![](/user_photo/2706_HbeT2.jpg)
- •29.1.2. Закон Кірхгофа
- •29.1.3. Закони випромінювання ачт
- •29.2. Зовнішній фотоефект
- •29.3. Енергія та імпульс світлових квантів
- •29.4. Ефект Комптона
- •29.5. Модель атома Бора - Резерфорда. Досліди Франка і Герца
- •29.6. Спектр атома водню за Бором
- •30. Елементи квантової механіки
- •30.1. Корпускулярно-хвильовий дуалізм
- •30.2. Співвідношення невизначеностей Гейзенберга
- •30.3. Хвильова функція і її статистичний зміст
- •30.4. Рівняння Шредінгера
- •30.5. Розв’язування рівняння Шредінгера для мікрочастинки, що міститься в нескінченно глибокій потенціальній ямі
- •30.6. Квантовий гармонічний осцилятор
- •30.7. Тунельний ефект
- •31. Фізика атомів і молекул
- •31.1. Квантово-механічна модель атома водню
- •31.2. Дослід Штерна і Герлаха. Спін електрона
- •31.3. Принцип Паулі. Періодична система елементів Менделєєва
- •31.4. Рентгенівські спектри
- •31.5. Типи міжатомних зв'язків і утворення молекул
- •31.6. Молекулярні спектри
- •31.7. Комбінаційне розсіювання світла
- •31.8. Люмінесценція
- •32. Елементи квантової статистики
- •32.1. Класична і квантова статистики
- •32.2. Розподіли Фермі-Дірака та Бозе-Ейнштейна
- •33. Фізика твердого тіла
- •33.1. Елементи зонної теорії кристалів
- •33.2. Діелектрики
- •33.3. Метали
- •33.4. Напівпровідники
- •33.5. Домішкова провідність напівпровідників
- •33.7. Напівпровідникові прилади
- •33.8. Фотопровідність
- •34. Макроскопічні квантові ефекти
- •34.1 Явище надпровідності
- •34.2. Ефект Джозефсона
- •34.3. Надтекучість
- •35. Основи квантової електроніки
- •35.1. Взаємодія випромінювання з речовиною
- •35.2. Інверсна заселеність
- •35.3. Лазери
- •36. Фізика атомного ядра
- •36.1. Будова та основні характеристики атомних ядер
- •36.2. Енергія зв'язку ядра. Дефект маси
- •36.3. Властивості ядерних сил
- •36.4. Феноменологічні моделі ядра
- •36.5. Радіоактивні перетворення атомних ядер
- •36.6. Закономірності -розпаду
- •36.7. Закономірності -розпаду
- •36.9. Ядерні реакції
- •36.40. Спонтанний поділ ядер
- •36.11. Вимушений поділ ядер. Ланцюгова реакція поділу
- •36.12. Ядерний реактор
- •36.13. Термоядерні реакції
- •36.14. Дозиметричні одиниці
- •37. Елементарні частинки
- •37.1. Фундаментальні взаємодії
- •37.2. Класи елементарних частинок
- •37.3. Характеристики елементарних частинок
- •37.4. Частинки й античастинки
- •37.5. Лептони
- •37.6. Адрони
- •37.7. Кварки
- •37.8. Переносники фундаментальних взаємодій
- •37.9. Велике об'єднання
- •Висновок
29.2. Зовнішній фотоефект
Явище взаємодії електромагнітного випромінювання з речовиною, при якому енергія передається безпосередньо електронам речовини, і вони виходять у навколишній простір, називається зовнішнім фотоефектом.
Експериментально були встановлені такі закономірності фотоефекту:
1) максимальна енергія фотоелектронів не залежить від інтенсивності світла;
2) максимальна енергія фотоелектронів пропорційна частоті падаючого світла;
З) число фотоелектронів пропорційно інтенсивності світла;
4) існує деяке граничне значення частоти 0, яке називається червоною границею фотоефекту – при частоті світла 0 фотоефект припиняється;
5) фотоефект практично безінерційний.
Ці закономірності не могли бути пояснені з точки зору хвильової природи світла. Згідно з цією теорією енергія фотоелектронів повинна бути пропорційна інтенсивності падаючого світла, а червоної границі взагалі не повинно існувати.
Правильна теорія фотоефекту дана . Ейнштейном (1905 р.), що виходив з корпускулярних уявлень про природу світла. Згідно з А. Ейнштейном явище фотоефекту являє собою непружне зіткнення кванта світла (фотона) з одним із електронів речовини, в результаті якого електрон, що одержав надлишкову енергію, може вийти за межі речовини. Закон збереження енергії в цьому процесі описується рівнянням Ейнштейна.
-
(29.17)
де h — енергія фотона; А — робота виходу електрона з речовини.
З рівняння (29.17) видно, що mv2/2 , тим самим пояснюється друга закономірність фотоефекту. Існування червоної границі фотоефекту пояснюється тим, що в міру зменшення частоти падаючого світла зменшується також кінетична енергія електронів і при деякій частоті =0 mv2/2=0 фотоефект припиняється.
Порогову частоту 0 можна знайти з умови h0=A, звідки
Інтенсивність світла визначається співвідношенням I=Nh де N— число квантів світла й тому з ростом інтенсивності світла зростає число актів взаємодії фотонів з електронами (і зростає число електронів, що вилетіли, але не їх енергія). Цим пояснюється перша й третя закономірноcті фотоефекту.
Рівняння (29.17) описує так званий однофотонний фотоефект, коли електроном поглинається лише один фотон (ймовірність одночасного поглинання електроном двох і більш фотонів настільки мала, що нею можна знехтувати). У зв'язку зі створенням потужних джерел монохроматичного випромінювання (лазерів), був виявлений багатофотонний фотоефект. У цьому випадку електрон може одночасно поглинути не один, а кілька фотонів. Рівняння Ейнштейна для багатофотонного фотоефекту приймає вигляд
При цьому гранична частота зсувається в область малих частот.
Явище зовнішнього фотоефекту знаходить широке застосування в техніці для перетворення світлових сигналів в електричні з наступною їх обробкою. Розглянемо основні типи фотоелектричних приладів, які використовують зовнішній фотоефект.
1. Вакуумні фотоелементи — це фотокатод (найчастіше з лужного металу) і анод, поміщені в прозору колбу, у якій створюється високий вакуум. Переваги цих фотоелементів наступні: строга пропорційність між силою фотоструму та світловим потоком; мала інерційність (10-9…10-10с); відсутність утомних явищ; високий внутрішній опір. Основний недолік — невисока чутливість 1...10 мкА/лм. Область застосування – точні вимірювання світлових потоків у лабораторних умовах.
2. Газонаповнені фотоелементи відрізняються від вакуумних тим, що їх балон заповнюється інертним газом при невисокому тиску (P0,1...1 Па).
При проходженні через газ фотоелектронів останні іонізують його атоми що приводить до зростання струму й трохи більш високої чутливості 10…100мкА/лм. Газонаповнені фотоелементи також мають строгу пропорційність між світловим потоком і силою струму, а їх інерційність (10-9…10-10с) достатня для більшості практичних застосувань. Внаслідок протікання необоротних процесів адсорбції газу-наповнювача стабільність їх роботи трохи нижча, ніж у вакуумних фотоелементів.
Рис. 29.4
3. Фотоелектронні помножувачі (рис. 29.4). У цих приладах для посилення фотоструму використається явище вторинної електронної емісії, що складається у вибиванні з металу вторинних електронів при його бомбардуванні прискореними електронами. При попаданні світла на фотокатод К з нього вибиваються електрони, які прискорюються електричним полем при русі до електрода Е1, зарядженому позитивно, і вибивають із нього вторинні електрони. Далі цей процес повторюється на наступних електродах Е2,,Е3,···, ЕN і в результаті в ланцюзі анода виникає значний струм. Чутливість фотопомножувачів досить велика й становить 0,1...1 А/лм. Їхні недоліки: складність конструкції й необхідність використання високих напруг (U 1…1,5кВ). Область застосування – реєстрація дуже слабких світлових потоків.