
- •Пояснительная Записка
- •1 Введение 6
- •5.3 Расчет 117
- •Введение
- •Исследовательская часть
- •Структура подсистемы защиты информации в системе глобальной спутниковой связи и методы обеспечения средств мониторинга и управления объектами защиты информации
- •Описание среды комплекса спутниковой глобальной радиосвязи и выявление целей защиты информации
- •Состав и структура подсистемы защиты информации в комплексе спутниковой глобальной радиосвязи.
- •Прослушивание второго рода, как метод построения эффективных атак на систему связи.
- •Алгоритм массирования – как метод защиты от прослушивания второго рода.
- •Линейные кодовые последовательности.
- •Нелинейные кодовые последовательности.
- •Однократное гаммирование.
- •Требования к алгоритму маскирования.
- •Специальная часть
- •Основные требования.
- •Соответствие предъявляемому уровню безопастности.
- •Построение на основе использования криптографии симметричных ключей.
- •Описание.
- •Математическое описание.
- •Описание параметров.
- •Формирование ключа.
- •Разворачивание ключа.
- •Определение времени жизни сеансовых ключей
- •Программная и аппаратная гибкость реализации
- •Оценка сложности программной и аппаратной реализации
- •Вычислительная сложность (скорость) зашифрования/расшифрования
- •Оценочное время выполнения зашифрования/расшифрования блока данных
- •Оценочная скорость алгоритма в виде числа тактов работы процессора
- •Скорость выполнения зашифрования/расшифрования блока данных
- •Пакет тестов Национального института стандартов и технологий (nist)
- •Частотный тест.
- •Тест на самую длинную серию единиц в блоке.
- •Тест ранга двоичных матриц.
- •Тест с дискретным преобразованием Фурье (спектральный тест).
- •Универсальный статистический тест Маурэра.
- •Сжатие при помощи алгоритма Лемпела-Зива.
- •Тест линейной сложности.
- •Результаты тестирования
- •Результаты проведения тестов
- •Спектральный тест
- •Тест линейной сложности
- •Технологический раздел
- •Введение
- •Общие принципы тестирования
- •Общие методики оценки качества алгоритма маскирования данных
- •Графические тесты
- •Гистограмма распределения элементов
- •Распределение на плоскости
- •Проверка серий
- •Проверка на монотонность
- •Оценочные тесты
- •Методы тестирования алгоритма маскирования данных
- •Система оценки статистических свойств
- •Оценка результатов тестирования
- •Генерация последовательностей для тестирования
- •Исполнение набора статистических тестов
- •Анализ прохождения статистических тестов
- •Организационно-экономический раздел
- •Введение
- •Теоретическая часть
- •Оценка затрат на разработку по
- •Составляющие затрат на программный продукт
- •Составляющие затрат на разработку программ Ср.
- •Затраты на непосредственную разработку кп
- •Сложность комплекса программ
- •Применение современных методов разработки кп.
- •Факторы организации процесса разработки кп, влияющие на непосредственные затраты при создании сложных программ.
- •Затраты на изготовление опытного образца как продукции производственно-технического назначения.
- •Затраты на технологию и программные средства автоматизации разработки комплекса программ.
- •Составляющие затрат на эксплуатацию программ, влияющие на процесс их разработки.
- •Исходные данные
- •Расчёт затрат
- •1)Составляющие затрат на разработку программ:
- •2) Затраты на эксплуатацию программ:
- •3) Накладные расходы
- •Производственно-экологическая безопасность
- •Введение
- •Машинный зал и рабочее место программиста
- •Вредные факторы, присутствующие на рабочем месте и их классификация
- •Вредные производственные воздействия
- •Электрическая опасность
- •Нерациональность освещения
- •Расчет искусственного освещения методом коэффициента использования светового потока
- •Психофизические факторы
- •Микроклимат
- •Посторонние шумы
- •Постороннее электромагнитное излучение
- •Химические факторы
- •Эргономические требования
- •Эргономика окружающей среды
- •Экологическая безопасность
- •Заключение
- •Литература
- •Приложение 1
- •Приложение 2
- •Приложение 3
Микроклимат
Нормальная работа современных вычислительных машин невозможна без создания и поддержания искусственного климата. На работу машин оказывает влияние изменение как температуры, так и относительной влажности воздуха. Это объясняется тем, что параметры полупроводниковых приборов зависят от их температуры. Влияние температуры воздуха тем больше, чем больше скорость её изменения. В связи с этим устанавливается предельная величина изменения температуры воздуха, равная 3С при скорости изменения до 2С в час.
Хотя современные вычислительные машины и рассеивают в окружающую среду гораздо меньшее количество тепловой энергии, чем первые их модели, тем не менее, они все же остаются в числе нарушителей температурного баланса на рабочем месте. Температура воздуха на рабочем месте должна находиться в пределах от +15 до +25 °C. Оптимальный температурный режим можно поддерживать правильно организованной вентиляцией рабочего места с помощью кондиционеров и увлажнителей.Помещения с ЭВМ должны быть оборудованы системами отопления, системами искусственной ионизации, кондиционирования воздуха или приточно-вытяжной вентиляцией в соответствии с "СНиП 2.04.05-91 Отопление, вентиляция и кондиционирование". Данные устройства позволяет поддерживать наиболее благоприятную для человека влажность воздуха - 60%.
В таблицах 6.1 и 6.2 приведены нормируемые параметры микроклимата для помещений с ВДТ и ПЭВМ и уровни ионизации воздуха помещений при работе на ВДТ и ПЭВМ.
Посторонние шумы
При работе различные части компьютера создают посторонний шумовой фон, который отрицательно воздействует на психику человека. Но в современных моделях компьютеров наблюдается устойчивая тенденция к снижению уровня посторонних шумов, поэтому шумы на данные момент являются весьма незначительным вредным фактором.
По данным НИИ строительной физики, шум вреден для человека начиная с 65 - 70 дБ.
Для обеспечения нормированных уровней шума в производственных помещениях и на рабочих местах применяются шумопоглощающие средства, выбор которых обосновывается специальными инженерно-акустическими расчетами (негорючие или тяжелогорючие специальные перфорированные плиты, панели, минеральная вата с максимальным коэффициентом звукопоглощения в пределах частот 31,5 - 8000 Гц, или другие материалы аналогичного назначения, разрешенные для отделки помещений органами государственного санитарно-эпидемиологического надзора). Кроме того, необходимо применять подвесные потолки с аналогичными свойствами.
Постороннее электромагнитное излучение
Наиболее вредным производственным воздействием является побочное электромагнитное и радиационное излучения. Практически все вредное излучение возникает в результате работы монитора компьютера - доля электромагнитных полей, создаваемых компонентами системного блока компьютера незначительны.
Монитор является источником сразу нескольких видов излучений, каждое из которых имеет свои вредные факторы.
Побочное электромагнитное излучение (ЭМИ) создается трансформатором строчной развертки. Как показано в высокий уровень сверхнизкого ЭМИ в диапазоне до 100 Гц способствует развитию у человека раковых заболеваний. Следует иметь ввиду, что сверхнизкое ЭМИ практически не ослабляется никакими защитными экранами или фильтрами. Важной особенностью современных мониторов является конструкция электронно-лучевой трубки, которая уменьшает до минимума излучение в сторону оператора. Соответственно максимум излучения сосредоточен по бокам и в задней части монитора, что предъявляет определенные требования к планированию взаимного расположения рабочих мест - операторы не должны находиться под влиянием ЭМИ соседних компьютеров.
Уровень электромагнитного поля в месте нахождения оператора ЭВМ не должен превышать фонового (0,2 - 0,5 В/м).
Далее приводятся показатели, взятые из различных стандартов, источником явилась литература. К сожалению, в нашей стране еще нет стандарта на максимально допустимую интенсивность ЭМИ. Поэтому ниже (Табл. 6.3) приводятся показатели, взятые из стандартов на интенсивность ЭМИ MPR-II, выпущенном в 1990 году Шведским национальным департаментом стандартов и утвержденном ЕЭС и TCO'92, разработанным Шведской конфедерацией профсоюзов и Национальным советом индустриального и технического развития Швеции (NUTEK).
Таблица 6.3 Требования европейских стандартов на интенсивность ЭМИ
Диапазон частот |
MPR-II |
TCO'92 |
Электрическое поле (расстояние 0.5 м) | ||
Сверхнизкие (5 Гц – 2 кГц) |
25 В/м |
10 В/м |
Низкие (2 кГц – 400 кГц) |
2.5 В/м |
1 В/м |
Магнитное поле (расстояние 0.5 м) | ||
Сверхнизкие (5 Гц – 2 кГц) |
250 нТ |
200 нТ |
Низкие (2 кГц – 400 кГц) |
25 нТ |
25 нТ |
Следует заметить, что в Европе уже невозможно продать монитор, не удовлетворяющий этим стандартам. Более того, в 1995 году требования стандарта TCO'92 были ужесточены и получили название стандарта TCO'95, которому удовлетворяют лишь мониторы ведущих производителей.
Другим видов вредного излучения является радиационное излучение, возникающее вместе со свечением люминофора в результате бомбардировки поверхности экрана электронами. В соответствии с ГОСТ 27954-88 мощность дозы рентгеновского излучения на расстоянии 5 см от поверхности экрана при 41-часовой рабочей неделе не должна превышать 0.03 мкР/с.
Существует два метода защиты от вредного излучения:
экранирование посредством защитных фильтров, что, впрочем утратило свою актуальность в последнее время ввиду значительного улучшения качества самих мониторов;
защита расстоянием - рекомендуемое минимальное расстояние от глаз оператора до поверхности монитора составляет 30 см.
При оснащении рабочих мест лучше всего пользоваться жидкокристаллическими мониторами, у которых описанные выше излучения отсутствуют, но из-за их высокой стоимости и недостаточно точной цветопередаче ими редко оснащают рабочие места.