![](/user_photo/2706_HbeT2.jpg)
- •Основные законы электричества
- •Разность потенциалов
- •Напряжение на участке цепи
- •Закон Ома для участка цепи, не содержащего э.Д.С.
- •Закон Ома для участка цепи, содержащего э.Д.С.
- •Законы Кирхгофа
- •Действие электрического тока
- •Магнетизм и электромагнетизм
- •Электромагнитная индукция
- •Взаимоиндукция
- •Движение электронов в ускоряющем электрическом поле
- •Движение электронов в тормозящем электрическом поле
- •Движение электронов в поперечном электрическом поле
- •Движение электронов в магнитном поле
- •Лекция 2 Переменный ток
- •Резистор в цепи переменного тока
- •Катушка в цепи переменного тока
- •Конденсатор в цепи переменного тока
- •Закон Ома для электрической цепи переменного тока
- •Постоянная составляющая в сигнале переменного тока
- •Среднеквадратическое значение (действующее) переменного тока
- •Соотношение между пиковыми и среднеквадратическими значениями
- •Среднеквадратическое значение сложных сигналов
- •Лекция 3 Форма сигнала
- •Период (Цикл)
- •Частота
- •Скважность
- •Соотношение между частотой и периодом
- •Звуковые волны
- •Гармоники
- •Высота тона
- •Гармонические составляющие прямоугольного сигнала
- •Гармонические составляющие пилообразного сигнала
- •Лекция 4 Резисторы
- •Обозначения резисторов на электрических схемах
- •Резисторы переменного сопротивления
- •Терморезисторы
- •Варисторы
- •Конденсатор
- •Емкость конденсатора
- •Связь заряда, емкости и напряжения
- •Основные параметры конденсаторов
- •Электролитические конденсаторы
- •Конденсаторы построечные и переменной емкости
- •Условные обозначения конденсаторов
- •Основные параметры катушек индуктивности
- •Лекция 5 Физические основы полупроводниковой электроники
- •Электронные и дырочные полупроводники
- •Виды токов в полупроводниках
- •Электронно-дырочный переход и его свойства
- •Лекция 6 Полупроводниковые диоды
- •Конструкция полупроводниковых диодов
- •Вольтамперная характеристика и основные параметры полупроводниковых диодов
- •Выпрямительные диоды
- •Стабилитроны
- •Варикапы
- •Фотодиоды
- •Фоторезисторы
- •Светодиоды
- •Понятие о лазерах и лазерных диодах
- •Классификация и система обозначений диодов
- •Лекция 7 Биполярные транзисторы
- •Усилительные свойства биполярного транзистора
- •Схемы включения биполярных транзисторов
- •Статические характеристики транзисторов
- •Динамический режим работы транзистора
- •Ключевой режим работы транзистора
- •Эквивалентная схема транзистора, включенного по схеме с общей базой
- •Эквивалентная схема транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером
- •Эквивалентная схема транзистора, включенного по схеме с общим коллектором
- •Транзистор как активный четырехполюсник
- •Температурное свойство транзисторов
- •Частотное свойство транзисторов
- •Лекция 8 Полевые транзисторы
- •Характеристики и параметры полевых транзисторов
- •Полевые транзисторы с изолированным затвором
- •Понятие о igbt
- •Тиристоры
- •Устройство и принцип действия динисторов
- •Тринисторы
- •Симисторы
- •Классификация и система обозначений тиристоров
- •Лекция 9 Оптрон (оптопара)
- •Фототранзистор и фототиристор
- •Усилители
- •Классификация усилителей
- •Коэффициент усиления
- •Входное сопротивление
- •Измерение входного сопротивления
- •Выходное сопротивление
- •Измерение выходного сопротивления
- •Выходная мощность
- •Согласование сопротивлений для оптимальной передачи мощности
- •Согласование сопротивлений для оптимальной передачи тока
- •Характеристики электронных усилителей
- •Амплитудно-частотная характеристика (ачх)
- •Фазовая характеристика
- •Питание цепи базы транзистора по схеме с фиксированным напряжением базы
- •Термостабилизация рабочей точки при помощи терморезистора и полупроводникового диода
- •Термостабилизация рабочей точки при помощи оос по постоянному напряжению
- •Термостабилизация рабочей точки при помощи оос по постоянному току
- •Усилители напряжения
- •Усилители мощности
- •Широкополосный усилитель
- •Усилители радиочастоты (урч)
- •Лекция 10 Обратная связь в усилителях
- •Структурная схема усилителя с обратной связью
- •Отрицательная обратная связь (оос)
- •Последовательное и параллельное включение обратной связи
- •Операционные усилители
- •Схемы включения операционных усилителей
- •Лекция 11 Генераторы гармонических колебаний
- •Кварцевые генераторы
- •Цифровая и импульсная электроника
- •Транзисторные ключи
- •Логические элементы
- •Интегральные микросхемы
- •Литература
Термостабилизация рабочей точки при помощи оос по постоянному напряжению
Термостабилизация рабочей точки при помощи отрицательной обратной связи по постоянному напряжению применяется при питании цепи базы транзистора фиксированным током (рис. 9.22).
Рис. 9.22. Термостабилизация при помощи ООС по постоянному напряжению
В этом случае резистор Rб подключается не к плюсу источника питания, а к коллектору транзистора VТ1, получим делитель напряжения из включенных последовательно сопротивлений резистора Rб и перехода база-эмиттер транзистора VТ1. Пользуясь уравнениями Кирхгофа, найдем напряжение коллектор-эмиттер транзистора: Uкэ = URб + Uбэ.
Из формулы видно, что если напряжение URб фиксировано, то при уменьшении напряжения база-эмиттер транзистора Uбэ уменьшается напряжение коллектор-эмиттер транзистора Uкэ.
При увеличении температуры напряжение коллектор-эмиттер транзистора Uкэ уменьшается. Это уменьшение напряжения через цепь обратной связи (ОС), состоящую из резистора Rб, передается на базу транзистора. Напряжение Uбэ уменьшается, чем достигается стабилизация положения рабочей точки.
Термостабилизация рабочей точки при помощи оос по постоянному току
Термостабилизация рабочей точки при помощи ООС по постоянному току применяется при питании цепи базы по схеме с фиксированным напряжением базы (рис. 9.23).
Рис. 9.23. Термостабилизация при помощи ООС по постоянному току
При возрастании температуры окружающей среды увеличивается ток коллектора транзистора Iк, а следовательно, и ток эмиттера Iэ, за счет чего напряжение URбэ будет уменьшаться. Так как напряжение URб„ постоянно, то при увеличении напряжения база-эмиттер транзистора Uбэ напряжение URэ тоже увеличивается, что можно увидеть из выражения
Uбэ↑ = URб„ - URэ↑.
В итоге эмиттерный переход подзапирается, и рабочая точка сохраняет свое положение. Так как изменение напряжения на резисторе Rэ должно зависеть только от изменения температуры и не изменяться по закону переменной составляющей усиливаемого сигнала, резистор Rэ шунтируется конденсатором большой емкости, через который будет протекать переменная составляющая, а через Rэ постоянная составляющая тока. Величину емкости конденсатора Сэ выбирают из условия 1/ωCэ < Rэ.
Полярность напряжения, приложенного к конденсатору Сэ, указана на рис. 9.16.
Усилители напряжения
Это наиболее распространенный тип усилителей. Эти усилители имеют. большой коэффициент усиления по напряжению для обеспечения максимальной величины выходного напряжения. Они используются в тех случаях, когда требуется большой размах напряжения, например в предвыходных каскадах усилителей мощности.
Усилители мощности
Эти усилители обладает большими коэффициентами усиления по мощности и по току, обеспечивая тем самым максимальную мощность выходного сигнала. Усилитель мощности используется в электронной системе в качестве выходного каскада для передачи мощности в нагрузку. Для стандартных электронных систем требуются следующие типичные значения выходной мощности:
усилитель небольшого радиоприемника 200 мВ;
аудиосистема 100 Вт и более.