
- •Лекция 1
- •Лекция 2
- •Отражение
- •Вращение
- •Инверсия
- •Отражение-вращение
- •Вращение-инверсия
- •Взаимодействие элементов симметрии (теоремы сложения).
- •Теорема №1
- •Обратная теорема
- •Виды симметрии кристаллов.
- •Виды симметрии кристаллов, обладающих единичным направлением.
- •Виды симметрии кристаллов без единичных направлений.
- •Лекция 4 Характеристика сингоний.
- •Обозначение плоскостей и направлений в кубических кристаллах.
- •Порядок нахождения индексов плоскостей.
- •Аспекты эквивалентности плоскостей.
- •Индексы направлений.
- •Алгоритм определения индексов направлений.
- •Определение кристаллографических индексов гексагональных кристаллов.
- •Индексы направлений
- •Лекция 5 Формулы геометрической кристаллографии.
- •Кристаллографические проекции.
- •I. Сферические координаты.
- •II. Стереографические проекции.
- •IV. Гномонические проекции.
- •Лекция 6 Решетки Бравэ
- •Теорема.
- •Симметрия внутреннего строения.
- •Плоскость скользящего отражения.
- •Винтовые оси
- •Тетрагональные кристаллы
- •Понятие о пространственной системе точек
- •Правила записи символа пространственной группы.
- •Распределение пространственных групп по классам симметрии, сингониям и категориям.
- •Лекция 8 Основы кристаллохимии.
- •Объемные характеристики кристаллического материала
- •Факторы, влияющие на кристаллическую структуру
- •Понятие о плотнейших упаковках
- •Лекция 9
- •Типичные структуры материалов используемых в микроэлектронике.
- •Структурный тип магния.
- •Основные кристаллохимические характеристики
- •Полупроводниковые соединения
- •Основные кристаллохимические характеристики
- •Лекция 11
- •Структурный тип поваренной соли (NaCl).
- •Структура цезий хлор (СsCl).
- •Структурный тип халькопирита (CuFeS2)
- •Лекция 12 Структурный тип перовскита
- •Кристаллическая структура SiO2.
- •Кристаллическая структура Al2o3.
- •Лекция 13 Полиморфизм, изоморфизм и политипия.
- •Неустойчивая устойчивая
- •Классификация полиморфных модификаций по Бюргеру
- •Классификация изоструктурных соединений пр Гримму.
- •Лекция 14 Кристаллофизика
- •Предельные группы симметрии (группы Кюри)
- •Принцип суперпозиции Кюри
- •Указательная поверхность
- •Системы координат
- •Лекция 15 Скалярные и векторные свойства кристаллов.
- •Физические свойства кристаллов, описываемых тензором второго ранга.
- •Геометрические свойства указательной поверхности.
- •Лекция 16 Оптические свойства кристаллов Двупреломление лучей
- •Дефекты в кристаллических материалах
- •Точечные дефекты
- •Межузельный атом
- •Примесные атомы
- •Комплексы точечных дефектов
- •Лекция 17
- •Дефект Френкеля (сложный).
- •Механизм Шотке или образование тепловых вакансий (при нагревании).
- •Термодинамика точечных дефектов.
- •Линейные дефекты.
- •Понятие о векторе Бюргерса.
- •Лекция 18
- •Взаимодействие дислокаций между собой
- •Метод селективного травления
- •Лекция 19
- •Методика прогнозирования формы ямки травления.
- •Двумерные дефекты (поверхностные).
- •Модели, объясняющие высокоугловые границы.
- •Дефекты упаковки (ду).
Лекция 16 Оптические свойства кристаллов Двупреломление лучей
Оно характерно для кристаллов низшей и средней категории.
К — кристалл
М
L DМ, DL — 2 образо
K вавшихся луча, плос
D кости
их колебаний
взаимно перпендику
лярны.
зложение луча при преломлении на 2 луча называется двупреломлением.
В кальците CaCO3угол расхождения лучей 6,50.
Это свойство связано с анизотропиейкристаллов.
Кубические кристаллы оптически изотропны.Для них характерна поверхность световых волн в форме шара и показатель преломленияn один для всего кристалла.
Для кристаллов средней и низшей категории поверхности световых волн
состоят из вставленных друг в друга шара и эллипсоида.
главная ось
— положительный кристалл
—отрицательный кристалл
Кристаллы средней категории имеют одну оптическую ось.
Обыкновенный луч— волновая поверхность отвечает шару, луч распространяется во все стороны с одинаковой скоростью.
Необыкновенный луч— волновая поверхность отвечает эллипсоиду, в разных направлениях скорость различна.
Для кристаллов низшей категории волновая поверхность имеет более сложный вид.
В практической кристаллографии пользуются особыми волновыми поверхностями, которые называются оптическими индикатриссами. Это указательная поверхность тензора диэлектрической непроницаемости (ij). С ее помощью можно определить:
Величины показателей преломления
Ориентировку колебаний
Соответственно возникает 3 показателя преломления.
ng
np
nm
+
nm= np
Оптическая ось— направление, по которому не происходит двупреломление света.
ng— максимальный
np — средний
nm— минимальный
Даже
если кристалл ориентирован по-другому,
ng все равно направлен вдоль главной
оси.
np
nmng
-
В эллипсоиде вращения все перпендикулярные оси сечения являются кругами. (nm= np)
В средних кристаллах вдоль главной оси (L6, L4, L3) идет неполяризованный и нераздвоенный луч.
L6
Кристаллы средней категории имеют одну оптическую ось (одноосные). Их оптическая индикатрисса ограничена двумя величинами:
Половиной величины оси вращения эллипсоида (1/2 Ng)
радиусом его кругового сечения (Np)
Величина двупреломления: ng-np.
Для кристаллов низшей категории оптическая индикатрисса — эллипсоид с тремя неравными взаимно перпендикулярными осями и каждая ось — единичное направление. Эти кристаллы оптически двуосны, значит, чтобы определить nв кристаллах низшей категории, надо определить 3 показателя преломления (ng, np, nm).
Оптическая индикатрисса ограничена тремя величинами: Ng, Np, Nm.
Величина двупреломления та же: ng-np.
Дефекты в кристаллических материалах
Классификация дефектов
Проводится по размерному признаку.
Точечные
Это дефекты, которые соизмеримы с размерами атомов в трех измерениях. Виды:
Вакансия (отсутствие атома в решетке)
Межузельный атом самовнедрения
Примесный атом внедрения
Примесный атом замещения
Антиструктурное разупорядочение
Линейные
Имеют размеры, соизмеримые в двух измерениях с размерами атома, а в третьем — с размерами кристалла.
Дислокации
Цепочка вакансий (неустойчивая)
Поверхностные
В двух измерениях соизмеримы с размерами кристалла, а в третьем — с размерами атома.
Границы зерен и субзерен
Дефекты упаковки
Объемные
В трех измерениях соизмеримы с размерами кристалла (макроскопические дефекты)
Поры
Трещины
Царапины
Дефекты оказывают влияние на следующие свойства:
Электрофизические
Механические
Магнитные
Теплопроводность
Скорость самодиффузии и диффузии примесей
Источники дефектов:
Рост кристаллов
Пластическая деформация
Облучение кристалла пучками частиц высокой энергии
Диффузия атомов примеси