- •Лекция 1
- •Лекция 2
- •Отражение
- •Вращение
- •Инверсия
- •Отражение-вращение
- •Вращение-инверсия
- •Взаимодействие элементов симметрии (теоремы сложения).
- •Теорема №1
- •Обратная теорема
- •Виды симметрии кристаллов.
- •Виды симметрии кристаллов, обладающих единичным направлением.
- •Виды симметрии кристаллов без единичных направлений.
- •Лекция 4 Характеристика сингоний.
- •Обозначение плоскостей и направлений в кубических кристаллах.
- •Порядок нахождения индексов плоскостей.
- •Аспекты эквивалентности плоскостей.
- •Индексы направлений.
- •Алгоритм определения индексов направлений.
- •Определение кристаллографических индексов гексагональных кристаллов.
- •Индексы направлений
- •Лекция 5 Формулы геометрической кристаллографии.
- •Кристаллографические проекции.
- •I. Сферические координаты.
- •II. Стереографические проекции.
- •IV. Гномонические проекции.
- •Лекция 6 Решетки Бравэ
- •Теорема.
- •Симметрия внутреннего строения.
- •Плоскость скользящего отражения.
- •Винтовые оси
- •Тетрагональные кристаллы
- •Понятие о пространственной системе точек
- •Правила записи символа пространственной группы.
- •Распределение пространственных групп по классам симметрии, сингониям и категориям.
- •Лекция 8 Основы кристаллохимии.
- •Объемные характеристики кристаллического материала
- •Факторы, влияющие на кристаллическую структуру
- •Понятие о плотнейших упаковках
- •Лекция 9
- •Типичные структуры материалов используемых в микроэлектронике.
- •Структурный тип магния.
- •Основные кристаллохимические характеристики
- •Полупроводниковые соединения
- •Основные кристаллохимические характеристики
- •Лекция 11
- •Структурный тип поваренной соли (NaCl).
- •Структура цезий хлор (СsCl).
- •Структурный тип халькопирита (CuFeS2)
- •Лекция 12 Структурный тип перовскита
- •Кристаллическая структура SiO2.
- •Кристаллическая структура Al2o3.
- •Лекция 13 Полиморфизм, изоморфизм и политипия.
- •Неустойчивая устойчивая
- •Классификация полиморфных модификаций по Бюргеру
- •Классификация изоструктурных соединений пр Гримму.
- •Лекция 14 Кристаллофизика
- •Предельные группы симметрии (группы Кюри)
- •Принцип суперпозиции Кюри
- •Указательная поверхность
- •Системы координат
- •Лекция 15 Скалярные и векторные свойства кристаллов.
- •Физические свойства кристаллов, описываемых тензором второго ранга.
- •Геометрические свойства указательной поверхности.
- •Лекция 16 Оптические свойства кристаллов Двупреломление лучей
- •Дефекты в кристаллических материалах
- •Точечные дефекты
- •Межузельный атом
- •Примесные атомы
- •Комплексы точечных дефектов
- •Лекция 17
- •Дефект Френкеля (сложный).
- •Механизм Шотке или образование тепловых вакансий (при нагревании).
- •Термодинамика точечных дефектов.
- •Линейные дефекты.
- •Понятие о векторе Бюргерса.
- •Лекция 18
- •Взаимодействие дислокаций между собой
- •Метод селективного травления
- •Лекция 19
- •Методика прогнозирования формы ямки травления.
- •Двумерные дефекты (поверхностные).
- •Модели, объясняющие высокоугловые границы.
- •Дефекты упаковки (ду).
Аспекты эквивалентности плоскостей.
Плоскости одинаково упакованы атомами.
Физические свойства вдоль этих плоскостей одинаковы.
{100} — совокупность эквивалентных плоскостей. При такой записи в фигурных скобках отрицательный индекс не пишется, так как подразумевается, что плоскости с отрицательными индексами входят в эту совокупность.
Максимальное число плоскостей, входящих в совокупность, — 48 (если hkl); соответственно, 24 семейства.
Способ подсчета всех плоскостей, входящих в совокупность.
Это все возможные перестановки положительных и отрицательных индексов.
Пример
Z Z Если требуется определить индексы
плоскости, подобной изображенной на
Y рис.5, то необходимо сделать перенос
X x y z системы
Y -1/2 -1/2 -1/2 координат.
-2 -2 -2
X рис.5 Таблица 4
Сократив на положительный множитель 2, получим: (11 1)
Индексы направлений.
Z
Y X Y Z
1 1 -1
X Таблица 5
[111]
Рис.6
Алгоритм определения индексов направлений.
Установить начало координат. Начало координат помещаем либо в начало, либо в конец направления, если оно входит или выходит из узла. Если этого нет, то направление переносится параллельно самому себе так, чтобы оно входило или выходило из узла.
Определяем проекции направления на координатные оси. Если они целые, то записываем их в квадратные скобки [u w v], если дробные, то поступаем так же, как при нахождении индексов плоскостей.
<u w v> — совокупность эквивалентных направлений.
В кубических кристаллах плоскости и направления с одинаковыми индексами перпендикулярны.
Определение кристаллографических индексов гексагональных кристаллов.
Z В системе координат есть добавочная ось
U, лежащая в плоскости XY, соответствен
U но появляется дополнительный индекс i.
1200 (h k i l) — плоскость.
1200Y i = -( h+ k)— зависимый индекс.
X 1200 { h k i l} — совокупность эквивалентных
Рис.7 плоскостей. Максимальное число плоскостей в ней — 12, 6 семейств. Эти кристаллы менее симметричны.
12 плоскостей называются пирамидальными.
ZПример
Начало координат можно помещать
в любой узел и в центр нижней и
верхней граней. X Y U Z
U (1120) а=вс
9001 1-1/2
=1200 1 1 -2 0
Y Условно: а=в=с=1
Таблица 6
X рис.8 (1120); i= -(1+1)= -2.