- •Основные законы электричества
- •Разность потенциалов
- •Напряжение на участке цепи
- •Закон Ома для участка цепи, не содержащего э.Д.С.
- •Закон Ома для участка цепи, содержащего э.Д.С.
- •Законы Кирхгофа
- •Действие электрического тока
- •Магнетизм и электромагнетизм
- •Электромагнитная индукция
- •Взаимоиндукция
- •Движение электронов в ускоряющем электрическом поле
- •Движение электронов в тормозящем электрическом поле
- •Движение электронов в поперечном электрическом поле
- •Движение электронов в магнитном поле
- •Лекция 2 Переменный ток
- •Резистор в цепи переменного тока
- •Катушка в цепи переменного тока
- •Конденсатор в цепи переменного тока
- •Закон Ома для электрической цепи переменного тока
- •Постоянная составляющая в сигнале переменного тока
- •Среднеквадратическое значение (действующее) переменного тока
- •Соотношение между пиковыми и среднеквадратическими значениями
- •Среднеквадратическое значение сложных сигналов
- •Лекция 3 Форма сигнала
- •Период (Цикл)
- •Частота
- •Скважность
- •Соотношение между частотой и периодом
- •Звуковые волны
- •Гармоники
- •Высота тона
- •Гармонические составляющие прямоугольного сигнала
- •Гармонические составляющие пилообразного сигнала
- •Лекция 4 Резисторы
- •Обозначения резисторов на электрических схемах
- •Резисторы переменного сопротивления
- •Терморезисторы
- •Варисторы
- •Конденсатор
- •Емкость конденсатора
- •Связь заряда, емкости и напряжения
- •Основные параметры конденсаторов
- •Электролитические конденсаторы
- •Конденсаторы построечные и переменной емкости
- •Условные обозначения конденсаторов
- •Основные параметры катушек индуктивности
- •Лекция 5 Физические основы полупроводниковой электроники
- •Электронные и дырочные полупроводники
- •Виды токов в полупроводниках
- •Электронно-дырочный переход и его свойства
- •Лекция 6 Полупроводниковые диоды
- •Конструкция полупроводниковых диодов
- •Вольтамперная характеристика и основные параметры полупроводниковых диодов
- •Выпрямительные диоды
- •Стабилитроны
- •Варикапы
- •Фотодиоды
- •Фоторезисторы
- •Светодиоды
- •Понятие о лазерах и лазерных диодах
- •Классификация и система обозначений диодов
- •Лекция 7 Биполярные транзисторы
- •Усилительные свойства биполярного транзистора
- •Схемы включения биполярных транзисторов
- •Статические характеристики транзисторов
- •Динамический режим работы транзистора
- •Ключевой режим работы транзистора
- •Эквивалентная схема транзистора, включенного по схеме с общей базой
- •Эквивалентная схема транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером
- •Эквивалентная схема транзистора, включенного по схеме с общим коллектором
- •Транзистор как активный четырехполюсник
- •Температурное свойство транзисторов
- •Частотное свойство транзисторов
- •Лекция 8 Полевые транзисторы
- •Характеристики и параметры полевых транзисторов
- •Полевые транзисторы с изолированным затвором
- •Понятие о igbt
- •Тиристоры
- •Устройство и принцип действия динисторов
- •Тринисторы
- •Симисторы
- •Классификация и система обозначений тиристоров
- •Лекция 9 Оптрон (оптопара)
- •Фототранзистор и фототиристор
- •Усилители
- •Классификация усилителей
- •Коэффициент усиления
- •Входное сопротивление
- •Измерение входного сопротивления
- •Выходное сопротивление
- •Измерение выходного сопротивления
- •Выходная мощность
- •Согласование сопротивлений для оптимальной передачи мощности
- •Согласование сопротивлений для оптимальной передачи тока
- •Характеристики электронных усилителей
- •Амплитудно-частотная характеристика (ачх)
- •Фазовая характеристика
- •Питание цепи базы транзистора по схеме с фиксированным напряжением базы
- •Термостабилизация рабочей точки при помощи терморезистора и полупроводникового диода
- •Термостабилизация рабочей точки при помощи оос по постоянному напряжению
- •Термостабилизация рабочей точки при помощи оос по постоянному току
- •Усилители напряжения
- •Усилители мощности
- •Широкополосный усилитель
- •Усилители радиочастоты (урч)
- •Лекция 10 Обратная связь в усилителях
- •Структурная схема усилителя с обратной связью
- •Отрицательная обратная связь (оос)
- •Последовательное и параллельное включение обратной связи
- •Операционные усилители
- •Схемы включения операционных усилителей
- •Лекция 11 Генераторы гармонических колебаний
- •Кварцевые генераторы
- •Цифровая и импульсная электроника
- •Транзисторные ключи
- •Логические элементы
- •Интегральные микросхемы
- •Литература
Операционные усилители
Операционным усилителем (ОУ) называется устройство, предназначенное для выполнения математических операций с аналоговыми сигналами, имеющее исключительно высокий коэффициент усиления, очень большое входное и малое выходное сопротивление и выполненное в микроэлектронном исполнении.
Операционный усилитель включает в свой состав один или несколько дифференциальных каскадов УПТ, генератор стабильного тока для питания этих каскадов и выходные эмиттерные повторители для увеличения входного и уменьшения выходного сопротивления. В качестве нагрузок каскадов ОУ используют транзисторные источники тока. Так как максимальный номинал резистора в микросхеме обычно не превышает 50 кОм, применяют транзисторы, функционирующие в режиме микротока. В ОУ обычно работают несколько тысяч транзисторов, при этом число каскадов усиления всего 2 или 3, так как в противном случае будет велика склонность ОУ к самовозбуждению.
Условное графическое обозначение ОУ показано на рис. 10.4.
Рис. 10.4. УГО ОУ
Выводы операционного уселителя: инвертирующий, неинвертирующий, выводы для подключения двуполярного источника питания и выводы для подключения цепей коррекции.
ОУ подразделяются по следующим признакам:
общего применения;
мощные;
с управляемыми параметрами;
быстродействующие;
изолирующие - используют для обеспечения гальванической развязки каскадов.
Основные параметры ОУ:
напряжение источника питания +U и -U. Питание в основном двуполярное, обычно от ± 6 до ± 18 В, наиболее распространенное напряжение питания -+ 12 и ± 15 В;
максимальное выходное напряжение - если не оговорено отдельно в справочных данных, его принимают меньшим, или равным модулю напряжения питания за вычетом падения напряжения на ОУ, составляющим от 1 до 2 В;
сопротивление нагрузки обычно составляет от 1 до 2 кОм;
дифференциальный коэффициент усиления по напряжению;
входное сопротивление ОУ. Входное дифференциальное сопротивление - входное сопротивление для разностного сопротивления между инвертирующим и неинвертирующим входами. Его величина может достигать от сотен килом до единиц мегом;
потребляемый от источника питания ток или потребляемая мощность;
входной ток ОУ. Для ОУ, выполненных на биполярных транзисторах, входной ток может составлять единицы микроампер, а для ОУ, выполненных на полевых транзисторах, еще меньше;
напряжение смещения, или сдвига - такое напряжение, которое нужно подать на входы ОУ, чтобы при отсутствии сигнала на входах выходное напряжение ОУ было равно 0. Величина напряжения сдвига находится в диапазоне от 3 до 10 мВ для входного каскада на биполярных транзисторах и от 30 до 100 мВ для входного каскада на полевых транзисторах;
выходное сопротивление ОУ обычно составляет несколько сотен ом и указывается в справочниках;
коэффициент ослабления синфазного сигнала для ОУ обычно составляет от 70 до 80 дБ;
скорость нарастания выходного напряжения показывает быстродействие ОУ (рис.10.5) и находится по формуле
Kп = ΔUвых/Δt [В/мкС].
Рис. 10.5. Нарастание выходного напряжения
В технической литературе встречается УГО ОУ, изображенное на рис. 10.6.
Рис. 10.6. Устаревшее УГО ОУ
Так как ОУ имеет очень большой коэффициент усиления и достаточно сложное внутреннее устройство, при работе на определенных частотах возможно появление нежелательных фазовых сдвигов, приводящих к образованию положительных ОС и, как следствие, к самовозбуждению усилителя. Для устранения этих возможностей применяются цепи коррекции g, представляющие различные RС-цепочки. Цепи коррекции могут быть как внешними, т. е. при помощи навесных элементов, так и внутренними, т. е. внутри корпуса микросхемы, причем цепи коррекции разрабатываются на этапе проектирования ОУ и являются индивидуальными для каждого конкретного типа ОУ.