Добавил:
Upload Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:
ЛЕКЦИИ ПО ЭЛЕМЕНТАМ ЭЛЕКТРОНИКИ 2.doc
Скачиваний:
198
Добавлен:
23.09.2019
Размер:
20.45 Mб
Скачать

Эквивалентная схема транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером

Принципиальная схема каскада с общим эмиттером и соответствующая ей эквивалентная схема показаны на рис. 7.18.

Рис. 7.18. Схема каскада с ОЭ и эквивалентная схема транзистора

Входное сопротивление каскада с общим эмиттером находят по формуле

На практике входное сопротивление каскадов с ОЭ может достигать от нескольких сотен до нескольких тысяч Ом.

Эквивалентная схема транзистора, включенного по схеме с общим коллектором

Принципиальная схема каскада с общим коллекто­ром, который также именуют эмиттерным повторителем, и соответствующая ей эквивалентная схема показаны на рис.7.19.

Рис. 7.19. Схема каскада с ОК и эквивалентная схема транзистора

Входное сопротивление каскада с общим коллектором можно определить следующим образом:

Каскад эмиттерного повторителя обладает большим входным сопротивлением, исчисляемым от десятков до сотен тысяч Ом, в чем заключается его основное достоинс­тво. Благодаря высокому входному сопротивлению каскад с общим коллектором часто применяют для согласования блоков усилителей. Выходное сопротивление каскада обычно составляет сотни Ом.

Транзистор как активный четырехполюсник

Четырехполюсником называется любое электрическое устройство, имеющее два входа и два выхода. Актив­ным четырехполюсником называется четырехполюсник, способный усиливать мощность. Представим транзистор в виде активного четырехпо­люсника (рис. 7.20).

Рис. 7.20. Представление транзи­стора, включенного по схеме с общим эмиттером, в виде четы­рехполюсника,

Присвоим входным току и напряжению индексы 1, а выходным напряжению и току индексы 2. Для транзисто­ров достаточно знать две любые переменные из четырех - U1, I1 и U2, I2, две остальные переменные можно найти по статическим характеристикам транзистора. Пере­менные, которые известны или же которыми задаются, называют независимыми, две другие переменные, которые можно определить, именуют зависимыми переменными.

В зависимости от того, какие из переменных будут выби­раться в виде независимых, можно получить разные системы параметров в режиме малого сигнала

(табл 7.1).

Таблица 7.1

Некоторые системы параметров

Независимая переменная I 1, I2 U1, U2 I1, U2

Зависимая переменная U1, U2 I1, I2 I2, I1

Система z y h

В системе h параметров в виде независимых пере­менных приняты входной ток и выходное напряжение. В этом случае зависимые переменные U1 = f(I1, U2),

I2 = f (I1, U2).

Тогда два основных уравнения, определяющие зависимые переменные должны иметь вид:

U1 = I1P + U2Q

I2 = I1R + U2S

Поскольку пара­метр Р связывает между собой величины U1 и I1, он имеет размерность сопротивления. Параметр Q связыва­ет между собой величины U1 и U2, следовательно представляет собой, безразмерное число. Аналогичным обра­зом, параметр R есть отношение двух токов, т. е. безраз­мерное число, а параметр S, связывающий ток I2 и на­пряжение U2, имеет размерность проводимости. Когда параметры имеют различные размерности, как в нашем случае, говорят, что это гибридный набор параметров. Такие параметры принято обозначать буквой h. Наше уравнение при этом приобретает вид:

U1 = I1h11 + U2h12

I2 = I1h21 + U2h22.

Для определения параметров мы можем положить равными нулю либо ток I1 либо напряжение U2 . В ре­зультате получаются следующие соотношения:

h11 = U1/I1, при U2 = 0,

h12 = U1/U2, при I1 = 0,

h21 = I2/I1, при U2 = 0,

h22 = I2/U2, при I1 = 0.

Для схемы (Рис.7.18) U1 = Uбэ, I1 = Iб, U2 = Uкэ, I2 = Iк.

Все напряжения и токи в дан­ных соотношениях представляют собой переменные со­ставляющие, измеренные в определенной рабочей точке, задаваемой конкретным смещением по постоянному то­ку. Таким образом, равенство Uкэ = 0 означает, что кол­лекторное напряжение является фиксированным и равно величине, соответствующей смещению по постоянному току. Аналогично выражение Iбэ = 0 показывает, что ба­зовый ток является постоянным и соответствует уровню, определяемому смещением по постоянному току.

Найдем связь данных параметров с характеристика­ми, приближенный вид которых показан на рис. 7.21.

Рис. 7.21. График к определению h - параметров транзи­стора

а - семейство входных характеристик и б - семейство выход­ных характеристик.

Рассмотрим по очереди каждое из определений:

h11 = U1/I1, при U2 = 0, или h11 = hвхэ = Uбэ/Iб, при Uкэ = 0.

Если напряжение Uкэ равно нулю, рабочая точка мо­жет перемещаться только вдоль той входной характери­стики, которая на рис. 7.19, а помечена поперечными штрихами. Следовательно, сопротивление h11 = hвх.э представляет собой котангенс угла наклона входной характеристики при коротком замыкании на выходе по переменному то­ку, т. е. h11 = hвх.э есть входное сопротивление схемы в режи­ме короткого замыкания по выходу. Значения этого па­раметра составляют величины около 1000 Ом, h12 = U1/U2, при I1 = 0, или h12 = hобрэ = Uбэ/Uкэ, при Iб = 0. Если ток базы Iб = 0, рабочая точка может двигаться только вдоль горизонтальной линии, определяемой пара­метром Iб. На рис. 7.19, а показано, как при этом связаны между собой переменные Uкэ и Uбэ. Параметр h12 = hбэ обыч­но называют обратным коэффициентом передачи по на­пряжению. Он очень мал по величине (приблизительно10-3), и им часто можно пренебречь, h21 = I2/I1, при U2 = 0, или h21 = hпрэ = Iк/Iб, при Uкэ = 0. Обратившись к рис. 7.19,б, где показаны выходные ха­рактеристики, увидим, что параметр hпрэ представляет собой отношение тока коллектора Iк к току базы Iб при постоянном напряжении между эмиттером и кол­лектором. Этот наиболее важ­ный параметр транзисто­ра имеет название коэф­фициента усиления по то­ку в режиме короткого за­мыкания на выходе. В транзисторе с p-n-p пере­ходом оба тока Iб и Iк текут в направлении от транзистора, поэтому, учитывая принятые обо­значения для четырехпо­люсников, токи Iб и Iк должны быть взяты со знаком минус. Таким об­разом, их отношение, представляющее собой не что иное, как hпрэ, вели­чина положительная. Параметры hпрэ тран­зисторов массового производства имеют значения, лежащие в пределах от 10 до 500, и зависят от типа транзистора и режима работы в конкретных схемах, h22 = I2/U2, при I1 = 0, или h22 = hвыхэ = Iк/Uкэ, при Iб = 0.

Из рис. 7.21,б видно, что этот параметр (представляет тангенс угла наклона выходной характеристики. Следо­вательно, hвыхэ есть проводимость. Обычно его называют выходной проводимостью в режиме холостого хода. Ти­повое значение величины hвыхэ равно 100 мксим, т. е. выходное сопротивление составляет 10 ком. Эквивалентную схему транзистора с общим эмиттером соответствующую уравнениям

Uбэ = Iбh11 + Uкэh12

Iк = Iбh21 + Uкэh22

построим исходя из следующего: видно, что первое уравнение представляет собой сумму двух напряжений. Поскольку эта часть эквивалентной схемы должна проводить ток Iб напряжение h11Iб можно рас­сматривать как падение напряжения на сопротивлении величиной h11, Ом. Вторую составляющую напряжения Uкэh12 можно рассматривать как вырабатываемую источ­ником. Второе уравнение представляет собой сумму двух то­ков, и поэтому эквивалентная схема должна со­держать два параллельно соединенных компонента. Можно считать, что ток Uкэh22 протекает по проводимости величиной h22, 1/Ом, падение напряжения на которой рав­но Uкэ. Вторую составляющую Iбh21 можно рассматривать как источник тока, соединенный парал­лельно с проводимостью h22

На рис. 7.22 показана эквивалентная схема.

Рис. 7.22. Эквивалент­ная схема транзистора с общим эмиттером для h параметров