![](/user_photo/2706_HbeT2.jpg)
- •29.1.2. Закон Кірхгофа
- •29.1.3. Закони випромінювання ачт
- •29.2. Зовнішній фотоефект
- •29.3. Енергія та імпульс світлових квантів
- •29.4. Ефект Комптона
- •29.5. Модель атома Бора - Резерфорда. Досліди Франка і Герца
- •29.6. Спектр атома водню за Бором
- •30. Елементи квантової механіки
- •30.1. Корпускулярно-хвильовий дуалізм
- •30.2. Співвідношення невизначеностей Гейзенберга
- •30.3. Хвильова функція і її статистичний зміст
- •30.4. Рівняння Шредінгера
- •30.5. Розв’язування рівняння Шредінгера для мікрочастинки, що міститься в нескінченно глибокій потенціальній ямі
- •30.6. Квантовий гармонічний осцилятор
- •30.7. Тунельний ефект
- •31. Фізика атомів і молекул
- •31.1. Квантово-механічна модель атома водню
- •31.2. Дослід Штерна і Герлаха. Спін електрона
- •31.3. Принцип Паулі. Періодична система елементів Менделєєва
- •31.4. Рентгенівські спектри
- •31.5. Типи міжатомних зв'язків і утворення молекул
- •31.6. Молекулярні спектри
- •31.7. Комбінаційне розсіювання світла
- •31.8. Люмінесценція
- •32. Елементи квантової статистики
- •32.1. Класична і квантова статистики
- •32.2. Розподіли Фермі-Дірака та Бозе-Ейнштейна
- •33. Фізика твердого тіла
- •33.1. Елементи зонної теорії кристалів
- •33.2. Діелектрики
- •33.3. Метали
- •33.4. Напівпровідники
- •33.5. Домішкова провідність напівпровідників
- •33.7. Напівпровідникові прилади
- •33.8. Фотопровідність
- •34. Макроскопічні квантові ефекти
- •34.1 Явище надпровідності
- •34.2. Ефект Джозефсона
- •34.3. Надтекучість
- •35. Основи квантової електроніки
- •35.1. Взаємодія випромінювання з речовиною
- •35.2. Інверсна заселеність
- •35.3. Лазери
- •36. Фізика атомного ядра
- •36.1. Будова та основні характеристики атомних ядер
- •36.2. Енергія зв'язку ядра. Дефект маси
- •36.3. Властивості ядерних сил
- •36.4. Феноменологічні моделі ядра
- •36.5. Радіоактивні перетворення атомних ядер
- •36.6. Закономірності -розпаду
- •36.7. Закономірності -розпаду
- •36.9. Ядерні реакції
- •36.40. Спонтанний поділ ядер
- •36.11. Вимушений поділ ядер. Ланцюгова реакція поділу
- •36.12. Ядерний реактор
- •36.13. Термоядерні реакції
- •36.14. Дозиметричні одиниці
- •37. Елементарні частинки
- •37.1. Фундаментальні взаємодії
- •37.2. Класи елементарних частинок
- •37.3. Характеристики елементарних частинок
- •37.4. Частинки й античастинки
- •37.5. Лептони
- •37.6. Адрони
- •37.7. Кварки
- •37.8. Переносники фундаментальних взаємодій
- •37.9. Велике об'єднання
- •Висновок
33.8. Фотопровідність
При поглинанні напівпровідником фотона, енергія якого більша ширини заборонної зони (h>W), можливий перехід електрона з валентної зони в зону провідності й одночасне утворення дірки у валентній зоні. Утворення додаткових носіїв заряду приводить до збільшення провідності напівпровідника. Поряд з утворенням фотоелектронів і фотодірок відбувається конкуруючий процес їхньої рекомбінації. У результаті при постійній освітленості напівпровідника утворюється порівняно невелика стаціонарна концентрація вільних носіїв струму. Для збільшення ефекту в напівпровідник вводять домішкові атоми (пастки), які, наприклад, можуть захоплювати дірки з валентної зони. Тоді число електронів у зоні провідності може значно зрости, оскільки їхня рекомбінація з дірками утруднена. У цьому випадку чутливість напівпровідника до освітлення різко зростає й зміна опору може становити 106.
Напівпровідникові фотоопори широко використовуються для реєстрації світлових сигналів. Їх переваги – висока фоточутливість і малі габаритні розміри, а недоліки - нелінійність люкс-амперної характеристики та інерційність.
34. Макроскопічні квантові ефекти
34.1 Явище надпровідності
У попередніх розділах ми вивчали квантово-механічні явища на мікроскопічному рівні. Виявляється, що в таких ефектах, як надпровідність металів і надтекучість рідкого гелію, квантово-механічні ефекти проявляються в макроскопічних масштабах.
Явище надпровідності полягає в тому, що при температурах, менших деякої критичної, опір ряду металів і сплавів стрибком зменшується до нуля. Це явище було відкрито в 1911 р. Камерлінг-Онесом. Відзначимо деякі властивості надпровідників.
Рис. 34.1
2. При пропусканні через надпровідник струму створюється магнітне поле і, коли індукція магнітного поля стає рівною Bкр, надпровідний стан руйнується. Таким чином, значення надпровідного струму обмежено зверху деяким значенням Bкр.
3. Розрізняють надпровідники першого та другого роду. Надпровідники першого роду (чисті метали) однорідні за структурою і надпровідний стан у них виникає в повному обсязі. Надпровідники другого роду (деякі сплави) у відносно слабких магнітних полях стають неоднорідними і розбиваються на надпровідні зони (області) та зони нормального металу. Слід зазначити також, що в надпровідників другого роду надпровідні зони можуть зберігатися навіть у дуже сильних магнітних полях, що важливо для практичних цілей.
4. Для надпровідників першого роду характерний ефект Мейснера, що полягає в тому, що в процесі охолодження металу в магнітному полі в момент переходу його в надпровідний стан магнітне поле повністю витісняється з його об'єму. Це означає, що в надпровіднику може протікати тільки поверхневий струм (товщина шару провідності 10-8 м). Магнітне поле цього струму компенсує зовнішнє магнітне поле, так що усередині надпровідника повне поле дорівнює нулю.
Теорія надпровідності була створена в 1957 р. Д. Бардіним, Л. Купером і Д. Шриффером (теорія БКШ) і вдосконалена М. М.Боголюбовим. Основна ідея теорії БКШ така. Електрони, що рухаються в металі, оточені «хмаркою» позитивного заряду, що виникає через притягання до них позитивних іонів кристалічної гратки. До такої системи (електрон — «хмарка» позитивного заряду) може бути притягнутий який-небудь інший електрон, що також оточений «хмаркою» позитивного заряду. У тому випадку, коли спіни електронів протилежні, такий зв'язок є стійким і утвориться так звана куперівська електронна пара. Оскільки спін куперівської пари дорівнює нулю, то куперівські пари є бозонами й при зниженні температури до 0 К вони розташовуються на самому нижчому енергетичному рівні.
Енергію зв'язку куперівської пари позначають . На відміну від нормального металу в надпровідників між заповненими й незаповненими станами є енергетична щілина шириною (рис. 34.2).
Рис. 34.2
Розсіювання одного з електронів пари на неоднорідності кристала означало б розрив зв'язку, на що необхідна енергію . При низьких температурах і малих швидкостях руху електрону нівідкіля взяти енергію для розриву цього зв'язку. У цих умовах куперівські пари можуть вільно, без зіткнень рухатися по всьому кристалі. Це означає повну відсутність опору: R=0.
При підвищенні температури ширина енергетичної щілини зменшується й при T=Tкр значення стає рівним нулю — надпровідність зникає.
Значення критичної температури Tкр для більшості металів і сплавів дуже малі. Наприклад, для ніобію Tкр=9, свинцю — 7,2 K, вольфраму — 0,01 K. Довгий час рекордне значення Tкр мала плівка зі сполуки Nb3Ge: Tкр=23 K.
В 1986 р. спочатку Г. Беднорз і А. Мюллер, а потім Р. Чу відкрили високотемпературну надпровідність для сполук типу керамік, що складаються із суміші оксидів. Так, для кераміки La2O3BaCu Tкр=33 K, а для кераміки YO3BaCu Tкр=90 K. В 1988 р. було досягнуто рекордне значення Tкр=128 K.
Механізм утворення куперівських пар у високотемпературних надпровідниках поки неясний – дослідження в цьому напрямку тривають.
Рис. 34.3
=n0,
де
— квант магнітного потоку, або флюксон.
Механізм квантування магнітного потоку розглянуто у Додатку 10.
На закінчення розглянемо деякі практичні застосування явища надпровідності.
Для згладжування піків споживання електроенергії вже зараз використовуються надпровідні індукційні нагромаджувачі, які можуть акумулювати до 4103 кВтгод, успішно конкуруючи з гідроакумулюючими агрегатами, створені дослідні зразки надпровідних ліній електропередачі, які за вартістю перевищують звичайні майже в 2 рази. Надпровідники використовують також при конструюванні деяких типів електрогенераторів, при створенні транспортних систем. Особливо слід виділити використання надпровідників в інформатиці й конструюванні високочутливих приладів для вимірювання малих температур, слабких магнітних полів тощо. Сверхпроводящие магниты используются в ускорителях элементарных частиц для создания сильных магнитных полей.