- •1. Введение в анализ и синтез базовых узлов линейной обработки
- •1.1. Преобразование Лапласа как метод анализа линейных схем
- •1.2. Примеры расчета передаточных функций некоторых пассивных
- •1.2.1. Пассивный rc фильтр низких частот первого порядка
- •1.2.2. Простейший пассивный rlc фильтр низких частот
- •1.3. Примеры расчета передаточных функций простейших активных
- •1.3.1. Неинвертирующий усилитель
- •1.3.2. Инвертирующий усилитель
- •1.3.3. Активный инвертирующий интегратор
- •1.4. Введение в реализацию arc биквада
- •1.4.1. Принцип масштабирования пассивных элементов в arc фильтрах
- •1.5. Введение в концепцию переключаемых конденсаторов
- •1.5.1. Неинвертирующий переключаемый конденсатор с задержкой,
- •1.5.2. Неинвертирующий переключаемый конденсатор без задержки,
- •1.5.3. Инвертирующий пк интегратор без задержки, не чувствительный
- •1.5.4. Инвертирующий переключаемый конденсатор с задержкой,
- •1.5.5. Неинвертирующий пк интегратор с задержкой
- •1.6. Реализация биквада на базе переключаемых конденсаторах
- •1.7. Дискретизация аналогового сигнала. Идеальные выборки
- •1.7.1. Передаточная функция пк интегратора без задержки
- •1.7.2. Передаточная функция пк интегратора с задержкой
- •Модели элементов интегральных схем
- •3. Базовые элементы кмдп операционных усилителей
- •3.1. Простейший усилитель напряжения с общим истоком
- •3.1.1. Простейший усилительный каскад с общим истоком и активной
- •3.1.2. Малосигнальные характеристики простейшего кмдп усилителя
- •3.1.3. Частота единичного усиления простейшего усилителя
- •3.1.4. Соотношение малосигнальных параметров простейшего
- •3.1.5. Простейший усилитель в режиме большого сигнала
- •3.1.6. Расчет выходного сопротивления
- •3.1.7. Элементарный анализ величины входной емкости. Емкость Миллера
- •3.1.8. Пример топологии простейшего усилителя
- •3.2. Выходное сопротивление и коэффициент передачи каскада с диодом в нагрузке
- •3.3. Токовое зеркало
- •3.3.1. Формирование режимных потенциалов в простейшем усилителе с общим истоком
- •3.4. Истоковый повторитель
- •3.4.1. Выходное сопротивление и входная емкость истокового
- •3.5. Метод увеличения выходного сопротивления усилителя
- •3.6. Каскодный усилитель
- •3.6.1. Передаточная функция простейшего каскодного усилителя с идеальной токовой нагрузкой
- •3.6.2. Роль емкости в выходном узле каскодного усилителя.
- •3.6.3. Диапазон изменения выходного напряжения
- •3.6.4. Схемы формирования постоянного смещения на затворе каскодного транзистора.
- •3.6.5. Каскодное токовое зеркало
- •3.6.6. Самосмещаемое каскодное токовое зеркало
- •3.7. Концепция активного каскодного транзистора (материал для дополнительного изучения подготовленными студентами с использованием периодической литературы)
- •3.8. Дифференциальный каскад
- •3.8.1. Допустимый диапазон входного синфазного напряжения
- •3.8.2. Дифференциальный каскад как источник тока, управляемый входным напряжением. Несимметричный и симметричный входные сигналы
- •4. Архитектуры кмдп операционных усилителей
- •4.1. Методика оценки малосигнальных характеристик операционного усилителя
- •4.1.1. Методика замены нескольких действительных неосновных полюсов в передаточной функции операционного усилителя одним «эффективным» неосновным полюсом
- •4.1.2. Расчет запаса фазы операционного усилителя с действительными
- •4.2. Однокаскадные операционные усилители как операционные
- •4.2.1. «Телескопический» оитун
- •4.2.1.1. Базовые характеристики «телескопического» оитун
- •4.2.1.2. Упрощенная методика расчета фазы в «телескопическом» усилителе
- •4.2.1.3. Оценка частот неосновных полюсов «телескопического» оитун
- •4.2.1.4. Анализ переходных процессов
- •4.2.2. «Согнутый» каскодный оитун с р-канальным входом
- •4.2.2.1. Диапазоны входного синфазного и выходного напряжений
- •4.2.2.2. Режим малого сигнала
- •4.2.2.3. Переходной процесс в режиме большого сигнала
- •4.2.3. «Согнутый» каскодный оитун с n-канальным входом
- •4.3. Двухкаскадный операционный усилитель (оитун)
- •4.3.1. Базовая схема двухкаскадного оитун
- •4.3.2. Эквивалентная малосигнальная схема двухкаскадного усилителя
- •4.3.3. Передаточная функция двухкаскадного усилителя
- •4.3.4. Соотношение частот неосновного полюса, нуля и частоты единичного усиления
- •4.3.5. Частота единичного усиления двухкаскадного оитун
- •4.3.7. Реакция двухкаскадного оитун на большой входной сигнал.
- •4.3.8. Реакция двухкаскадного оитун на большой синусоидальный
- •4.3.9. Распространенная архитектура двухкаскадного оитун
- •5. Шум и его анализ в кмдп аналоговых имс
- •5.1. Основные определения
- •5.1.1. Cуммирование шумов
- •5.1.2. Анализ шума в частотной области
- •5.2. Пример расчета шума arc фильтра первого порядка
- •5.2.1. Реакция на шумовой источник тока
- •5.2.2. Реакция на шумовой источник тока
- •5.2.3. Реакция на шумовой источник напряжения
- •5.4. Приведенный ко входу собственный «белый» шум повторителя
- •5.5. Собственный шум многокаскадного усилителя
- •5.6. Шум каскодного усилителя
- •6. Полностью дифференциальные оитун
- •6.1. Базовая архитектура полностью дифференциальных схем
- •6.2. Принципиальные преимущества полностью дифференциальных схем
- •6.2.1. Зависимость потенциала общего истока дифкаскада от сигнала
- •6.3. Принципиальные недостатки полностью дифференциальных схем
- •6.4. Варианты непрерывных во времени схем синфазной обратной связи (сос).
- •6.4.1. Схема с ограниченным диапазоном входных сигналов.
- •6.4.2. Непрерывная во времени cхема сос с максимальным диапазоном
- •6.4.3. Варианты схем синфазной обратной связи на базе переключаемых конденсаторов
1.4.1. Принцип масштабирования пассивных элементов в arc фильтрах
Разумеется, ни в интегральных ARC фильтрах, ни в фильтрах на дискретных компонентах, не используют номинал для конденсатора, и чрезвычайно редко – номиналдля резистора.
Рис. 1.9. Электрическая схема АRC биквада с использованием полностью дифференциальных операционных усилителей.
Реализация активных фильтров на интегральной схеме возможна благодаря существованию метода так называемого масштабирования.
Запишем, например, для узла уравнение Кирхгофа:
(1.35)
Разделим обе части уравнения (1.33) на и сгруппируем коэффициенты соответствующим образом:
(1.36)
Итак, уравнение (1.34) выражает правило:
Для установления реальных значений номиналов резисторов и конденсаторов во всех ветвях, подходящих к узлу виртуальной аналоговой земли операционного усилителя, номиналы резисторов можно увеличить в какое-либо количество раз, а номиналы конденсаторов – уменьшить в такое же количество раз. Пределы этого масштабирования, как правило, ограничиваются размерами интегральных резисторов и паразитными емкостями.
Тем не менее, само по себе масштабирование не позволяет перешагнуть через физические ограничения на номиналы компонентов, а, именно, интегральные конденсаторы трудно сделать с емкостью, большей, чем 50 пФ, а резисторы – с сопротивлением, большим 1Мом. Тем не менее, даже такие компоненты имеют весьма значительные площади, поэтому с их помощью весьма трудно создавать фильтры относительно низких, например, звуковых, частот. В дополнение следует отметить, что конденсаторы и резисторы формируются разными технологическими операциями, поэтому имеют взаимно независимые разбросы номиналов, что приводит к большому разбросу постоянных времени, т.е. произведений номиналов и, соответственно, значительному разбросу частот среза амплитудно-частотных характеристик. Использование концепции переключаемых конденсаторов позволяет, во-первых, создавать низкочастотные фильтры и, во-вторых, обеспечивать высокую точность частот среза амплитудно-частотных характеристик.
1.5. Введение в концепцию переключаемых конденсаторов
1.5.1. Неинвертирующий переключаемый конденсатор с задержкой,
чувствительный к паразитным емкостям
Предположим, между источниками напряжений ипомещен конденсаторс заземленной нижней обкладкой, а верхняя обкладка может подключаться как к источнику, так и к источникус помощью аналоговых ключейи, управляемых тактовыми сигналами Ф1 и Ф2. Такой конденсатор, называемый переключаемым, изображен на рис. 1.10. Он, также, как поясняется ниже, является неинвертирующим.
Рис. 1.10. Неинвертирующий переключаемый конденсатор с задержкой, чувствительный к паразитным емкостям.
Изображение левого переключаемого конденсатора (ПК) на рис. 10 является более подробным и приближенным к фактической реализации на кристалле, поскольку на нем в явном виде изображен каждый функциональный элемент. Изображение правого ПК с перекидным ключом функционально идентично левому и, хотя является более условным, тем не менее более экономно на чертеже и более наглядно. Большинство ПК схем изображаются именно с перекидными ключами. Состояние ключей при Ф1=1 и Ф2=1 обозначаются просто как цифры «1» и «2».
Аналоговые МДП ключи в настоящей главе рассматриваются как идеальные, а, именно, в замкнутом (проводящем ток) состоянии имеющие нулевое сопротивление, в разомкнутом (НЕ проводящем ток) имеющие бесконечно большое сопротивление. Высокой абсолютной величине потенциала (логическая единица) управляющего сигнала на затворе (затворах) соответствует замкнутое (проводящее ток) состояние ключа – и наоборот.
Пусть для определенности:
(А) и, но;
(В) здесь и далее везде по тексту замкнутое (проводящее ток) состояния ключей соответствует логической «единице» управляющего сигнала и –наоборот. Пусть также замкнутые состояния ключей не перекрываются во времени, как изображено на рис. 1.10.
При замыкании ключа в начале– го такта, конденсаторзаряжается до потенциала. Далее, через половину периода, ключразмыкается, через короткий промежуток времени (его длительность, как правило, очень мала, и ею можно пренебречь) замыкается ключ, и конденсаторзаряжается до потенциала. При этом, поскольку, для перезаряда конденсатора до потенциала, в этот источник должен перейти положительный заряд. Пусть для простоты рассужденийи. Результирующим эффектом поочередного заряда конденсатора до потенциаловиявляетсяперенос из источника в источникза один периодтактового сигналазаряда величины . Поскольку перенос извпроисходит не мгновенно, а через некоторый промежуток времени (в этом примере промежуток времени равен половине периода), то подобный переключаемый конденсатор называется «переключаемым конденсатором с задержкой».
Итак, за одну секунду переносится заряд , где– частота тактового сигнала Ф. Однако, заряд, перенесенный за 1 секунду, по определению равен среднему току, протекавшему между источникамииза это время:
(1.37)
Выражение (1.35) выражает линейную зависимость между напряжением и средним током, что формально позволяет записать:
, где (1.38)
Здесь – эффективное сопротивление переключаемого конденсатора.
Для выяснения практической значимости полученного результата, рассмотрим численный пример. Пусть , а. В этом случае, а постоянная времени заряда через такой «резистор» конденсаторас емкостью вравна 1ms. Круговая частота полюса такой цепочки, соответственно, равна 1kHz, а линейная частота полюса приблизительно равна 160Hz, что позволяет проектировать на базе переключаемых конденсаторов активные низкочастотные фильтры для звукового частотного диапазона.
Достоинства представленного на рис. 1.10 переключаемого конденсатора впечатляющие, однако у него есть единственный, но решающий недостаток – чувствительность к паразитным емкостям.
Действительно, при замыкании ключа в началеn – го такта и перезаряде конденсатора до потенциала, одновременно до этого же потенциала заряжаются все паразитные емкостиключаи частьпаразитных емкостей ключа(ключразомкнут, т.е. не проводит ток, поэтому до потенциалазаряжаются не все паразитные емкости в составе). Описание природы паразитных емкостей МДП транзистора в режиме аналогового ключа, находящемуся в крутой области ВАХ, приведено ниже в главеVI.
Далее ключ размыкается, и через короткий промежуток времени замыкается ключ. Конденсаторзаряжается до потенциала, одновременно до этого же потенциала заряжаются все паразитные емкостиключаи частьключа.
Все перечисленные выше паразитные емкости нелинейны, поэтому достаточно точный их учет с помощью коррекции номинала емкости невозможны. По этой причине переключаемый конденсатор на рис. 1.10 не нашел практического применения и, по причине предельной простоты, демонстрируется для учебных целей.
К счастью, существуют переключаемые конденсаторы, хотя и несколько усложненные, но не чувствительны к паразитным емкостям.