книги из ГПНТБ / Мотт, Н. Электронные процессы в некристаллических веществах

470

Оглавление

3.9.

Сдвиг Найта

82

3.10.

Изменение магнитной восприимчивости при илавлспии . .

83

3.11.

Рентгеновский

спектр излучения

84

f

3.12.

Аморфные металлические

пленки;

границы зереи . . . .

85

3.13.

Электроны, инжектированные в жидкие инертные газы . .

86

3.14.

Влияние плотности состояний на проводимость

88

3.15. Оптические свойства

90

г

3.16. Жидкие и аморфные полуметаллы

91

I

3.16.1. Ртуть

при малой плотности (91). 3.16.2. Аморфные

•

сплавы магния с висмутом (93).

3.17. Жидкие полупроводники

и полуметаллы

95

3.17.1. Полупроводники

класса

«г»; селен

(98). 3.17.2.

Теллур (100).

3.17.3. Жидкие сплавы теллур —

селеп (103).

Глава

4.

Фононы и

поляроны

110

4.1.

Введение

110

4.2.

Рассеяние

электронов

фоноиамп

110

4.3.

Термически активированные перескоки

111

4.4.

Искажение решетки вокруг захваченного

электропа . . .

115

4.5. Переходы от одного локализованного состояния к другому

в полярной

решетке

117

4.6.

Перескоки

при

низкой

температуре

120

4.7. Поляроны в кристаллах

120

4.8. Движение полярона в

кристаллической

решетке . . . .

123

4.9. Энергия, необходимая для освобождения

носителя

тока из

донорного центра

124

4.10. Примеры перескакивающих поляронов

125

4.11. Термо-э. д. с ,

обусловленная

поляронамн

126

4.12.

Андерсоновская

локализация

поляронов

127

4.13. Вырожденный газ поляронов

128

4.14. Поляроны в жидкостях

128

Глава

5.

Переход металл —

неметалл

129

5.1.

Введение

129

5.2. Изоляторы Мотта — Хаббарда

131

5.3. Зонное описание изоляторов

Мотта — Хаббарда . . . .

135

5.4. Поведение вблизи точки перехода

137

5.5. Гамильтониан

Хаббарда

139

5.6. Влияние дальнодействующих

сил

141

5.7.

Кристаллизация

Вигиера

144

5.8. Экситонный

изолятор

146

5.9. Модель Кона для перехода Мотта

149

5.10.

Окислы переходных

металлов

151

5.11. Переход металл — неметалл в неупорядоченных системах

155

5.12. Проводимость

неупорядоченных систем вблизи

точки

перехода

157

5.13. Материалы

с

высокой

диэлектрической

проницаемостью;

переходы в

легированных титанатах

158

5.14. Металл-аммиачные

растворы

159

Глава

6.

Проводимость по примесям и примесные зоны

162

6.1.

Введение

162

6.2.

Модели Туза и Миллера и Абрахамса

". . . .

167

6.3.

Проводимость по примесям в кремнии и германии . . . .

169

Оглавление

471

6.4.

Термо-э. д. с

175

6.5. Аидерсоиовская локализация на металлической

стороне

перехода металл — неметалл

176

6.6. Локализация Андерсона в сульфиде церия и моноокиси

ванадия

178

6.7.

Проводимость по примесям в ионных соединениях

. . . .

180

металлов

183

6.9. Магнитная

восприимчивость

184

6.10.

Эффект

Холла

185

6.11.

Магнитные

поляроны

186

6.12.

Магнитные

полупроводники

188

6.13.

Магнетосопротивление

191

6.14.

Высокочастотная проводимость и поглощение света

. . .

194

Глава

7.

Некристаллические

полупроводники

198

7.1.

Введение

198

I

7.2.

Получение аморфных полупроводников и их классификация

198

I

7.3.

Изучение структур

аморфных

веществ

204

7.4. Электрические

свойства

некристаллических

полупровод­

ников

207

7.4.1. Основные теоретические представления (207). 7.4.2.

Температурная зависимость проводимости на постоянном

токе

(211).

7.4.3.

Дрейфовые подвижности

(218).

7.4.4.

Проводимость на переменном токе (222). 7.4.5. Термо-э. д. с.

(231). 7.4.6. Эффект Холла

(237). 7.4.7. Магнетосопротивле­

ние (239). 7.4.8. Термически активированная проводимость

(241).

7.5. Фотопроводимость и квантовый выход

241

7.6.

Оптическое

поглощение

250

7.6.1. Край поглощения и правило Урбаха (250). 7.6.2. Меж­

зонное поглощение (261). 7.6.3. Поглощение при высоких

энергиях фотона (266). 7.6.4. Модуляционные эксперименты

(271).

7.6.5. Впутризонное поглощение (271). 7.6.6. Фонон-

ное поглощение

(274).

7.7.

Другие

результаты измерений

275

1

7.7.1. Фотрэмиссия

из аморфных полупроводников

(275).

7.7.2. Электронный

парамагнитный резонанс

(277).

7.7.3'.

Магнитная

восприимчивость

(278).

Глава 8.

Свойства аморфных германия, кремния и других

полупро­

водников с тетраэдрической атомной структурой

. . . .

285

8.1. Аморфные германий и кремний

28S

8.1.1. Методы получения (285). 8.1.2.

Структура

аморфных

германия и кремния (287). 8.1.3. Электрические свойства

аморфного германия (292). 8.1.4. Электрические

свойства

аморфного кремния (305). 8.1.5.

Оптические

свойства

аморфного германия (312). 8.1.6. Оптические свойства аморф­

ного

кремния (321).

8.2.

I n S b

и другие полупроводники типа АТ^В^

326

8.3.

C d G e A s 2 и аналогичные тройные соединения

329"

8.3.1.

Электрические свойства стекол типа

C d G e A s 2

(331).

8.3.2.

Оптические свойства стекол

типа

C d G e A s 2

(334).

472

Оглавление

Глава 9.

Халькогеиидные

стекла

338

9.1.

Введение

338

9.2. Электрические

и

оптические

свойства

халькогеиидпых

стекол

341

9.3. Трисульфид мышьяка

A s 2

S 3

в

системе

As —

S

345

9.4.

Триселенид мышьяка

A s 2 S e 3

и система A s —

Se

360

9.5. Трителлурид мышьяка

A s 2 T e 3

372

9.6. Смешанные

бинарные

системы

376

9.6.1. Система AsoSe3 —

A s 2 T e 3

(376). 9.6.2. Система A s 2

S 3 —

A s 2

S e 3 (378).

9.6.3.

Система

A s 2

S 3 —

A s 2 T e 3

(378).

9.6.4.

Система

A s 2 S e 3

—

S b 2 S 3

(378).

9.7. Теллурид германия

G e T e

380

9.S. Многокомпонентные стекла

383

Глава 10. Селен, теллур и их сплавы

385

10.1

Структура

аморфного

селена

и

сплавов

селена

385

10.1.1. Изоэлектронные

добавки Те и S (388). 10.1.2. Одно­

валентные

добавки

C I ,

B r , I ,

T l ,

N a

и

К (389). 10.1.3.

Разветвляющие

добавки

As,

B i и

Ge

(390).

10.2.

Электрические свойства аморфного селена и сплавов селена

393

10.2.1. Проводимость (393). 10.2.2. Дрейфовые подвижно­

сти (396). 10.2.3. Времена жизни и длины пробега

носителей

(401). 10.2.4.

Измерение

токов,

ограниченных

простран­

ственным

зарядом

(403).

10.3.

Оптические

свойства аморфных

селена

и

теллура . . . .

404

10.4.

Фотовозбуждение в

аморфном селене: ксерография . . .

411

Приложение. Таблица П.1

415

Литература к

таблице

приложения

422

Литература

. . .

. '

424

Именной указатель

462

Предметный указатель

466

Сдано

в

набор

23/VII

1973

г. Подписано к

печати

26/XII

1973

г. Бумага

JMS 2

60x90

/18

=14,75

бум . л.

29,5

печ. л. Уч . - изд . л.

30,33

Изд . NS

2/6869

Цена 2 р .

96 к .

М о с к в а ,

1-й Рижский пер . , 2

Ордена Трудового К р а с н о г о знамени

М о с к о в с к а я типография № 7 «Искра революции»