![](/user_photo/2706_HbeT2.jpg)
- •Основные законы электричества
- •Разность потенциалов
- •Напряжение на участке цепи
- •Закон Ома для участка цепи, не содержащего э.Д.С.
- •Закон Ома для участка цепи, содержащего э.Д.С.
- •Законы Кирхгофа
- •Действие электрического тока
- •Магнетизм и электромагнетизм
- •Электромагнитная индукция
- •Взаимоиндукция
- •Движение электронов в ускоряющем электрическом поле
- •Движение электронов в тормозящем электрическом поле
- •Движение электронов в поперечном электрическом поле
- •Движение электронов в магнитном поле
- •Лекция 2 Переменный ток
- •Резистор в цепи переменного тока
- •Катушка в цепи переменного тока
- •Конденсатор в цепи переменного тока
- •Закон Ома для электрической цепи переменного тока
- •Постоянная составляющая в сигнале переменного тока
- •Среднеквадратическое значение (действующее) переменного тока
- •Соотношение между пиковыми и среднеквадратическими значениями
- •Среднеквадратическое значение сложных сигналов
- •Лекция 3 Форма сигнала
- •Период (Цикл)
- •Частота
- •Скважность
- •Соотношение между частотой и периодом
- •Звуковые волны
- •Гармоники
- •Высота тона
- •Гармонические составляющие прямоугольного сигнала
- •Гармонические составляющие пилообразного сигнала
- •Лекция 4 Резисторы
- •Обозначения резисторов на электрических схемах
- •Резисторы переменного сопротивления
- •Терморезисторы
- •Варисторы
- •Конденсатор
- •Емкость конденсатора
- •Связь заряда, емкости и напряжения
- •Основные параметры конденсаторов
- •Электролитические конденсаторы
- •Конденсаторы построечные и переменной емкости
- •Условные обозначения конденсаторов
- •Основные параметры катушек индуктивности
- •Лекция 5 Физические основы полупроводниковой электроники
- •Электронные и дырочные полупроводники
- •Виды токов в полупроводниках
- •Электронно-дырочный переход и его свойства
- •Лекция 6 Полупроводниковые диоды
- •Конструкция полупроводниковых диодов
- •Вольтамперная характеристика и основные параметры полупроводниковых диодов
- •Выпрямительные диоды
- •Стабилитроны
- •Варикапы
- •Фотодиоды
- •Фоторезисторы
- •Светодиоды
- •Понятие о лазерах и лазерных диодах
- •Классификация и система обозначений диодов
- •Лекция 7 Биполярные транзисторы
- •Усилительные свойства биполярного транзистора
- •Схемы включения биполярных транзисторов
- •Статические характеристики транзисторов
- •Динамический режим работы транзистора
- •Ключевой режим работы транзистора
- •Эквивалентная схема транзистора, включенного по схеме с общей базой
- •Эквивалентная схема транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером
- •Эквивалентная схема транзистора, включенного по схеме с общим коллектором
- •Транзистор как активный четырехполюсник
- •Температурное свойство транзисторов
- •Частотное свойство транзисторов
- •Лекция 8 Полевые транзисторы
- •Характеристики и параметры полевых транзисторов
- •Полевые транзисторы с изолированным затвором
- •Понятие о igbt
- •Тиристоры
- •Устройство и принцип действия динисторов
- •Тринисторы
- •Симисторы
- •Классификация и система обозначений тиристоров
- •Лекция 9 Оптрон (оптопара)
- •Фототранзистор и фототиристор
- •Усилители
- •Классификация усилителей
- •Коэффициент усиления
- •Входное сопротивление
- •Измерение входного сопротивления
- •Выходное сопротивление
- •Измерение выходного сопротивления
- •Выходная мощность
- •Согласование сопротивлений для оптимальной передачи мощности
- •Согласование сопротивлений для оптимальной передачи тока
- •Характеристики электронных усилителей
- •Амплитудно-частотная характеристика (ачх)
- •Фазовая характеристика
- •Питание цепи базы транзистора по схеме с фиксированным напряжением базы
- •Термостабилизация рабочей точки при помощи терморезистора и полупроводникового диода
- •Термостабилизация рабочей точки при помощи оос по постоянному напряжению
- •Термостабилизация рабочей точки при помощи оос по постоянному току
- •Усилители напряжения
- •Усилители мощности
- •Широкополосный усилитель
- •Усилители радиочастоты (урч)
- •Лекция 10 Обратная связь в усилителях
- •Структурная схема усилителя с обратной связью
- •Отрицательная обратная связь (оос)
- •Последовательное и параллельное включение обратной связи
- •Операционные усилители
- •Схемы включения операционных усилителей
- •Лекция 11 Генераторы гармонических колебаний
- •Кварцевые генераторы
- •Цифровая и импульсная электроника
- •Транзисторные ключи
- •Логические элементы
- •Интегральные микросхемы
- •Литература
Фоторезисторы
Принцип действия всех фоторезисторов основан на явлении фотоэффекта в веществах полупроводников. Фоторезистор - такой полупроводниковый компонент, сопротивление которого меняется при облучении. В качестве полупроводника фоторезисторов видимого света часто используют селенид свинца, сульфид или селенид кадмия. Полупроводником фоторезисторов инфракрасного диапазона является германий, легированный цинком, золотом или медью. Важнейшей частью фоторезистора является пластина полупроводника, которую облучают светом, к ней подсоединены выводы компонента. В момент облучения пластины возрастает число подвижных носителей заряда - электронов и дырок, сопротивление фоторезистора значительно уменьшается, и этот процесс будет продолжаться до наступления динамического равновесия. Если перестать облучать пластину полупроводника, носители заряда рекомбинируют и сопротивление фоторезистора вернется к исходному значению.
Фоторезистор состоит из диэлектрического основания из керамики, стекла, ситалла, кварцевой или слюдяной пластины, на которое крепят изолированные друг от друга выводы, после чего наносят слой полупроводникового материала. Для защиты от разрушения в агрессивной окружающей среде изготовленный компонент покрывают лаком. Фоторезистор заключают в металлический или пластмассовый корпус с окном, расположенным непосредственно над полупроводником. В окно корпуса может быть интегрирован светофильтр, пропускающий излучение с фиксированной длиной волны, или линза. Спектральная характеристика фоторезисторов, а также интегральная чувствительность аналогичны характеристикам и параметрам фотодиодов.
Фоторезисторы используют в цепях управления и автоматики.
Светодиоды
Светодиодом называется полупроводниковый прибор, в котором происходит непосредственное преобразование электрической энергии в некогерентную (не согласованно по времени) энергию светового излучения.
Принцип действия светодиодов таков. При прямом включении основные инжектированные носители заряда переходят через p-n переход и там рекомбинируют. Рекомбинация связана с выделением энергии. Для большинства полупроводниковых материалов это тепловая энергия. Только для некоторых сложных полупроводников, например, на основе арсенида галлия или фосфида галлия, при рекомбинации между максимумом валентной зоны и минимумом зоны проводимости ширина запрещенной зоны ΔW достаточно велика и длина волны λ, лежит в видимой части спектра.
Основные характеристики светодиодов:
яркостная - это зависимость мощности излучения от прямого тока Рu = f (Iпр) (рис. 6.20);
спектральная - это зависимость мощности излучения от длины волны
Рu = f(λ) (рис. 6.21).
Рис. 6.20. Яркостная характеристика Рис. 6.21. Спектральная характеристика
КПД инжекционных светодиодов видимого излучения может достигать 0,1%, а КПД светодиодов с инфракрасным излучением, которое невидимо глазом, - 5%, т. е. в 50 раз выше. Некоторые светодиоды, полупроводниковый кристалл которых вырабатывает инфракрасное излучение, изготовляют с люминофорами, заставляя такие светодиоды излучать видимый глазом свет благодаря вторичному излучению при возбуждении люминофора.
Принцип действия светодиодов с люминофорами таков. Инфракрасным светом, излучающим инжекционный светодиод, облучают люминофор, который под воздействием инфракрасного света начинает испускать свет с длиной волны, отличной от длины волны облучающего света. Люминофор изготовляют из фторида лантана, легированного эрбием. Светодиоды с люминофорами позволяют увеличить КПД светодиодов зеленого и фиолетового цвета примерно до 1%, а также получить коричневый цвет свечения.
Основные параметры светодиодов:
максимально допустимый ток в прямом включении;
яркость свечения при прямом максимальном токе;
падение напряжения на светодиоде в прямом включении;
полная мощность излучения Рu max;
ширина диаграммы направленности;
длительность времени нарастания излучения и его спада.
Светодиоды широко используют в устройствах индикации, в качестве оптических передатчиков излучения в оптронах и для передачи информации по оптоволоконным линиям связи. Некоторые светодиоды, предназначенные для использования в устройствах индикации, содержат в корпусе несколько полупроводниковых переходов, излучение которых имеет разные длины волн и направлено на одну линзу. Такие светодиоды могут быть двух-, трехцветными и др. Светодиоды, предназначенные для работы с оптоволоконными линиями связи, часто обладают специфической формой, интересной тем, что часть корпуса светодиода занимает оптический волновод.