![](/user_photo/2706_HbeT2.jpg)
- •Основные законы электричества
- •Разность потенциалов
- •Напряжение на участке цепи
- •Закон Ома для участка цепи, не содержащего э.Д.С.
- •Закон Ома для участка цепи, содержащего э.Д.С.
- •Законы Кирхгофа
- •Действие электрического тока
- •Магнетизм и электромагнетизм
- •Электромагнитная индукция
- •Взаимоиндукция
- •Движение электронов в ускоряющем электрическом поле
- •Движение электронов в тормозящем электрическом поле
- •Движение электронов в поперечном электрическом поле
- •Движение электронов в магнитном поле
- •Лекция 2 Переменный ток
- •Резистор в цепи переменного тока
- •Катушка в цепи переменного тока
- •Конденсатор в цепи переменного тока
- •Закон Ома для электрической цепи переменного тока
- •Постоянная составляющая в сигнале переменного тока
- •Среднеквадратическое значение (действующее) переменного тока
- •Соотношение между пиковыми и среднеквадратическими значениями
- •Среднеквадратическое значение сложных сигналов
- •Лекция 3 Форма сигнала
- •Период (Цикл)
- •Частота
- •Скважность
- •Соотношение между частотой и периодом
- •Звуковые волны
- •Гармоники
- •Высота тона
- •Гармонические составляющие прямоугольного сигнала
- •Гармонические составляющие пилообразного сигнала
- •Лекция 4 Резисторы
- •Обозначения резисторов на электрических схемах
- •Резисторы переменного сопротивления
- •Терморезисторы
- •Варисторы
- •Конденсатор
- •Емкость конденсатора
- •Связь заряда, емкости и напряжения
- •Основные параметры конденсаторов
- •Электролитические конденсаторы
- •Конденсаторы построечные и переменной емкости
- •Условные обозначения конденсаторов
- •Основные параметры катушек индуктивности
- •Лекция 5 Физические основы полупроводниковой электроники
- •Электронные и дырочные полупроводники
- •Виды токов в полупроводниках
- •Электронно-дырочный переход и его свойства
- •Лекция 6 Полупроводниковые диоды
- •Конструкция полупроводниковых диодов
- •Вольтамперная характеристика и основные параметры полупроводниковых диодов
- •Выпрямительные диоды
- •Стабилитроны
- •Варикапы
- •Фотодиоды
- •Фоторезисторы
- •Светодиоды
- •Понятие о лазерах и лазерных диодах
- •Классификация и система обозначений диодов
- •Лекция 7 Биполярные транзисторы
- •Усилительные свойства биполярного транзистора
- •Схемы включения биполярных транзисторов
- •Статические характеристики транзисторов
- •Динамический режим работы транзистора
- •Ключевой режим работы транзистора
- •Эквивалентная схема транзистора, включенного по схеме с общей базой
- •Эквивалентная схема транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером
- •Эквивалентная схема транзистора, включенного по схеме с общим коллектором
- •Транзистор как активный четырехполюсник
- •Температурное свойство транзисторов
- •Частотное свойство транзисторов
- •Лекция 8 Полевые транзисторы
- •Характеристики и параметры полевых транзисторов
- •Полевые транзисторы с изолированным затвором
- •Понятие о igbt
- •Тиристоры
- •Устройство и принцип действия динисторов
- •Тринисторы
- •Симисторы
- •Классификация и система обозначений тиристоров
- •Лекция 9 Оптрон (оптопара)
- •Фототранзистор и фототиристор
- •Усилители
- •Классификация усилителей
- •Коэффициент усиления
- •Входное сопротивление
- •Измерение входного сопротивления
- •Выходное сопротивление
- •Измерение выходного сопротивления
- •Выходная мощность
- •Согласование сопротивлений для оптимальной передачи мощности
- •Согласование сопротивлений для оптимальной передачи тока
- •Характеристики электронных усилителей
- •Амплитудно-частотная характеристика (ачх)
- •Фазовая характеристика
- •Питание цепи базы транзистора по схеме с фиксированным напряжением базы
- •Термостабилизация рабочей точки при помощи терморезистора и полупроводникового диода
- •Термостабилизация рабочей точки при помощи оос по постоянному напряжению
- •Термостабилизация рабочей точки при помощи оос по постоянному току
- •Усилители напряжения
- •Усилители мощности
- •Широкополосный усилитель
- •Усилители радиочастоты (урч)
- •Лекция 10 Обратная связь в усилителях
- •Структурная схема усилителя с обратной связью
- •Отрицательная обратная связь (оос)
- •Последовательное и параллельное включение обратной связи
- •Операционные усилители
- •Схемы включения операционных усилителей
- •Лекция 11 Генераторы гармонических колебаний
- •Кварцевые генераторы
- •Цифровая и импульсная электроника
- •Транзисторные ключи
- •Логические элементы
- •Интегральные микросхемы
- •Литература
Статические характеристики транзисторов
Статическим режимом работы транзистора называется такой режим, при котором входной тока, входное напряжение, а также выходной ток и выходное напряжения не изменяются во времени. Токи, или напряжения транзистора в данном режиме описывается уравнениями статики вида I = f (u), в которых отсутствует время t. Соответствующие им графики называются статическими характеристиками. Статические характеристики транзистора могут быть представлены кривыми
I = f (U). Статические характеристики каскада, выполненного по схеме с ОБ, изображенной на рис.7.8, измеряют двумя вольтметрами и двумя миллиамперметрами.
Рис. 7.8. Схема для измерения статических характеристик транзистора в каскаде с ОБ
Статические характеристики транзисторов бывают двух видов: входные и выходные. Входные характеристики (рис. 7.9) - зависимость входного тока от входного напряжения при постоянном выходном напряжении: Iвх = f (Uвх) при Uвых = const. Для каскада, выполненного по схеме с ОБ: Iвх = f (Uвх) при Uвых = const, Iэ = f (Uбэ) при Uбк = const.
Рис. 7.9. Выходные характеристики, соответствующие входным,
Входные характеристики представляют собой прямую ветвь открытого p-n перехода. При увеличении выходного напряжения коллектор - база транзистора носители заряда быстрее преодолевают базу и рекомбинируют, следовательно, ток базы уменьшается (когда электрон рекомбинирует в области базы, происходит кратковременное нарушение равновесия, поскольку база приобретает отрицательный заряд и батарея, которая является источником положительного заряда поставляет его в базу, и эти дырки образуют базовый ток транзистора), поэтому характеристика при напряжении коллектор-эмиттер транзистора больше 0 будет проходить левее.
Выходные характеристики - зависимости выходного тока от выходного напряжения при постоянном входном токе: Iвых = f (Uвых) при Iвх = const.
Для схемы включения с ОБ Iк = f (Uбк) при Iэ = const, (рис. 7.10).
Рис. 7.10. Выходные характеристики для схемы включения с ОБ
Выходные характеристики представляют собой прямые линии, почти параллельные оси напряжения. Это объясняется тем, что коллекторный переход транзистора закрыт независимо от величины напряжения база-коллектор и ток коллектора определяется только количеством носителей заряда, проходящих из эмиттера через базу в коллектор, т. е. током эмиттера.
Динамический режим работы транзистора
Статические ВАХ сняты при отсутствии сопротивления нагрузки в выходной цепи. В практических случаях выходная цепь содержит сопротивление нагрузки. В этом случае говорят о динамическом режиме работы транзистора.
В динамическом режиме изменения коллекторного тока зависят не только от изменения базового тока, но и от изменения напряжения на коллекторе, которое, в свою очередь, определяется изменениями как базового, так и коллекторного токов. Такой режим работы называется динамическим, а характеристики, определяющие связь между токами и напряжениями транзистора при наличии сопротивления нагрузки - динамическими. Динамические характеристики строятся на семействе статических ВАХ при заданном значении Rк (рис. 7.11) .
Рис. 7.11. Схема каскада с ОЭ и коллекторной нагрузкой
Найдем напряжение питания каскада с ОЭ из выражения Ек = URк + Uкэ, в котором падение напряжения на сопротивлении коллекторного резистора
URк = Iк Rк,
где Iк - ток коллектора транзистора; Rк - сопротивление коллекторного резистора.
Теперь можно записать формулу для вычисления напряжения источника питания следующим образом:
Ек = Uкэ + IкRк.
Напряжение коллектор-эмиттер транзистора можно найти по формуле,
Uкэ = Ек - IкRк.
Последняя формула называется уравнением динамического режима работы транзистора.
Уравнение динамического режима является уравнением выходной динамической характеристики. Так как это уравнение линейное, выходная динамическая характеристика представляет собой прямую линию и строится на выходных статических характеристиках (рис. 7.12).
Рис. 7.12. Динамическая характеристика
Две точки для построения прямой находятся из начальных условий.
Ток коллектора транзистора Iк при напряжении коллектор-эмиттер транзистора Uкэ, равном 0, называется током коллектора насыщения. Выходная динамическая характеристика получила название нагрузочной прямой. Зная прохождение нагрузочной прямой, можно построить входную динамическую характеристику, но поскольку она очень близка к входной статической характеристике при напряжении коллектор-эмиттер транзистора больше 0, то на практике пользуются входной статической характеристикой. Точка пересечения нагрузочной прямой с одной из ветвей выходной статической характеристики для заданного тока базы называется рабочей точкой транзистора. Она позволяет определять токи и напряжения, реально существующие в схеме.