Устройство и принцип действия динисторов

Наружная p - область динисторов и вывод от нее на­зываются анодом, наружная n - область и соот­ветствующий вывод от нее - катодом (рис. 8.14).

Рис. 8.14. Структура и условное графическое обозначения динисторов

Внутренние p и n область называются базами динистора. Крайние p-n переходы называются эмиттерными, а средний - коллекторным. Динистор можно получить путем соединения двух транзисторов p-n-p и n-p-n типов проводимости, например, серий КТ315 и КТ361, при этом эмиттеры n-p-n и p-n-p транзистора будут выводами динистора. База p-n-p транзистора должна быть соединена с кол­лектором n-p-n транзистора, а база n-p-n транзистора с коллектором p-n-p транзистора. Аналитически подадим на анод воображаемого динистора отрицательное, а на катод положительное напря­жение, при этом эмиттерные переходы будут закрыты, а коллекторный переход динистора открыт. Основные носители зарядов из анода и катода не смогут перейти в базу, поэтому через динистор будет протекать толь­ко маленький обратный ток, вызванный неосновными носителями заряда (рис. 8.15). Если на анод подать «+», а на катод «-», эмиттерные переходы открываются, а коллекторный закрывается.

Рис. 8.15. ВАХ динистора

Принцип действия динисторов таков. Основные носи­тели зарядов переходят из анода в базу 1, а из катода в базу 2, где становятся неосновными и в базах происходит активная рекомбинация носителей зарядов, в результате которой количество свободных носителей зарядов умень­шается. Эти носители заряда подходят к коллекторному переходу, поле которого для них будет ускоряющим, затем проходят базу и переходят через открытый эмиттерный переход, так как в базах опять становятся основными. Пройдя эмиттерные переходы, электроны переходят в анод, а дырки - в катод, где вторично становятся неосновными и вторично происходит активная рекомбинация. В резуль­тате этих процессов количество зарядов, прошедших через динистор, будет очень мало, и прямой ток также будет очень мал. При увеличении напряжения, прикладывае­мого к динистору, прямой ток незначительно возрастает, так как увеличивается скорость движения носителей, а интенсивность рекомбинации уменьшается. При увеличе­нии напряжения на динисторе до определенной величины происходит электрический пробой коллекторного перехода. Сопротивление динистора резко уменьшается, ток через него сильно увеличивается и падение напряжения на нем значительно уменьшается, при этом говорят, что динистор перешел из выключенного во включенное состояние.

Динисторы применяются в виде бесконтактных пере­ключательных устройств, управляемых напряжением.

Отечественные кремниевые диффузионные динисторы 2Н102А и КН102А, а также приборы этой серии с бук­венными индексами Б, В, Г, Д, Е, Ж, И, К, Л структуры p-n-p-n используют в качестве переключающих приборов в импульсной технике. Корпус у данных тиристоров металлостеклянный. Марку динисторов приводят на корпусах приборов.

Основные параметры динисто­ров:

1. напряжение включения U_вкл - напряжение, при котором ток через динистор начинает сильно воз­растать;

2. время включения t_вкл - время за которое напря­жение на динисторе уменьшится до 0,1 напряжения включения;

3. время выключения t_выкл - время за которое ди­нистор переходит из включенного в выключенное состояние;

4. ток включения I_вкл - ток, соответствующий на­пряжению включения;

5. ток выключения I_выкл - минимальный ток через динистор, при котором он еще остается во вклю­ченном состоянии;

6. остаточное напряжение U_ост - это минимальное напряжение на динисторе во включенном состоянии (рис. 5.3);

7. ток утечки I_о - ток через динистор в выключен­ном состоянии при фиксированном напряжении на аноде;

8. максимально допустимое обратное напряжение U_обр.max;

9. максимально допустимое прямое напряжение U_пр.max;

10. межэлектродная емкость;

11. масса прибора;

12. габариты корпуса.

Рис. 8.16. Остаточное напряжение