
- •Лекция 1
- •Лекция 2
- •Отражение
- •Вращение
- •Инверсия
- •Отражение-вращение
- •Вращение-инверсия
- •Взаимодействие элементов симметрии (теоремы сложения).
- •Теорема №1
- •Обратная теорема
- •Виды симметрии кристаллов.
- •Виды симметрии кристаллов, обладающих единичным направлением.
- •Виды симметрии кристаллов без единичных направлений.
- •Лекция 4 Характеристика сингоний.
- •Обозначение плоскостей и направлений в кубических кристаллах.
- •Порядок нахождения индексов плоскостей.
- •Аспекты эквивалентности плоскостей.
- •Индексы направлений.
- •Алгоритм определения индексов направлений.
- •Определение кристаллографических индексов гексагональных кристаллов.
- •Индексы направлений
- •Лекция 5 Формулы геометрической кристаллографии.
- •Кристаллографические проекции.
- •I. Сферические координаты.
- •II. Стереографические проекции.
- •IV. Гномонические проекции.
- •Лекция 6 Решетки Бравэ
- •Теорема.
- •Симметрия внутреннего строения.
- •Плоскость скользящего отражения.
- •Винтовые оси
- •Тетрагональные кристаллы
- •Понятие о пространственной системе точек
- •Правила записи символа пространственной группы.
- •Распределение пространственных групп по классам симметрии, сингониям и категориям.
- •Лекция 8 Основы кристаллохимии.
- •Объемные характеристики кристаллического материала
- •Факторы, влияющие на кристаллическую структуру
- •Понятие о плотнейших упаковках
- •Лекция 9
- •Типичные структуры материалов используемых в микроэлектронике.
- •Структурный тип магния.
- •Основные кристаллохимические характеристики
- •Полупроводниковые соединения
- •Основные кристаллохимические характеристики
- •Лекция 11
- •Структурный тип поваренной соли (NaCl).
- •Структура цезий хлор (СsCl).
- •Структурный тип халькопирита (CuFeS2)
- •Лекция 12 Структурный тип перовскита
- •Кристаллическая структура SiO2.
- •Кристаллическая структура Al2o3.
- •Лекция 13 Полиморфизм, изоморфизм и политипия.
- •Неустойчивая устойчивая
- •Классификация полиморфных модификаций по Бюргеру
- •Классификация изоструктурных соединений пр Гримму.
- •Лекция 14 Кристаллофизика
- •Предельные группы симметрии (группы Кюри)
- •Принцип суперпозиции Кюри
- •Указательная поверхность
- •Системы координат
- •Лекция 15 Скалярные и векторные свойства кристаллов.
- •Физические свойства кристаллов, описываемых тензором второго ранга.
- •Геометрические свойства указательной поверхности.
- •Лекция 16 Оптические свойства кристаллов Двупреломление лучей
- •Дефекты в кристаллических материалах
- •Точечные дефекты
- •Межузельный атом
- •Примесные атомы
- •Комплексы точечных дефектов
- •Лекция 17
- •Дефект Френкеля (сложный).
- •Механизм Шотке или образование тепловых вакансий (при нагревании).
- •Термодинамика точечных дефектов.
- •Линейные дефекты.
- •Понятие о векторе Бюргерса.
- •Лекция 18
- •Взаимодействие дислокаций между собой
- •Метод селективного травления
- •Лекция 19
- •Методика прогнозирования формы ямки травления.
- •Двумерные дефекты (поверхностные).
- •Модели, объясняющие высокоугловые границы.
- •Дефекты упаковки (ду).
Принцип суперпозиции Кюри
Если различные внешние явления или воздействия накладываются друг на друга, образуя единую систему, то их дисимметрии складываются и остаются лишь общие элементы симметрии.
Пример
Куб
Было:3L44L36L29PC
Воздействие: LР
L L3
L2
L4 [001]
Результирующая симметрия будет разная, в зависимости от того, вдоль какой оси приложено воздействие, в данном случае, L4
Стало: L44Р, остальные элементы симметрии исчезли.
Стереографическая проекция результата
Указательная поверхность
Для наглядного представления симметрии и анизотропии свойства пользуются указательной поверхностью, радиус-векторы которой характеризуют относительные величины свойства в данном направлении.
Для построения указательной поверхности:
Измеряют значение величин, определяющих анизотропное свойство кристалла по всем возможным направлениям.
Откладывают эти значения на радиус-векторах, исходящих из какой-либо точки внутри кристалла, выбранной за начало координат.
Соединяют концы этих векторов.
Симметрия физического свойства, а, следовательно, и указательной поверхности, может быть выше, чем симметрия кристалла (принцип Нейнмана), но при этом симметрия указательной поверхности должна содержать в себе симметрию кристалла.
Системы координат
Вкристаллографии: z
y
х
Углы любые
В кристаллофизике:
х3
х2
х1
Всегда правая и ортогональная
Они совпадают для кубических, ромбических и тетрагональных кристаллов.
Одно и то же явление может быть выражено различными уравнениями, вид которых зависит от системы координат. При этом всегда надо знать, как преобразуется физическое свойство при переходе от одной системы координат к другой.
Вследствие
анизотропии свойств кристаллов явление,
вызванное в кристалле каким-либо
воздействием, может не совпадать по
направлению с этим воздействием, поэтому
взаимосвязь свойства, воздействия и
явления выражаются уравнением:
явление(эффект)=свойство*воздействие (1)
Лекция 15 Скалярные и векторные свойства кристаллов.
Скалярное свойство не зависит от направления, изотропно, обладает максимальной симметрией, и указательная поверхность скалярного свойства это сфера.
плотность;
объемный коэффициент теплового расширения;
коэффициент теплового сжатия;
теплоемкость.
Векторные свойства зависят от направления.
явление = свойство*воздействие
Определяются по координатам X1, X2, X3.
Пусть у нас стоит задача осуществить переход к новой системе координат.
X3
X’2
X’3
AX2
X1
X’1
A– вектор в координатах X1, X2, X3.
При переходе из одной системы координат в другую (X1, X2, X3X’1, X’2, X’3) скалярные свойства не меняются.
явление = свойство*воздействие
(вектор) (вектор)(скаляр)
Свойство определяется компонентами вектора по трем осям или тензором первого ранга.
31=3
3р, где р – ранг тензора – число компонент.
32=9; 33=27.
При переходе X1, X2, X3X’1, X’2, X’3( повернутой на угол) нужно преобразовать векторную велечину по закону косинуса и это имеет вид:
А’i=cikAk
Ak=(A1,A2,A3); i,k=1,2,3…
cik- косинус между старой и новой системой координат:
сik=cos(X’iXk)
i– относится к новой системе координат, ак– к старой.
A’1=A1cos(X’1X1) + A2cos(X’1X2) + A3cos(X’1X3) = c11A1+c12A2+c13A3
Это равенство можно представить в виде таблицы косинусов.
|
X1 |
X2 |
X3 |
X’1 |
C11 |
C12 |
C13 |
X’2 |
C21 |
C22 |
C23 |
X’3 |
C31 |
C32 |
C33 |
По этой таблице определяются коэффициенты при переходе от одной системе к другой.
Для изучения физического свойства кристалла сначала устанавливают изотропно или анизотропно свойство. Если свойство анизотропно, то надо установить ранг тензора и его связь с симметрией кристалла.
Компоненты тензора определяются по матричной формуле. Если у нас 32=9 – это обычный вектор, который определяется девятью фактическими компонентами (их нужно определить). Компоненты тензора второго ранга aijопределяются:
a11a12a13
aij= a21a22a2332=9
a31a32a33
Пироэлектрический эффект– это явление, которое присуще и состоит в способности изменять величину
явление = свойство*воздействие
При нагревании или охлаждении кристаллов на его гранях появляется заряд противоположных знаков.
n ps
ps – вектор спонтанной поляризации.
n – единичный
вектор;
При равномерном распределении температуры происходит изменение вектора спонтанной поляризации, который определяется величиной коэффициента - вектор пироэлектрических коэффициентов.
рs=T(1,2,3)
- положителен, если возрастание температуры приводит к возрастанию спонтанной поляризации.
Пироэлектрический эффект может наблюдаться не во всех кристаллах, а только в кристаллах десяти классов, у которых есть единичное направление.
Указательная поверхность пироэлектрического эффекта:
+ Две сферы, разделенных плос-
костью антисимметрии (плос-
кость меняет знак на противопо-
ложный) - m
m
-
Если использовать антисимметрию:
Если было 32 точечные группы, то будет 58.
Эффект, обратный пироэлектрическому – электрокалорический – действие электрического поля вызывает изменение температуры кристалла и фиксируется с точностью 10-90С.