:
Рис.3. График весовой функции
Аналитическая запись функции f(k) имеет вид:
Тогда выражение для волновой функции волнового пакета запи-шется:
.
Для построения графика э той волновой функции воспользуемся постоянными и t для волновой функции свободной частицы:
.
Построим графики действительной части волновой функции волнового пакета для моментов времени t1 и t2:
Рис.4. Графики изменения действительной части волновой функции волнового пакета от пространственной координаты и времени
Заключение
На основании проведенных в лабораторной работе исследований можно сделать следующие выводы, что уравнение Шредингера, опи-сывающее процесс движения квантово-механических объектов, отра-жает распространение волнообразного процесса в пространстве и во времени.
В случае движения одной частицы волнообразный процесс опре-деляется распространением монохроматической бегущей волны, что иллюстрируется соответствующими графиками волновой функции. При этом изменение момента времени в выражении волновой функ-ции приводит к смещению графика волновой функции в положитель-ном направлении оси координат.
В случае движения совокупности квантово-механических частиц, волнообразный процесс отражает распространение волнового пакета, представляющего собой распространение группы волн, близких по значению длины волны и фазы. Изменение момента времени также приводит к смещению волновой функции группы волн в направлении распространения.
Контрольные вопросы
1. Какой физический смысл имеет решение уравнения Шредингера для свободно движущейся частицы?
2. Что такое бегущая волна?
3. Вид волновой функции для частицы, распространяющейся в произвольном направлении.
4. Что такое стационарный режим квантово-механической системы?
5. Уравнение Шредингера для стационарного случая.
6. Волновой пакет.
7. Физические условия формирования волнового пакета.
8. Фазовая и групповая скорость.
9. Скорость перемещения энергии волнового пакета.
10. Волна де-Бройля.
Библиографический список
1. Волков, В. М. Микроэлектроника/В. М. Волков. – Киев : Техника, 1983.
2. Епифанов, И. П. Физические основы микроэлектроники/И.П. Епифанов. – М. : Высшая школа, 1983.
3. Епифанов, И. П. Физические основы конструирования и технологии РЭА и ЭВА/И. П. Епифанов,Ю. А. Мома – М. : Сов. радио, 1979.
4. Епифанов, Г. И. Твердотельная электроникаГ. И. Епифанов –
М. : Высшая школа, 1986.
5. Росадо, Л. Физическая электроника и микроэлектроника/Л. Росадо – М. : Высшая школа, 1991.
6. Сутано, Такуо. Введение в микроэлектронику/Такуо Сутано; Пер. с яп. – М.: Мир, 1988.