- •Введение
- •Список сокращений
- •1. Линии передачи СВЧ
- •1.1. Основные положения
- •1.2. Коаксиальная линия передачи.
- •1.3. Двухпроводная линия передачи
- •1.4. «Витая пара»
- •1.5. Прямоугольный волновод
- •1.6. Круглый волновод
- •1.7. Планарные линии передачи
- •2. Теория длинных линий
- •2.1. Основы теории длинных линий
- •2.2. Нормированные значения напряжения
- •2.3. Коэффициент отражения
- •2.4. Нормированные сопротивление и проводимость
- •2.5. Интерференция падающей и отраженной волн в нагруженной линии
- •2.6. Входное сопротивление линии передачи с нагрузкой
- •2.7. Основные режимы работы линии передачи
- •2.8. Круговая диаграмма сопротивлений
- •2.9. Полуволновые и четвертьволновые трансформаторы
- •3. Согласование линий передачи
- •3.1. Общие положения теории согласования линий передачи с нагрузкой
- •3.2. Согласование с помощью четвертьволнового трансформатора
- •3.3. Согласование с помощью сосредоточенной реактивности
- •3.5. Согласование с помощью параллельного реактивного шлейфа.
- •3.6. Трансформаторы с тремя реактивными элементами.
- •4. Матричные методы описания устройств СВЧ
- •4.1. Матрицы рассеяния многополюсников
- •4.2. Волновые матрицы передачи многополюсников
- •5. Двухполюсники
- •5.1. Согласованные нагрузки
- •5.2. Реактивные нагрузки
- •5.3. Преобразователи СВЧ мощности
- •6. Четырехполюсники
- •6.1. Разъемы и соединения
- •6.2. Переходы между линиями разных типов
- •6.3. Нерегулярности в волноводе
- •6.4. Изгибы и скрутки волноводов
- •6.5. Аттенюаторы
- •6.6. Фазовращатели
- •6.7. Согласующие трансформаторы
- •7. Резонаторы и фильтры СВЧ
- •7.1. Объемные резонаторы
- •7.2. Основные типы резонаторов
- •7.3. Открытые резонаторы
- •7.4. Диэлектрические резонаторы
- •7.5. Резонатор, включенный на проход
- •7.6. Частотные фильтры
- •8. Шестиполюсники
- •8.1. Y-тройники
- •8.3. Шестиполюсные делители мощности
- •9. Восьмиполюсники и двенадцатиполюсники
- •9.1. Направленные ответвители
- •9.2. Мостовые устройства
- •9.3. Крестообразные соединения
- •9.4. Резонатор бегущей волны
- •9.5. Двенадцатиполюсники
- •10. Ферритовые устройства СВЧ
- •10.1. Основные свойства ферритов на СВЧ
- •10.2. Ферритовые устройства на эффекте Фарадея
- •10.3. Вентили с поперечно подмагниченным ферритом
- •10.4. Фазовые циркуляторы
- •11. Физические основы работы полупроводниковых приборов СВЧ диапазона
- •11.1. Энергетические зоны полупроводников
- •11.2. Процессы переноса заряда в полупроводниках
- •11.3 Полупроводники в сильных электрических полях
- •11.4. Контактные явления
- •12.1. Полупроводниковые аналоги вакуумных приборов СВЧ
- •12.2 Динамическая отрицательная проводимость
- •12.3. Лавинное умножение носителей заряда
- •12.4 Основные режимы работы ЛПД
- •12.5. Технический уровень промышленно выпускаемых ЛПД
- •13. Полупроводниковые приборы с объемной неустойчивостью (диоды Ганна)
- •13.1. Механизм междолинного перехода
- •13.2 Эффект Ганна и критерий Кремера
- •13.3 Динамика ганновских доменов
- •13.4. Классификация режимов работы генераторов Ганна
- •13.5. Предельные параметры генераторов Ганна
- •13.6. Способы повышения эффективности и верхнего частотного предела генераторов Ганна
- •14.1. Основы полупроводниковой технологии
- •14.2. Конструкции диодных СВЧ генераторов
- •14.3. Способы перестройки частоты
- •15. Повышение мощности полупроводниковых генераторов и освоение миллиметрового диапазона волн
- •15.1. Основные принципы построения СВЧ-сумматоров
- •15.2. Конструкции сумматоров мощности
- •15.3. Освоение миллиметрового и субмиллиметрового диапазонов
- •16. Усилители СВЧ
- •16.1. Основные параметры усилителей
- •16.2. Классификация усилителей СВЧ
- •16.3. Однокаскадный транзисторный усилитель
- •16.4. Принцип действия балансного усилителя
- •17. Преобразователи частоты
- •17.1. Смесители
- •17.2. Преобразование частот в смесителе
- •17.3. Основные параметры смесителей
- •17.4. Небалансные смесители
- •17.5. Балансные смесители
- •17.6. Двойные балансные смесители
- •17.7. Кольцевые балансные смесители
- •17.8. Транзисторные смесители
- •Тесты для самопроверки
- •Ответы на тесты
- •Библиографические ссылки
- •Список рекомендованной литературы
- •Предметный указатель
196
12.Лавинно-пролетные диоды
12.1.Полупроводниковые аналоги вакуумных приборов СВЧ
Обсуждение главных принципов, лежащих в основе работы твердотельных СВЧ-приборов, начнем с рассмотрения различных типов электровакуумных приборов, используемых с той же целью. В триоде для управления током, протекающим между парой электродов, к которым приложено высокое напряжение, используется сетка. Таким образом, постоянный ток преобразуется в переменный. Одно из ограничений, накладываемых на высокочастотные характеристики приборов этого типа, связано с требованием, чтобы время пролета электронов от катода к аноду было мало по сравнению с периодом колебаний. Указанное ограничение с учетом типичных скоростей электронов ~ 107 м/с и расстояний в несколько миллиметров приводит к максимальным частотам в несколько гигагерц. Эти расчетные данные соответствуют лучшим экспериментальным результатам, полученным на современных триодах.
Для достижения более высоких частот приходится использовать приборы, основанные на других принципах. Плодотворной оказалась идея создания приборов, в основе которых лежит использование относительно больших времен пролета электронов. В клистронах используется модуляция электронов по скорости в некоторой точке электронного потока, которая приводит к модуляции их по плотности при дальнейшем движении. Образующиеся сгустки электронов взаимодействуют с высокочастотным напряжением в некоторой точке по ходу потока, где сдвиг фаз, связанный со временем пролета, между напряжением и током составляет ~ 180°. Таким образом, модуляция пучка электронов по плотности приводит к передаче энергии высокочастотному полю.
В лампах бегущей волны (ЛБВ) используется другой принцип, при котором область взаимодействия пучка электронов с полем не локализована, а распределена. В ЛБВ электронный пучок взаимодействует с медленной электромагнитной волной, которая распространяется со скоростью, равной скорости движения электронов. Когда в пучке происходит модуляция электронов по скорости, то быстрые электроны стремятся обогнать медленную электромагнитную волну и сообщают энергию волне, что приводит к эффекту усиления.
Полевой и биполярный транзисторы аналогичны вакуумному триоду. Один электрод управляет током, протекающим между двумя другими электродами, к которым приложено высокое напряжение. Соответственно, имеет место одни и те же частотные ограничения, хотя численные значения параметров различны. Скорости движения носителей тока в полупроводниках низкие, однако межэлектродные расстояния в твердотельных приборах могут быть весьма малыми, что позволяет создавать транзисторы с областью рабочих частот, перекрывающей значительную часть СВЧ-диапазона. Отдаваемая транзисторами мощность быстро падает с увеличением частоты, и в течение длительного времени представлялось, что необходимы твердотельные приборы, в основе работы которых лежат другие принципы.
197
Например, идея работы клистрона не может быть непосредственно реализована в полупроводниках. Основная причина этого – различие в характере движения носителей тока в вакууме и в полупроводниках. В вакууме носители заряда являются фактически свободными и при отсутствии внешних электрических полей движутся с постоянной скоростью. В полупроводниках электроны или дырки сильно взаимодействуют с атомами кристаллической решетки и средняя длина свободного пробега обычно существенно меньше 1 мкм. При приложении слабых электрических полей скорость электронов постоянна во времени и пропорциональна полю (тогда как в вакууме скорость электронов линейно растет со временем). В сильных электрических полях скорости электронов и дырок в полупроводниках испытывают насыщение и почти не зависят от величины напряженности электрического поля. Возможен и другой подход к описанию этих различий: пучок электронов в вакууме не теряет энергию, а в полупроводниках электроны постоянно отдают свою энергию решетке. Соответственно в твердых телах значительно труднее извлекать кинетическую энергию дрейфового движения электронов, чем в вакууме, так как этот процесс сопровождается процессом омических потерь энергии в решетке.
Как упоминалось выше, в клистронах используется модуляция электронов по скорости. В полупроводниках возможно осуществить модуляцию скорости электронов в слабых электрических полях, но эта модуляция везде будет синфазной с изменением электрического поля в месте расположения электронов и поэтому не может приводить к появлению отрицательного сопротивления.
Однако идея использования взаимодействия электронов с электромагнитной волной, лежащая в основе работы ЛБВ, может быть реализована в полупроводниковых приборах. Основной трудностью на этом пути является то, что достижимые скорости электронов в полупроводниках весьма низкие. Поэтому замедленная электромагнитная волна должна иметь весьма малую длину, что делает трудной задачу согласования прибора с внешней цепью.
На основе этих идей удается создать приборы лишь для длинноволновой части СВЧ-диапазона. Поэтому был разработан новый класс твердотельных приборов, основанных на идеях, отличных от обсужденных свыше.
12.2 Динамическая отрицательная проводимость
Лавинно-пролетный диод (ЛПД; англ. – avalanche diode) – прибор, прин-
цип действия которого основан на возникновении в диапазоне СВЧ отрицательного динамического сопротивления, вызванного процессами лавинного умножения носителей заряда и их пролетом через полупроводниковую структуру.
В настоящее время ЛПД является одним из самых мощных твердотельных источников СВЧ-излучения в диапазоне миллиметровых волн. К недостаткам ЛПД следует отнести высокий уровень собственных шумов, вызванных процессами лавинного умножения носителей заряда, и необходимость тща-
198
тельного расчета и настройки цепей с ЛПД для их стабильной работы. Отрицательное сопротивление в ЛПД в отличие от туннельных диодов появляется только на высоких частотах и не наблюдается на статической ВАХ, которая у ЛПД аналогична обычной ВАХ диода. Появление отрицательного сопротивления в ЛПД вызвано временным запаздыванием процессов лавинного умножения и пролета носителей заряда, приводящим к фазовому сдвигу между током и напряжением.
«Лавинное запаздывание» (англ. – avalanche delay) определяется конечными временами нарастания и прекращения лавинного процесса соответственно, а « пролетное запаздывание» – конечным временем прохождения области дрейфа.
Импульс тока лавинного умножения сдвигается относительно вызвавшего его импульса напряжения. Задержки начала и конца лавины связаны с тем, что носители заряда в поле приложенного импульса не сразу приобретают энергию, достаточную для ионизации, и не сразу теряют е е после снижения напряжения. На рис.12.1 проиллюстрированы общие принципы появления от-
рицательного дифференциального сопротивления (ОДС; англ. – negative differential resistance), полупериоды и четвертьпериоды с отрицательным сопротивлением заштрихованы.
На рис.12.1,а-б отрицательное дифференциальное сопротивление отсутствует. Полное отрицательное дифференциальное сопротивление, наблюдающееся на всем протяжении периода Т, появляется при времени запаздывания τз=Т/2 (рис.12.1,г). В этом случае возрастанию напряжения соответствует спад тока, а снижению напряжения – возрастание тока. Нетрудно видеть, что при ОДС движение носителей заряда происходит в тормозящем переменном электрическом поле. При τз= Т/4 и τз=3Т/4 ОДС наблюдается только на протяжении половины периода, чередуясь через каждые четверть периода с положительными сопротивлениями. В этих предельных случаях в среднем за период отрицательное сопротивление наблюдаться не будет. Таким образом, ОДС будет реализовываться при условии
Т/4 < τз < 3T/4,
что равносильно фазовому сдвигу φ между током и напряжением
π/2 < |φ| < 3π/2.
Элемент с ОДС или отрицательной проводимостью способен отдавать в электрическую цепь (в нагрузку) мощность по переменному току путем преобразования энергии источника питания.
Действительно, средняя мощность по переменному току определяется выражением
|
1 |
T |
|
|
P = |
∫uidt , |
(12.1) |
||
T |
||||
|
0 |
|
||
|
|
|
199
где u = Um sin(ωt + φ); i = Imsinωt. Отсюда видно, что при φ = 0 мощность Р > 0,
U |
|
|
элемент имеет активное сопротив- |
|||
|
|
ление и потребляет переменную |
||||
|
|
|
||||
|
|
|
мощность. При условии |φ| = π/2 |
|||
a |
|
t |
элемент имеет |
чисто |
реактивное |
|
I |
|
сопротивление и переменной мощ- |
||||
|
|
ности не потребляет (Р = 0). В сл у- |
||||
|
|
|||||
|
|
|
||||
|
|
τЗ = 0 |
чае |
фазового сдвига |
π/2<|φ|<3π/2 |
|
б |
|
t |
переменная мощность Р < 0. Фо р- |
|||
|
|
мально это означает, что элемент, в |
||||
|
|
|||||
I |
|
τЗ = T / 4 |
котором в силу тех или иных пр и- |
|||
|
||||||
|
|
чин создается отрицательная мощ- |
||||
|
|
|
||||
в |
|
|
ность, следует рассматривать уже |
|||
I |
|
t |
не как потребитель, а как источник |
|||
|
||||||
|
τЗ = T / 2 |
энергии переменного тока. Так как |
||||
|
||||||
|
|
при Р < 0 отношение du/di, имею- |
||||
г |
|
|
щее |
размерность сопротивления, |
||
I |
|
t |
меньше нуля, то такой элемент об- |
|||
|
||||||
|
|
ладает отрицательным |
дифферен- |
|||
|
|
τЗ = 3T / 4 |
циальным сопротивлением. Физи- |
|||
д |
|
|
чески это означает, что если нагру- |
|||
|
t |
зить прибор с динамическим ОС на |
||||
|
|
|||||
Рис.12.1. Появление отрицательного диффе- |
резонансный контур, то в послед- |
|||||
нем, |
при |
соответствующей |
||||
|
ренциального сопротивления при разном |
настройке, можно создать поток |
||||
|
времени запаздывания тока относительно |
|||||
|
|
напряжения |
носителей заряда, движущихся в |
|||
|
|
|
тормозящем высокочастотном поле |
контура. Эти носители будут отдавать полю свою энергию, создавая усиление колебаний. Прибор с ОС может работать также в режиме автоколебаний.
12.3. Лавинное умножение носителей заряда
Лавинный пробой (англ. – avalanche breakdown) в твердом теле во многом схож с лавинным пробоем в газах. Наряду с электроном в процессе лавинного пробоя участвует дырка. Она, как и электрон, имеет импульс и энергию и подобно ему может ионизировать атом и образовать электронно-дырочную пару. В сильных электрических полях электроны и дырки, двигаясь в противоположных направлениях, порождают нарастающие во времени и пространстве элек- тронно-дырочные пары. Возникает так называемая ударная ионизация не только в р-n-переходах, но и в однородно легированном и собственном (i-типа) полупроводниках. Однако в этих случаях необходимо прикладывать большое электрическое поле, причем обычно происходит сильный нагрев, наблюдается большой ток в полупроводнике и его разрушение. В обратносмещенных диодах