![](/user_photo/2706_HbeT2.jpg)
- •Основные законы электричества
- •Разность потенциалов
- •Напряжение на участке цепи
- •Закон Ома для участка цепи, не содержащего э.Д.С.
- •Закон Ома для участка цепи, содержащего э.Д.С.
- •Законы Кирхгофа
- •Действие электрического тока
- •Магнетизм и электромагнетизм
- •Электромагнитная индукция
- •Взаимоиндукция
- •Движение электронов в ускоряющем электрическом поле
- •Движение электронов в тормозящем электрическом поле
- •Движение электронов в поперечном электрическом поле
- •Движение электронов в магнитном поле
- •Лекция 2 Переменный ток
- •Резистор в цепи переменного тока
- •Катушка в цепи переменного тока
- •Конденсатор в цепи переменного тока
- •Закон Ома для электрической цепи переменного тока
- •Постоянная составляющая в сигнале переменного тока
- •Среднеквадратическое значение (действующее) переменного тока
- •Соотношение между пиковыми и среднеквадратическими значениями
- •Среднеквадратическое значение сложных сигналов
- •Лекция 3 Форма сигнала
- •Период (Цикл)
- •Частота
- •Скважность
- •Соотношение между частотой и периодом
- •Звуковые волны
- •Гармоники
- •Высота тона
- •Гармонические составляющие прямоугольного сигнала
- •Гармонические составляющие пилообразного сигнала
- •Лекция 4 Резисторы
- •Обозначения резисторов на электрических схемах
- •Резисторы переменного сопротивления
- •Терморезисторы
- •Варисторы
- •Конденсатор
- •Емкость конденсатора
- •Связь заряда, емкости и напряжения
- •Основные параметры конденсаторов
- •Электролитические конденсаторы
- •Конденсаторы построечные и переменной емкости
- •Условные обозначения конденсаторов
- •Основные параметры катушек индуктивности
- •Лекция 5 Физические основы полупроводниковой электроники
- •Электронные и дырочные полупроводники
- •Виды токов в полупроводниках
- •Электронно-дырочный переход и его свойства
- •Лекция 6 Полупроводниковые диоды
- •Конструкция полупроводниковых диодов
- •Вольтамперная характеристика и основные параметры полупроводниковых диодов
- •Выпрямительные диоды
- •Стабилитроны
- •Варикапы
- •Фотодиоды
- •Фоторезисторы
- •Светодиоды
- •Понятие о лазерах и лазерных диодах
- •Классификация и система обозначений диодов
- •Лекция 7 Биполярные транзисторы
- •Усилительные свойства биполярного транзистора
- •Схемы включения биполярных транзисторов
- •Статические характеристики транзисторов
- •Динамический режим работы транзистора
- •Ключевой режим работы транзистора
- •Эквивалентная схема транзистора, включенного по схеме с общей базой
- •Эквивалентная схема транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером
- •Эквивалентная схема транзистора, включенного по схеме с общим коллектором
- •Транзистор как активный четырехполюсник
- •Температурное свойство транзисторов
- •Частотное свойство транзисторов
- •Лекция 8 Полевые транзисторы
- •Характеристики и параметры полевых транзисторов
- •Полевые транзисторы с изолированным затвором
- •Понятие о igbt
- •Тиристоры
- •Устройство и принцип действия динисторов
- •Тринисторы
- •Симисторы
- •Классификация и система обозначений тиристоров
- •Лекция 9 Оптрон (оптопара)
- •Фототранзистор и фототиристор
- •Усилители
- •Классификация усилителей
- •Коэффициент усиления
- •Входное сопротивление
- •Измерение входного сопротивления
- •Выходное сопротивление
- •Измерение выходного сопротивления
- •Выходная мощность
- •Согласование сопротивлений для оптимальной передачи мощности
- •Согласование сопротивлений для оптимальной передачи тока
- •Характеристики электронных усилителей
- •Амплитудно-частотная характеристика (ачх)
- •Фазовая характеристика
- •Питание цепи базы транзистора по схеме с фиксированным напряжением базы
- •Термостабилизация рабочей точки при помощи терморезистора и полупроводникового диода
- •Термостабилизация рабочей точки при помощи оос по постоянному напряжению
- •Термостабилизация рабочей точки при помощи оос по постоянному току
- •Усилители напряжения
- •Усилители мощности
- •Широкополосный усилитель
- •Усилители радиочастоты (урч)
- •Лекция 10 Обратная связь в усилителях
- •Структурная схема усилителя с обратной связью
- •Отрицательная обратная связь (оос)
- •Последовательное и параллельное включение обратной связи
- •Операционные усилители
- •Схемы включения операционных усилителей
- •Лекция 11 Генераторы гармонических колебаний
- •Кварцевые генераторы
- •Цифровая и импульсная электроника
- •Транзисторные ключи
- •Логические элементы
- •Интегральные микросхемы
- •Литература
Понятие о лазерах и лазерных диодах
Среди полупроводниковых компонентов не только светодиоды могут излучать свет. На основе кристаллов с электронной проводимостью из арсенида галлия можно создавать полупроводниковые лазерные диоды. Принцип работы лазеров сводится к индуцированному либо вынужденному монохроматическому излучению. Монохроматический свет - это излучение строго определенной длины волны. Генерирование квантов происходит вследствие перехода электронов с дальних электронных орбит на более близкие к ядру. Электроны стремятся занять орбиты близкие к ядру. Чтобы переместить электроны на более дальние энергетические уровни, требуется затратить энергию. Излучение квантов происходит когерентно по отношению к возбуждающему электроны воздействию. Под когерентностью подразумевается воздействие и его результат с одной фазой, направленностью, частотой и поляризацией. Монохроматическое излучение исходит из активной среды лазера, которая преобразует энергию, подводимую к ней от генератора накачки в энергию электромагнитного поля. Генератор накачки берет энергию от источника питания. Чтобы получить излучение, необходимо соединить оптический резонатор с активной средой. От исполнения оптического резонатора и от способа получения излучения зависит когерентность. Оптический резонатор Фабри-Перо может состоять из двух стекол — прозрачного и непрозрачного, между которыми размещена активная среда из рубина или сапфира. Излучение проходит сквозь прозрачное стекло и излучается в пространство. Так как вырабатываемые лазером колебания когерентны во времени и пространстве, можно сконцентрировать энергию в чрезвычайно тонком луче, что позволяет значительно увеличить дальность действия лазера.
В полупроводниковых лазерных диодах возникает инжекция дырок и электронов на границе p-n перехода, сопровождаемая монохроматическим излучением. Полупроводниковые лазерные диоды обладают высокой надежностью, малыми габаритами и массой и могут быть подключены к низковольтному источнику питания с напряжением всего несколько вольт. Благодаря указанным достоинствам лазерные диоды широко используют в лазерных головках считывания и записи CD и DVD приводов к компьютерам, оптических микросхемах, волоконно - оптических системах передачи информации на расстояние. Узкий луч невидимой глазом длины волны весьма трудно обнаружить. Лазерные системы позволяют извлекать информацию из дрожащего от звука голоса стекла и других веществ, что используют в работе соответствующие службы и органы. Однако узко направленный луч проблематично точно навести на объект, поэтому применяют специальные устройства наведения. Так как типичные частоты лазерных систем составляют от 1014 до 1018 Гц, а в радиосистемах 1010 Гц то через лазерные системы можно пропустить значительно больше информации за фиксированный промежуток времени, поэтому волоконно-оптические системы используют для связи модемов на больших расстояниях. Так как луч лазера монохроматический, можно, применяя систему узкополосных фильтров, многократно повысить помехозащищенность системы связи относительно радиосвязи. В оптоволоконном кабеле на лазерное излучение не влияет свечение Солнца, звезд, фонарей и других источников квантового шума, что позволяет минимизировать искажения информации при передаче.
К основным параметрам лазеров относят длину волны излучения, КПД, когерентность, габариты и массу. Лазерные системы подразделяют на следующие виды:
с прохождением излучения в открытом пространстве недалеко от поверхности Земли;
волоконно-оптические системы передачи больших массивов информации, например, между пользователем Интернета и провайдером;
научного изучения других планет, астероидов, естественного спутника Земли;
инструменты хирургов для проведения бескровных операций вследствие разрезания с одновременным прижиганием тканей, применяемые чаще всего в офтальмологии, полостной и нейрохирургии;
военные системы лазерного оружия, например, для точного наведения ракет на цель.