Структурный тип магния.

Mg; Zn; -Cu; Be.

c/a=1,633(соотношение близко к идеальному)

Для Zn: с/а=1,86.

Имеют более низкую симметрию, чем кристаллы кубической сингонии. Ярко выражены анизотропные свойства.

L₆– логарифмическое направление.

{0001}

_ _ _

<1120> или <2110>

Типичные структуры полупроводниковых материалов.

Описать структуры полупроводниковых материалов можно 4-мя способами:

1. графически;

2. решеткой Бравэ и базисом;

3. описание взаимно-проникающими решетками;

Базис - …

4. в терминах плотнейших упаковок.

Лекция 10

Структурный тип алмаза

Структурным типом алмаза обладают такие модификации углерода как Si, Ge, -Sn.

Описание структурного типа алмаза

1. В терминах плотнейших упаковок.

Плотнейшая упаковка типа ГЦК, образованная атомами углерода, в половине тетраэдрических пустот которой находятся также атомы углерода.

2. Графически

Рис 1

3. Решетками Бравэ и базисом.

Тип решетки Бравэ — ГЦК; одна подрешетка образована атомами углерода С с координатами [000]; вторая — атомами углерода в центре тетраэдрических пустот с координатами[ ¼ , ¼, ¼ ].

4. Взаимно проникающими подрешетками.

Одна ГЦК решетка , состоящая из атомов углерода, проникает во вторую ГЦК решетку, состоящую из атомов углерода, и смещена относительно нее на ¼ в направлении <111>.

ГЦКсГЦКс ¼ <111>

Основные кристаллохимические характеристики

1. Данной ячейке принадлежит n=8*1/8+6*1/2+4=8 атомов.

2. 

Рис.2

3. Поскольку эта решетка более рыхлая, чем ГЦК и атомы раздвигают плотнейшую упаковку, коэффициент заполнения пространства не рассчитывается, по измерениям =0,34.

4. Ретикулярные плотности

1. плоскостей

{100} {110} {111}

По расчетам, наиболее плотно упакованы плоскости {110}

Реально:{111}

Причины

Рис.4

Получается чередование АА^/ВВ^/СС^/. За счет того, что атомные плоскости из совокупностей {111} двух подрешеток находятся на расстоянии (а3)/12 и оно мало за счет малостиа , то ретикулярная плотность плоскости {111} фактическиудваивается.

(а3)/12

А А^/В В^/С С^/

 _{110}=4/(а²2)

 _{111}=(4/(а²3))*2

2. направлений

<100> <110> <111>

а а2 а3

а б в

Рис.6

Наиболее плотно упакованные направления <110>.

Вывод: наиболее плотно упакованные направления <110> и плоскости{111}. По ним происходит деформация скольжения, они образуют систему скольжения материала.

Полупроводниковые соединения

A^IIIB^V; A^IIB^VI; A^IVB^VI

IV	III	V
C, Si, Ge, -Sn	B, Al, Ga, In	N, P, As, Sb

Табл.1

A^IIIB^V: соединения Al, Ga, In с P, As, Sb. Они образуют ряды катионного и анионного замещения.

Al P

Ga As

In Sb

катионное анионное

(фосфиты) (фосфит, арсенид, антимонид)

Уэтих соединений разные электрофизические характеристики, но есть одно общее — структурасфалерит.

ZnS

сфалерит вюрцит

(кубический) (гексагональный)

При разных температуре и давлении может возникать либо кубическая, либо гексагональная модификация.

A^IIIB^V— сфалерит.

Описание ZnS

(для A^IIIB^Vаналогично)

1. В терминах плотнейших упаковок

Плотнейшая упаковка типа ГЦК, образованная атомами серы, в половине тетраэдрических пустот которой находятся также атомы цинка.

2. Графически

Рис 7

3. Решетками Бравэ и базисом.

ГЦК S [000]

ГЦК Zn [ ¼ , ¼, ¼ ].

4. Взаимно проникающими подрешетками.

ГЦК_ZnГЦК_S¼ <111>