![](/user_photo/2706_HbeT2.jpg)
- •Основные законы электричества
- •Разность потенциалов
- •Напряжение на участке цепи
- •Закон Ома для участка цепи, не содержащего э.Д.С.
- •Закон Ома для участка цепи, содержащего э.Д.С.
- •Законы Кирхгофа
- •Действие электрического тока
- •Магнетизм и электромагнетизм
- •Электромагнитная индукция
- •Взаимоиндукция
- •Движение электронов в ускоряющем электрическом поле
- •Движение электронов в тормозящем электрическом поле
- •Движение электронов в поперечном электрическом поле
- •Движение электронов в магнитном поле
- •Лекция 2 Переменный ток
- •Резистор в цепи переменного тока
- •Катушка в цепи переменного тока
- •Конденсатор в цепи переменного тока
- •Закон Ома для электрической цепи переменного тока
- •Постоянная составляющая в сигнале переменного тока
- •Среднеквадратическое значение (действующее) переменного тока
- •Соотношение между пиковыми и среднеквадратическими значениями
- •Среднеквадратическое значение сложных сигналов
- •Лекция 3 Форма сигнала
- •Период (Цикл)
- •Частота
- •Скважность
- •Соотношение между частотой и периодом
- •Звуковые волны
- •Гармоники
- •Высота тона
- •Гармонические составляющие прямоугольного сигнала
- •Гармонические составляющие пилообразного сигнала
- •Лекция 4 Резисторы
- •Обозначения резисторов на электрических схемах
- •Резисторы переменного сопротивления
- •Терморезисторы
- •Варисторы
- •Конденсатор
- •Емкость конденсатора
- •Связь заряда, емкости и напряжения
- •Основные параметры конденсаторов
- •Электролитические конденсаторы
- •Конденсаторы построечные и переменной емкости
- •Условные обозначения конденсаторов
- •Основные параметры катушек индуктивности
- •Лекция 5 Физические основы полупроводниковой электроники
- •Электронные и дырочные полупроводники
- •Виды токов в полупроводниках
- •Электронно-дырочный переход и его свойства
- •Лекция 6 Полупроводниковые диоды
- •Конструкция полупроводниковых диодов
- •Вольтамперная характеристика и основные параметры полупроводниковых диодов
- •Выпрямительные диоды
- •Стабилитроны
- •Варикапы
- •Фотодиоды
- •Фоторезисторы
- •Светодиоды
- •Понятие о лазерах и лазерных диодах
- •Классификация и система обозначений диодов
- •Лекция 7 Биполярные транзисторы
- •Усилительные свойства биполярного транзистора
- •Схемы включения биполярных транзисторов
- •Статические характеристики транзисторов
- •Динамический режим работы транзистора
- •Ключевой режим работы транзистора
- •Эквивалентная схема транзистора, включенного по схеме с общей базой
- •Эквивалентная схема транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером
- •Эквивалентная схема транзистора, включенного по схеме с общим коллектором
- •Транзистор как активный четырехполюсник
- •Температурное свойство транзисторов
- •Частотное свойство транзисторов
- •Лекция 8 Полевые транзисторы
- •Характеристики и параметры полевых транзисторов
- •Полевые транзисторы с изолированным затвором
- •Понятие о igbt
- •Тиристоры
- •Устройство и принцип действия динисторов
- •Тринисторы
- •Симисторы
- •Классификация и система обозначений тиристоров
- •Лекция 9 Оптрон (оптопара)
- •Фототранзистор и фототиристор
- •Усилители
- •Классификация усилителей
- •Коэффициент усиления
- •Входное сопротивление
- •Измерение входного сопротивления
- •Выходное сопротивление
- •Измерение выходного сопротивления
- •Выходная мощность
- •Согласование сопротивлений для оптимальной передачи мощности
- •Согласование сопротивлений для оптимальной передачи тока
- •Характеристики электронных усилителей
- •Амплитудно-частотная характеристика (ачх)
- •Фазовая характеристика
- •Питание цепи базы транзистора по схеме с фиксированным напряжением базы
- •Термостабилизация рабочей точки при помощи терморезистора и полупроводникового диода
- •Термостабилизация рабочей точки при помощи оос по постоянному напряжению
- •Термостабилизация рабочей точки при помощи оос по постоянному току
- •Усилители напряжения
- •Усилители мощности
- •Широкополосный усилитель
- •Усилители радиочастоты (урч)
- •Лекция 10 Обратная связь в усилителях
- •Структурная схема усилителя с обратной связью
- •Отрицательная обратная связь (оос)
- •Последовательное и параллельное включение обратной связи
- •Операционные усилители
- •Схемы включения операционных усилителей
- •Лекция 11 Генераторы гармонических колебаний
- •Кварцевые генераторы
- •Цифровая и импульсная электроника
- •Транзисторные ключи
- •Логические элементы
- •Интегральные микросхемы
- •Литература
Тринисторы
Впервые тринисторы были изготовлены в 1955 г. и представляли собой структуру, состоящую из четырех слоев. На рис. 8.17 показана структура тринистора, а на рис. 8.18 - вольтамперная характеристика при разных токах управления. ВАХ тринистора не линейна и имеет область отрицательного сопротивления, чем обусловлена возможность отпирания и запирания компонента.
Коэффициенты усиления тринисторов по мощности очень велики и могут достигать 107, причем на них не влияет величина силы тока через аноды и катоды данных компонентов.
Рис. 8.17. Структура тринистора Рис.8.18. ВАРХ тринистора
Рис. 8.19. Условные графические обозначения (УГО) тринистора с управлением по катоду и по аноду
Тринисторы можно включать при напряжениях меньше напряжения включения динистора, для чего достаточно на одну из баз подать дополнительное напряжение таким образом, чтобы создаваемое им поле совпадало по направлению с полем анода на коллекторном переходе. Можно подать ток управления на вторую базу, но для этого на управляющий электрод необходимо подавать напряжение отрицательной полярности относительно анода, в связи с чем различают тринисторы с управлением по катоду и аноду. Чтобы закрыть тринистор, необходимо его обесточить либо подать между анодом и катодом напряжение обратной полярности. Область, занимаемая управляющим электродом в кристалле рассмотренного тринистора, занимает лишь несколько процентов от общей площади структуры. Чтобы тринистор отпереть, небольшой площади управляющего электрода достаточно, но ее не хватает, чтобы запереть тринистор. Таким образом, делаем вывод, что не запираемый тринистор является частично управляемым компонентом.
В США с 1960 г. началось освоение запираемых тринисторов. Управляющий электрод запираемого тринистора распределен по всей полупроводниковой структуре равномерно. Таким образом, ток выключения распределяется по всей площади кристалла. Подавая напряжение определенной полярности на управляющий электрод запираемого тринистора, можно его отпирать или запирать, т. е. запираемый тринистор является полностью управляемым компонентом. Область катода запираемого тринистора, как и область управляющего электрода, состоит из идентичных ячеек.
К основным параметрам тринисторов относят параметры динисторов, а также:
постоянное напряжение отпирания управляющего электрода;
импульсное напряжение отпирания управляющего электрода;
постоянный ток отпирания управляющего электрода;
импульсный ток отпирания управляющего электрода;
импульсный ток запирания управляющего электрода;
максимальная мощность рассеяния на управляющем электроде.
Симисторы
На рис. 8.20 изображена структура симметричного тринистора.
Рис.8.20. Структура симистора и УГО симистора с управлением по катоду и по аноду
Подадим положительное напряжение на области p1 и n1, а отрицательное на области р2 и n3. Переход П1 закрыт и область n1 выключается из работы, переходы П2 и П4 открыты и выполняют функцию эмиттерных переходов, переход П3 закрыт и играет роль коллекторного перехода.
Таким образом, структура симистора будет представлять собой чередующиеся области р1, n2, р2 и n3, где область p1 будет выполнять функцию анода, а n3 функцию катода при прямом включении. Подадим напряжение плюсом на области р2 и n3, а минусом на р1 и n1. Переход П4 закроется и выключит из работы область n3, П1 и П2 откроются и будут выполнять функции эмиттерных переходов, П2 закроется и будет служить коллекторным переходом.
Структура симистора будет иметь вид р2 - n2, р1- n1, где область р2 будет являться анодом, а n1 - катодом. В результате получаем структуру, работающую в прямом включении, но при обратном напряжении. Симметричная ВАХ будет иметь вид, изображенный на рис. 8.21.
Рис. 8.21. Вольтамперная характеристика симистора
Для обеспечения функционирования индуктивных нагрузок, таких как системы управления скоростью вращения электромоторов в стиральных машинах, пылесосах, вентиляторах и другой бытовой технике, были разработаны симметричные специальные тринисторы, называемые также, трехквадрантными триаками. Это двунаправленные трехэлектродные кремниевые тиристоры с симметричной вольтампернои характеристикой, оптимизированные для управления индуктивными нагрузками без применения систем защиты от пробоя напряжением электродвижущей силы самоиндукции.
К основным параметрам симисторов относят те же параметры, что и для динисторов и тринисторов.