Добавил:
Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:

книги из ГПНТБ / Мотт, Н. Электронные процессы в некристаллических веществах

.pdf
Скачиваний:
42
Добавлен:
22.10.2023
Размер:
18.34 Mб
Скачать

20

Глава 2

Это не означает, что величина а равна нулю для всех конфигура­ ций ансамбля; например, одна из возможных конфигураций жидкости — идеальный кристалл, и в нем нет состояний, локали­ зованных в том смысле, как описано выше, но мы утверждаем, что для совокупности N атомов может существовать область энергий электрона такая, что доля конфигураций, для которых величина а не равна нулю, стремится к нулю при iV->- оо. Другими словами, математическое ожидание а стремится к нулю. Итак, определю! локализацию следующим образом: для ферми-газа невзаимодействующих электронов с энергией Ферми Е выпол­ няется соотношение

l i m <<тя(0)) = 0.

2.3. ФОРМУЛА КУБО — ГРННВУДА

Выведем теперь формулы для величин сг (со) и а (0). Пред­ положим, что собственные функции электрона с энергией Е в непе­ риодическом поле суть -фЕ (х, у, z) и нормализованы па один электрон в объеме Q. Предположим далее, что иа электрон дей­ ствует переменное поле F cos at, так что потенциальная энергия равна ex-F cos at. Тогда вероятность того, что электрон в единицу времени перейдет из состояния с энергией Е в любое из состояний с энергией Е + Йсо, равна

 

 

±-e*F*(?g-)\xE+ha,E

 

 

IcpQtf 4-7но)-

(2-4)

Матричный

элемент

хЕ-Е

имеет

вид

 

 

 

 

 

 

 

 

ХЕ'Е=

J tyE'X\\>Ed?X,

 

 

 

а

индекс «ср» в

(2.4)

означает

усреднение

по всем

состояниям

с

энергией

вблизи

Е'

=

Е

+

%а>. Удобно

записать х )

 

где

 

 

 

^E+ftco, Е =

^

DE+ha>,

Ei

 

(2.5)

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

DE',e=

 

J

 

-^bPE)d3x.

 

Таким образом,

(2.4)

принимает вид

 

 

 

 

 

 

(^)F*\D\2cpN(E

 

+

Tm).

(2.6)

х ) Формула (2..5) справедлива лишь в том случае, если г|з собственные функции осциллятора с собственной частотой со. В действительности же функ­ ции гр совсем иные. Поэтому приведенный здесь вывод выражения (2.6) вызы­ вает возражения. Корректный вывод формулы для проводимости можно найти в работах Кубо и др. [642] или Гртшвуда [205].— Прим. перев.

Теория

электронов в

некристаллической

среде

21

Введем теперь

проводимость на частоте

со,

обозначаемую

о (со) и определенную так, что

величина а (со) 1

/ 2

i r 2

равна средней

скорости потери энергии в единице объема. Чтобы найти а (со),

нужно

умножить

выражение

(2.6)

на

N (Е) f (Е) dE — число

занятых

состояний

в единице

объема

в

интервале энергий

dE,

иа 1 — /

+

frco)

— вероятность того,

что

состояние с энер­

гией Е +

ha

свободно, на

Тгсо — энергию,

поглощенную

при

каждом

квантовом

переходе, и на 2 для учета двух направлений

спина. Интегрируя по всем энергиям, находим

 

 

°H=2j^\{f(E)[l-f(E

+ n«>)]-

 

 

-/+ ftco) [1 - /

(£)]} | D |2рN (Е) N{E±

Йсо) dE.

(2.7)

Второй член в фигурных скобках содержит энергию, испускаемую при переходах вниз. Усредним теперь | D |2 по всем начальным и конечным состояниям. Выражение в фигурных скобках сводит­ ся к

 

 

 

f(E)-f(E

 

 

+

Па),

 

 

 

 

 

так что

выражение

(2.7)

принимает

вид

 

 

 

 

 

а (а) - 2 я е

Щ З а

[ У

(

£ +

to)]

| D \lgN (Е) N (Е+Гга>) d £

 

g .

*

'

 

J

 

 

 

 

ftco

 

\ • /

 

При

T — 0

формула (2.8)

упрощается:

 

 

 

 

 

 

g

/ м ) ^

2яе%3д

г | р |gpjy{ Е ) N { Е + Па)d

E

 

g )

 

Нижний предел интегрирования EF

— Йсо — наименьшая энергия

электрона, способного поглотить квант; верхний предел равен

EF.

Чтобы получить проводимость на постоянном токе, возьмем

предел о (со) при со —>- 0. При Т =

0 он зависит только от подынте­

грального выражения при Е

=

EF.

Определим

аЕ

(0) как

 

 

 

 

<*в (0)

 

IDE

|?р [N (Я)],2

 

 

(2.Ю)

где

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

%.-jLl?Ed*x

 

 

(E = E ' ) .

 

 

 

 

Индекс «ср» означает усреднение по всем состояниям Е и по

всем состояниям Е'

= Е.

При Т

=

0 проводимость

о (0)

равна

 

 

 

<*(0) =

[<М 0 ) ] е - е , .

 

 

 

 

 

При конечной

температуре

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

а(0) =

-

} с т Е ( 0 ) ^ £ .

 

 

(2.11)

Назовем это выражение формулой Кубо — Гринвуда.

22

Глава 2

Теперь необходимо показать, что если рассеяние мало и сред­ няя длина свободного пробега L велика, полученные формулы при­ водят к выражению, выведенному с помощью кинетического уравнения, а именно

пе2х

Spe^L

(2.12)

 

 

где S& — 4л/ър площадь поверхности Ферми. Метод доказа­ тельства предложен Моттом [371]. Предположим, что применима модель свободных электронов и что существует такая длина сво­ бодного пробега, что kFL Э- 1- Если определить объем v, равный объему сферы радиусом L , так, что

то фазы волновых функций в этих объемах не будут коррелированы. Таким образом, если определить б как

6 =

(2.13)

то величина D будет равна сумме Qlv вкладов, равных б, но со случайными знаками. Поэтому можно записатьх )

 

Для оценки величины

б запишем

 

 

 

 

8 =

к

| e x p [ t ( k ^ - k ) T ] d 4

 

и,

полагая

 

 

 

 

 

 

 

 

|k — k ' | = 2 A s i n - y e « A e ,

 

где

9 — угол рассеяния,

приближенно

получим б = kvlQ,, если

kLQ

1, в

противном

случае

6 = 0 .

Таким

образом,

 

 

 

 

 

1 / h L

 

 

 

 

 

 

' кЧ* \ Г 2я0 ,п

лЬ

 

 

 

 

 

 

 

3Q

Подставляя

(2.1) для

N

(Е),

находим_

 

 

1 ) Последнее выражение справедливо только при Й > у. При достаточно большом L и большой концентрации п электронов (в металлах или сильно ле­ гированных полупроводниках) это условие ие выполняется. Например, при L = 1 0 _ 0 см и п = 2,5 - 10 1 7 с м - 3 £2 да v,— Прим. перев.

Теория электронов в некристаллической среде

23

что совпадает с (2.12) с точностью до множителя 2. Нельзя надеять­ с я получить правильный числовой множитель таким грубым методом.

Средняя длина свободного пробега зависит от механизма рас­ сеяния; методы ее вычисления обсуждаются в следующей главе.

Эдварде [150], исходя из предположения о слабо рассеиваю­ щих потенциалах, также вывел формулу Больцмана на основе формализма Кубо — Гринвуда. Он непосредственно доказал, что •формула (1.2) с величиной / (0), определяемой в борновском приближении, следует из формулы (2.10).

Распространение этого метода на проводимость при частоте о дает формулу Друде

(2.14)

Таким образом, оказывается, что проводимость обусловлена опти­ ческими переходами с нарушением правила отбора по к; это возможно вследствие конечной длины свободного пробега и выте­ кающей отсюда неопределенности к. Мы не будем выводить эту •формулу, но отметим, что если k t и к2 волновые векторы до и после рассеяния, то приведенный выше метод пригоден только

при условии (ki — к2)

L <^ 1.

В

этом

случае

,

,

dk .

 

03

к12ъКа

 

=

—,

где и — скорость у поверхности Ферми, так что вывод перестает

•быть

справедливым, если

сот ~

1.

При

©т

^

1 интеграл

(2.13)

для

б следует

умножить

на l / ( & i

к2)

L ,

откуда

ясно,

почему

в знаменателе

формулы

Друде

появляется

член

со2 т2 .

 

2.4. ОТСУТСТВИЕ ПРОВОДИМОСТИ В СЛУЧАЕ ЛОКАЛИЗОВАННЫХ СОСТОЯНИЙ; ЗАКОН ю 2

В предыдущем разделе мы воспользовались формулой (2.1) Кубо — Гринвуда для вычисления проводимости в характерном для металла случае, когда плотность состояний конечна при энергии Ферми и kL ^> 1. Рассмотрим теперь противоположный случай, когда потенциальная энергия V (х, у, z) уже не является малым возмущением в уравнении Шредингера

у2 Ф + ж ( £ - т = о .

Предельный случай — приближение сильной связи, при котором кристаллическая решетка потенциальных ям создает узкую поло­ с у уровней, как показано на фиг. 2.2, а. Это имеет место в случае d-зоны переходного металла или доноров, создающих металличе­ скую примесную зону в полупроводнике (гл. 6). Пусть ямы

\

24 гГлат 2

настолько удалены друг от друга, что перекрытие атомных волно­

вых

функций

ф (г)

соседних ям мало. Если индекс п

означает

?г-ю яму,

a R„

ее радиус-вектор, то блоховская волновая функ­

ция

для

электрона

в

кристалле имеет вид

 

 

 

 

%

{х,

у,

г) = 2 exp (ik.R„) ф (г — R n ) .

(2.15)

Предположим, что функции ф сферически симметричны («-функ­ ции). Тогда, если W0 — энергетический уровень электрона в изо­ лированной яме, то энергия электрона в простой кубической

1С "

-

N(E)

Ф и г .

2.2.

а

потенциальные

ямы кристаллической

решетки; б потен-

 

 

 

цпальные ямы

решетки

Андерсона.

 

 

 

 

В обоих случаях показана плотность состояний.

 

решетке,

соответствующая

волновой

функции

(2.15),

равна

где

 

 

 

 

Е

=

W0

+

Wk,

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Wk

=

2 1 (cos

кка +

cos kya + cos

kza).

 

Здесь

/ — интеграл

перекрытия,

определяемый

как

 

 

 

 

/

=

j ф * ( г - й п ) # ф ( г - а п + 1 ) й 3

х ,

 

(2.16)

где Н — гамильтониан. Интеграл

перекрытия

будет

встречаться

в нашей книге много раз. Его точное выражение зависит от формы

ям, но

для нашей

цели достаточно

записать

его в виде

 

 

 

1 = е-*Ч0.

 

 

(2.17)

Здесь а

определяется так, что е~ат

пропорциональна волновой

функции электрона

в изолированной

яме (а =

у 2m0W0/K);

I 0 w

та a3vQD0,

где D0 — глубина ямы, a v0

— объем, в котором

потей-

Теория электронов

в некристаллической среде

25

циальиая энергия каждой ямы отлична от нуля, R — расстояние-

между ямой и ее ближайшим соседом (R =

а для простой кубиче­

ской решетки).

 

 

 

Эффективная масса т*

на дне зоны

равна

 

 

*__^!_

 

(2.18)

и ширина зоны / определяется как

/- 2zl,

где z — координационное число.

Рассмотрим, что произойдет с этой энергетической зоной: в случае непериодической потенциальной энергии. Непериодиче­ ский потенциал можно создать двумя способами:

а) смещая каждый центр на случайное расстояние, как, напри­ мер, при колебаниях решетки, или нарушая дальний порядок (позиционное или пространственное разупорядочение);

б) добавляя случайную потенциальную энергию г12 U к каждой яме так, что энергетический уровень для электрона в яме стано­

вится W0

+

1/2U1).

 

 

Запишем

 

 

 

так что дает меру беспорядка. Получающаяся потенциальная

энергия V

изображена

на

фиг. 2.2, б. Назовем ее потенциалом

Андерсона

[18]. Он и

будет рассмотрен в настоящем разделе,,

а случай

^ о т л о ж и м

до

2.7.1.

Если потенциал U0 мал, его действие приводит к возникнове­ нию средней длины свободного пробега L . Последняя может быть оценена из формулы (2.4) (борновское приближение). Используя теорию возмущений, находим

где энергию Е и скорость и следует взять на уровне Ферми; а3 атомный объем. Используя формулу (2.1) для N (Е), получаем

T - f a ( - H r ) ' " ( T " . ) ' .

Р - а »

Эта формула получается обычными методами теории столкновений [380]; иначе можно записать

х ) Строго говоря, смещение уровня в"е равно добавке потенциальной энер­ гии к яме; связь между ними гораздо сложнее и зависит от формы ямы, но ато не влияет на последующие рассуждения авторов.— Прим. перев.

•26

Глава 2

Мы уже ссылались на правило Иоффе и Регеля, согласно кото­ рому при kL <С 1 средняя длина свободного пробега не имеет •смысла. В середине зоны ка ~ 1, и в нашем случае из этого пра­ вила следует, что величина а равна наименьшей возможной длине

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

свободного

пробега.

При

у,|

 

 

 

 

 

 

 

 

 

таких условиях знак веще­

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

ственной

 

волновой

функ­

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

ции г[з будет

меняться

слу­

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

чайным

 

образом

от

ямы

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

к

яме.

 

Ожидаемый

вид

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

волновой функции показан

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

на фиг. 2.3, а. Из формулы

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

(2.21) следует, что это мо­

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

жет

иметь

 

место,

когда

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

величина

U J I ~

7,

т. е.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

UQIJ

~

7

/ 1

2

при

 

z =

6.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Чтобы узнать, что про­

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

изойдет,

когда

прево­

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

сходит

это

значение,

рас­

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

смотрим пару ям на рас­

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

стоянии

R

друг от

друга

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

с

энергиями,

смещенными

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

от

среднего

 

значения

на

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Uа, Ьь.

 

Как

известно,

две

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

волновые функции для па­

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

ры электронов в этих со­

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

стояниях

 

равны

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

%

=

 

Ац>а 4- Всрь;

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

я|>2

=

В<ра

Аць.

 

 

^7"

 

 

 

 

^7^

 

Значения А,

 

В

и

энергии

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

E i

и Е2

можно

найти,

ми­

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

нимизируя интеграл

энер­

Ф и г .

2.3. Форма

волновой

функции

гии;

результаты

получа­

 

 

в модели

 

Андерсона,

 

ются довольно

громоздки­

а — случай

L да а;

б — момент, предшествующий

ми (см.,

например,

[351]),

локализации

(Е 5 s

Е с ); в момент начала лока­

но

нам

требуется

упомя­

лизации

( Е ^

E

Q

) ;

г — сильная

локализация.

Пунктиром

 

показаны

огибающие.

нуть

только

 

следующие

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

предельные

случаи:

 

 

а)

если

 

 

 

 

Ub\<I,

то А ~

В

и

E i -— Е2

«

21

и не

может

быть меньше

21;

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

б)

если

| u

a

~

u b

\ y i

, то

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

А

а ь\

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

(2.22)

 

 

 

 

 

 

 

 

 

21

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

На фиг. 2.4

показаны волновые

функции

в обоих случаях,

а также E i

Ег в зависимости

от | Ua

Ui

п1).

Теория электронов в некристаллической среде

27

Полученные для двух ям результаты позволяют предположить, что в случае бесконечной системы будут возникать хаотические флуктуации амплитуды (и фазы) функции при переходе от ямы к яме и что по мере возрастания величины U J J эти флуктуации усиливаются (фиг. 2.3, в). Несомненно, это имеет место. Однако если значение U 0 / J очень велико, интуитивно ясно, что волновая функция изолированной ямы будет слабо возмуще­ на всеми другими ямами и, следовательно, будет спа­ дать экспоненциально с расстоянием (фиг. 2.3, в

иг). Возникает существен­ ный вопрос: происходит ли это в действительности,

иесли да, то при каком значении С/0 //? Кроме того, если отношение U 0 / J до­ статочно велико, то проис­ ходит ли это со всеми волно­ выми функциями системы или только с некоторыми?

Первый подход

к этой

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

проблеме

содержится

в

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

важной работе

Андерсона

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

[18]. Более позднее

обсуж­

Ф и г .

2.4.

Четные

и нечетные

волновые

дение

работы

Андерсона

 

функции

для двух ям.

 

 

 

можно

найти у

Займана

а — случай

Ua

= Ub;

б — случай

Ua<

 

Щ и

[558],

Андерсона

[19]

и

Ub — Ua )£> 21;

в — график

разности

энергий

 

 

 

двух

 

состояний.

 

 

 

Таулеса

[503].

Андерсон

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

принимает

потенциал,

изображенный

 

на

фиг.

2.2, б,

 

и

ста­

вит следующую

задачу.

Допустим,

что

в момент

времени

t

= 0

электрон помещен в одну из ям. Что произойдет при £ - > -оо? Имеется ли конечная вероятность того, что электрон диффунди­ рует на большое расстояние при абсолютном нуле температуры, или вероятность найти электрон на большом расстоянии г убывает как ехр (—2аг) и в таком случае диффузии нет? Андерсон нашел, что диффузии нет, если U 0 / J больше некой константы, которая зависит от координационного числа z и которая при z = 6 при­ близительно равна пяти (см. подпись к фиг. 2.5). Это означает, что если UQIJ > 5 , то волновые функции всех электронов системы будут типа показанных на фиг. 2.3, в, т. е. экспоненциально убывающими с расстоянием г от ямы

х ) Это справедливо только в приближении ближайших соседей, т, е. если пренебречь интегралами перекрытия между более далекими ямами.— Прим. перев.

2S

Глава 2

 

 

Функция

начального состояния

имеет вид

 

и коэффициенты ат экспоненциально убывают

с расстоянием

между ямами т и п.

 

 

Другое и, возможно, более ясное истолкование условия Андер­

сона состоит

в следующем. Возьмем

электрон,

локализованный

в начальном состоянии в большом объеме радиусом Да: с энергией,

 

 

 

 

 

заданной

настолько

точно,

 

 

 

 

 

насколько

 

это

 

позволяет

 

 

 

 

 

принцип

неопределенности.

 

 

 

 

 

Тогда если Е лежит в центре

 

 

 

 

 

зоны,

то

при

выполнении

 

 

 

 

 

условия U0/J

> 5

диффузия

 

 

 

 

 

отсутствует, а в случае не­

 

 

 

 

 

выполнения

амплитуда

вол­

 

 

 

 

 

новой

функции

 

электрона

 

 

 

 

 

будет

стремиться

к

нулю

 

 

 

 

 

с

возрастанием

времени

t.

 

 

 

 

 

 

Критическое

 

значение

 

 

 

 

 

UQIJ

слабо зависит

от коор­

 

 

 

 

 

динационного

числа

z.

На

 

 

 

 

 

фиг.

2.5

изображен

график

 

 

 

 

 

Андерсона

для

U0/2I.

 

При

 

 

 

 

 

z = 6 величина

U J J

прибли­

Ф и г .

2.5.

Критическая

величина

зительно

равна

пяти;

опыт­

ные данные,

которые

будут

UQ/21,

взятая из работы Андерсона [18].

приведены ниже,

показыва­

В этой работе величина К связана с к о о р д и ­

национным числом z, а именно

К = 4,5 для

ют,

что

для

хаотического

простой кубической решетки . В данной книге

распределения

центров

это

мы полагаем

К пропорциональным z. Е с л и

и с п о л ь з у е т с я

величина К

по Д о м б у [132], то

значение

находится

в

удо­

критическая величина VJ21

должна быть р а в ­

на 4,0

д л я решетки алмаза, 5,5

— для п р о ­

влетворительном

 

согласии

стой к у б и ч е с к о й решетки, 6,4 — для объемно -

с

экспериментом.

 

 

 

центрированной кубической решетки и 7,5 .—

 

 

 

д л я гранецентрированной кубической решетки.

В некоторых более поздних

 

 

работах [365, 371], посвящен­

ных локализации Андерсона, внимание сосредоточено на величине а (0). В отсутствие диффузии проводимость а также должна обра­ щаться в нуль для всех энергий в зоне. Можно исследовать сгЕ

для любой энергии Е в

зоне и поставить вопрос, обращается ли

оЕ в нуль или нет. Чтобы получить результат, имеющий

физиче­

ский смысл, нужно вычислить среднее значение

а Б

по всем кон­

фигурациям ансамбля,

т. е. при всех значениях

Ui

для

каждой

ямы i, таких, что (U2)

= Щ. Это среднее обозначено

( о Е ( 0 ) ) .

Очевидно, при некоторых конфигурациях, а именно тех, в кото­ рых все или большая часть значений U малы, величина 0 не обращается в нуль.

Теория электронов

в некристаллической

среде

29

Возникает вопрос, дают

ли такие состояния

конечный

вклад

в случае бесконечного числа ям или они дают вклад, стремя­ щийся экспоненциально к нулю для больших N. Этот вопрос был подробно исследован Моттом [371]. Использованный метод вклю­ чал оценку проводимости при частоте со, а (со), и было показано,

что

при всех конфигурациях,

кроме той части, которая дает

исчезающий вклад при N^-oo,

 

величина (а (со))

ведет себя,

как

со2 при малых со, и поэтому

(0)) обращается

в нуль.

Вкачестве предварительной оценки рассмотрим две доста­

точно удаленные друг от друга ямы а и Ъ, для которых величины

Uа и Ub

почти равны. Волновая функция будет иметь вид,

пока­

занный

на фиг. 2.4, а, пока для любой ямы с, лежащей

между

а и Ъ, выполняется неравенство

| Uc

Ua

| <^ | Ub — Ua\.

Оце­

ним вклад, который вносят в

(о (со))

ямы

а и Ъ. Если нижнее

состояние занято, а верхнее свободно и если оба состояния разли­ чаются по энергии на Йсо, то вероятность того, что в единицу вре­ мени поле F cos со£ вызовет переход из одного состояния в другое, равна [ср. с (2.4)]

\F*(2-^)\xab\*n{Eb).

Здесь п (Е) dE — средняя по ансамблю вероятность того, что

Е,

энергия электрона в яме, лежит в интервале

dE. Величина

п

(Е)

порядка i/U0-

Поэтому, если в единице объема содержится N

цен­

тров и состояния заполнены до уровня

Ер

и если ha>IUQ

«С 1»

то

проводимость (о (со))

определяется

выражением

 

 

 

 

 

 

 

(Па)2[п

(EF)]2N2

j

\x\4nR2dR,

 

 

 

 

где R — расстояние между двумя ямами, а х следует

вычислять

при

Е =

EF.

Нижний предел интеграла

определяется

условием,

что для малых значений Йсо две ямы должны быть достаточно

уда­

лены, чтобы резонансная энергия 21 (=210

ехр ( — a R ) )

не

пре­

вышала

hu>. Минимальное расстояние,

обозначаемое

Ra,

таким

образом,

равно

 

 

 

^

 

 

 

 

При таких расстояниях, когда отношение В/А [выражение (2.22)]

не мало, величина хаЪ имеет порядок R,

хотя для больших расстоя­

ний, когда В/A «*2i7| Ua — Ub |, хаЬ

убывает экспоненциально

с расстоянием. Следовательно, заметный вклад в интеграл обу­

словлен объемом между сферами радиусом Д ш и Ra

+ o r 1 . Поэто­

му находим, что

 

(со)) « ( I ^ L ) ( u c o ) 2 № ^ £ .

( 2.24)

Соседние файлы в папке книги из ГПНТБ