- •Основные законы электричества
- •Разность потенциалов
- •Напряжение на участке цепи
- •Закон Ома для участка цепи, не содержащего э.Д.С.
- •Закон Ома для участка цепи, содержащего э.Д.С.
- •Законы Кирхгофа
- •Действие электрического тока
- •Магнетизм и электромагнетизм
- •Электромагнитная индукция
- •Взаимоиндукция
- •Движение электронов в ускоряющем электрическом поле
- •Движение электронов в тормозящем электрическом поле
- •Движение электронов в поперечном электрическом поле
- •Движение электронов в магнитном поле
- •Лекция 2 Переменный ток
- •Резистор в цепи переменного тока
- •Катушка в цепи переменного тока
- •Конденсатор в цепи переменного тока
- •Закон Ома для электрической цепи переменного тока
- •Постоянная составляющая в сигнале переменного тока
- •Среднеквадратическое значение (действующее) переменного тока
- •Соотношение между пиковыми и среднеквадратическими значениями
- •Среднеквадратическое значение сложных сигналов
- •Лекция 3 Форма сигнала
- •Период (Цикл)
- •Частота
- •Скважность
- •Соотношение между частотой и периодом
- •Звуковые волны
- •Гармоники
- •Высота тона
- •Гармонические составляющие прямоугольного сигнала
- •Гармонические составляющие пилообразного сигнала
- •Лекция 4 Резисторы
- •Обозначения резисторов на электрических схемах
- •Резисторы переменного сопротивления
- •Терморезисторы
- •Варисторы
- •Конденсатор
- •Емкость конденсатора
- •Связь заряда, емкости и напряжения
- •Основные параметры конденсаторов
- •Электролитические конденсаторы
- •Конденсаторы построечные и переменной емкости
- •Условные обозначения конденсаторов
- •Основные параметры катушек индуктивности
- •Лекция 5 Физические основы полупроводниковой электроники
- •Электронные и дырочные полупроводники
- •Виды токов в полупроводниках
- •Электронно-дырочный переход и его свойства
- •Лекция 6 Полупроводниковые диоды
- •Конструкция полупроводниковых диодов
- •Вольтамперная характеристика и основные параметры полупроводниковых диодов
- •Выпрямительные диоды
- •Стабилитроны
- •Варикапы
- •Фотодиоды
- •Фоторезисторы
- •Светодиоды
- •Понятие о лазерах и лазерных диодах
- •Классификация и система обозначений диодов
- •Лекция 7 Биполярные транзисторы
- •Усилительные свойства биполярного транзистора
- •Схемы включения биполярных транзисторов
- •Статические характеристики транзисторов
- •Динамический режим работы транзистора
- •Ключевой режим работы транзистора
- •Эквивалентная схема транзистора, включенного по схеме с общей базой
- •Эквивалентная схема транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером
- •Эквивалентная схема транзистора, включенного по схеме с общим коллектором
- •Транзистор как активный четырехполюсник
- •Температурное свойство транзисторов
- •Частотное свойство транзисторов
- •Лекция 8 Полевые транзисторы
- •Характеристики и параметры полевых транзисторов
- •Полевые транзисторы с изолированным затвором
- •Понятие о igbt
- •Тиристоры
- •Устройство и принцип действия динисторов
- •Тринисторы
- •Симисторы
- •Классификация и система обозначений тиристоров
- •Лекция 9 Оптрон (оптопара)
- •Фототранзистор и фототиристор
- •Усилители
- •Классификация усилителей
- •Коэффициент усиления
- •Входное сопротивление
- •Измерение входного сопротивления
- •Выходное сопротивление
- •Измерение выходного сопротивления
- •Выходная мощность
- •Согласование сопротивлений для оптимальной передачи мощности
- •Согласование сопротивлений для оптимальной передачи тока
- •Характеристики электронных усилителей
- •Амплитудно-частотная характеристика (ачх)
- •Фазовая характеристика
- •Питание цепи базы транзистора по схеме с фиксированным напряжением базы
- •Термостабилизация рабочей точки при помощи терморезистора и полупроводникового диода
- •Термостабилизация рабочей точки при помощи оос по постоянному напряжению
- •Термостабилизация рабочей точки при помощи оос по постоянному току
- •Усилители напряжения
- •Усилители мощности
- •Широкополосный усилитель
- •Усилители радиочастоты (урч)
- •Лекция 10 Обратная связь в усилителях
- •Структурная схема усилителя с обратной связью
- •Отрицательная обратная связь (оос)
- •Последовательное и параллельное включение обратной связи
- •Операционные усилители
- •Схемы включения операционных усилителей
- •Лекция 11 Генераторы гармонических колебаний
- •Кварцевые генераторы
- •Цифровая и импульсная электроника
- •Транзисторные ключи
- •Логические элементы
- •Интегральные микросхемы
- •Литература
Характеристики электронных усилителей
Основные характеристики усилителей:
1. Амплитудная - зависимость амплитуды выходного сигнала от амплитуды входного (рис. 9.11): Uвых =f (Uвх).
Рис. 9.11. Амплитудная характеристика
Амплитудную характеристику строят при синусоидальном сигнале на входе усилителя для средней частоты пропускания. Идеальная амплитудная характеристика представляет собой прямую линию, начинающуюся в точке начала координат. Реальная амплитудная характеристика существенно отличается от теоретической характерным загибом при малом и большом сигналах. При малом сигнале изменение формы характеристики связано с неизбежным наличием внутренних шумов компонентов усилительного тракта, при среднем сигнале амплитудная характеристика практически линейна, причем угол ее наклона связан с коэффициентом усиления, при большом сигнале загиб характеристики связан с падением коэффициента усиления компонентов в связи с их нелинейностью. Загиб характеристики при очень большом сигнале обусловлен конечным напряжением источника питания.
Амплитудно-частотная характеристика (ачх)
Амплитудно-частотная характеристика (АЧХ) - зависимость амплитуды выходного сигнала от частоты при постоянной амплитуде входного сигнала, т. е. Uвх = f (F) при заданном входном напряжении Uвх.
Часто АЧХ представляют в виде зависимости Кu = f (F) при фиксированном входном напряжении Uвх (рис. 9.12).
Рис. 9.12. АЧХ
Человек воспринимает звуковые колебания с частотами от 20 Гц до 20 кГц.
Зависимость коэффициента усиления от частоты характеризуется коэффициентом частотных искажений (рис. 9.13), показывающим отношение коэффициента усиления прибора в номинальном, или среднем, диапазоне частот к коэффициенту усиления на интересующей нас частоте.
Рис. 9.13. Частотные искажения
Коэффициент частотных искажений для низких частот определяется соотношением
Mнч = Kср/Kн,
где Кср - коэффициент усиления для средних частот;
Кн - коэффициент передачи для низкой частоты.
Коэффициент частотных искажений для высоких частот можно вычислить по формуле
Mвч = Kср/Kвч
где Квч - коэффициент усиления высокой частоты.
В радиотехнике часто применяют нормированные АЧХ. Такая нормированная характеристика представляет собой зависимость: Кu/Кumax = f (F) при фиксированном входном напряжении Uвх, показанную на рис. 9.14.
Рис. 9.14. Нормированная АЧХ
Фазовая характеристика
Фазовая характеристика - это зависимость разности фаз между входными и выходными сигналами от частоты φ = f (F) (рис. 9.15).
Рис. 9.15. Фазовая характеристика
Разность фаз возникает из-за наличия в каскадах реактивных компонентов. Если сигнал на выходе будет находиться в той же фазе, что и входной сигнал во всем диапазоне частот, в этом случае нет фазового сдвига. Человеческое ухо не чувствительно к фазовым искажениям при монофоническом звучании, поэтому во время проверки таких усилителей фазовые искажения допустимо не измерять, но если источник сигнала стереофонический, квадрафонический или иной с несколькими каналами, а усилители сигнала разные, требуется проверить сдвиги фаз между сигналами, приложенными к нагрузкам усилителей. Акустические колонки нужно верно фазировать, т. е. если на обе колонки подать одновременно сигнал одной полярности, диффузоры динамических головок в колонках должны сдвинуться в одну сторону. Фазовую характеристику обязательно нужно снимать при испытаниях трактов изображений телевизионных приемников и в импульсных устройствах.
Питание цепи базы транзистора по схеме с фиксированным током базы
В практических транзисторных схемах включения с общими эмиттером и коллектором, цепь базы питается от коллекторного напряжения Ек при помощи дополнительных элементов схемы. Наиболее простой является схема питания цепи базы с фиксированным током (рис. 9.16).
Рис. 9.16. Схема с фиксированным током базы
На схеме базовая цепь представляет собой делитель напряжения (рис. 9.17), состоящий из резистора Rб и сопротивления эмиттерного перехода rэ транзистора VT1.
Рис. 9.17. Делитель напряжения базы
Ток базы Iб, соответствующий выбранному положению рабочей точки, будет протекать через эмиттерный переход, создавая на нем падение напряжения Uбэ, которое и является исполнителем функции источника Еб. Из второго закона Кирхгофа получаем формулу, согласно которой находим напряжение источника питания коллектора транзистора:
Ек = URб + Uбэ.
Это напряжение питания можно найти и по другой формуле:
Ек = Rб Iб.
Сопротивление резистора Rб, соединенного с базой транзистора, можно вычислить по формуле:
Rб = (Ек – Uбэ)/Iб,
где Iб - соответствует току базы в рабочей точке.
Так как напряжение источника питания транзисторного каскада Ек намного больше напряжения база-эмиттер транзистора Uбэ, справедливо упростить предыдущую формулу и записать ее так:
Rб ≈ Ек /Iб.
Недостаток данного каскада по схеме с фиксированным током базы транзистора заключается в том, что он не может работать в широком диапазоне температур, так как сопротивление эмиттерного перехода rэ очень сильно зависит от температуры. Несколько лучше в этом плане работает каскад по схеме с фиксированным напряжением базы, которую рассмотрим далее.