Добавил:
Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:
Лекции / Основы схемотехники КМДП аналоговых ИМС.doc
Скачиваний:
195
Добавлен:
16.04.2013
Размер:
8.8 Mб
Скачать

3.1.1. Простейший усилительный каскад с общим истоком и активной

нагрузкой

Приведем иллюстрацию концепции малого сигнала на примере простейшего усилительного каскада с активной нагрузкой.

Как видно из рис. 3.2, увеличение значениядля увеличения коэффициента усилениякаскада неизбежно приводит к необходимости увеличения величины напряжения питания.

Рис. 3.3: КМДП усилительный каскад с активной нагрузкой

С целью увеличения без необходимости увеличения, практически во всех КМДП аналоговых ИМС используется концепцияактивной нагрузки, при которой роль нагрузочного резистора выполняет выходное сопротивление активного элемента , а, именно, выходное сопротивление сток-исток транзистора противоположного типа проводимости в пологом режиме, т.е. подключенного в качествеисточника постоянного тока. Последнее позволяет также называть каскад с активной нагрузкой каскадом с токовой нагрузкой.

На рис. 3.3 изображен КМДП усилительный каскад с активной (токовой) нагрузкой. На рис. 3.4 изображены ВАХ транзисторов, как входного, n-канального, так и нагрузочного, p-канального.

Рис. 3.4: ВАХ входного и нагрузочного транзисторов.

Из рисунка 3.4 видно, что высокое дифференциальное сопротивление нагрузочного элемента при замене пассивного нагрузочного элемента на активный получено при отсутствии необходимости увеличивать напряжение питания.

С целью дальнейшего анализа каскада с активной (токовой) нагрузкой, к выходу его дополнительно подключены нагрузочные емкость и резистор. При учете паразитной емкостивыхода усилителя, реальная емкостная нагрузка в выходном узле

. (3.5)

Из рис. 3.4 очевидно, что для получения максимального усиления оба транзистора, и входной, и нагрузочный должны находиться в пологой области (при этом напряжение сток-исток для каждого транзистора всегда должно быть больше превышения над порогом). В пологой области сопротивлениетранзистора максимально, и усиление каскада также максимально даже при относительно небольших напряжениях питания. Тем не менее, при работе всех транзисторов в пологой области, каскад может иметь и низкое усиление. На рис. 3.5 приведена иллюстрация зависимости диапазоновизменения выходного напряжения каскада в пологой области при одинаковых приращенияхвходного сигнала, но при отличающихся сопротивлениях сток-истоктранзисторов. Чем больше, тем диапазонв пологой области больше, и усилениекаскада также больше. ВАХ транзисторов с большей величинойизображена на рисунке 3.5 сплошными линиями, а с меньшей – пунктиром.

Рис. 3.5. Зависимости диапазонов изменения выходного напряжения усилительного каскада в пологой области при различных дифференциальных сопротивлениях сток-исток транзисторов.

Диапазон выходного напряжения с максимальным усилением ограничен. При уменьшении напряжения сток-исток любого транзистора до уровня, при котором ВАХ попадает в крутую область, где, и выходное сопротивлениетранзистора уменьшается, сопровождаясь как уменьшением усиления, так и увеличением нелинейных искажений. По этой причине допустимый диапазон изменения выходного напряженияопределяется выражением:

(3.6)

Здесь и– условные граничные напряжения сток-исток перехода ВАХ из крутой области в пологую (или наоборот) дляn-канального и p-канального транзисторов соответственно. На рис. 3.4 приведена иллюстрация максимального диапазона изменения выходного напряжения усилительного каскада.

Положение рабочей точки каскада на выходной ВАХ в пологой области при заданном режимном токе, определяемом нагрузочным транзистором, определяется специальной схемой, содержащей «токовые зеркала» (см. ниже).