- •1.1 Классификация передатчиков
- •1.2. Требования к выходным сигналам и параметрам передатчика
- •1.3. Структурные схемы передатчиков
- •1.4. Структурные схемы основных функциональных узлов и общие сведения о них
- •2.1. Статические характеристики активных элементов
- •2.2. Классификация режимов активных элементов в усилителях мощности
- •2.3. Гармонический анализ косинусоидальных импульсов
- •2.4. Другие формы импульсов тока и их гармонический анализ
- •2.5. Нелинейная модель биполярного транзистора и аппроксимация ее характеристик
- •2.6. Формы токов биполярного транзистора с учетом его инерционности при возбуждении от источника напряжения
- •2.7. Гармонический анализ токов. Расчет у-параметров транзистора в режиме большого сигнала
- •2.8. Гармонический анализ токов и напряжений в биполярном транзисторе при возбуждении от
- •§ 2.7, Выражаем комплексные амплитуды первых гармоник напряжения на входе и тока на выходе ik1 ( через комплексные амплитуды тока базы и напряжения на коллекторе :
- •3.1. Задачи проектирования и реализации
- •3.2. Выбор режима активного элемента в усилителе мощности
- •3.3. Выбор активного элемента для усилителя
- •3.4. Выбор угла отсечки
- •3.5. Расчет усилителя в критическом режиме на заданную мощность в нагрузке
- •3.6. Нагрузочные характеристики усилителя мощности
- •3.7. Влияние амплитуды напряжения возбуждения, питающих напряжений и температуры на режим усилителя мощности
- •3.8. Простые цепи согласования в усилителях мощности
- •3.9. Оценка фильтрации высших гармоник
- •3.10. Учет потерь в простых цепях согласования и общий кпд коллекторной цепи
- •§ 3.8 Уже было
- •3.11. Принципиальные схемы усилителей мощности
- •4.1. Общие соотношения при амплитудной
- •4.2. Модуляция смещением
- •4.3. Усиление модулированных колебаний
- •4.4. Коллекторная модуляция
- •4.5. Комбинированная коллекторная модуляция
- •4.6. Расчет усилителя мощности при коллекторной
- •4.7. Схемы выходных каскадов при коллекторной и комбинированной модуляции
- •5.1. Общие сведения
- •5.2. Параллельное включение активных элементов
- •5.3. Двухтактное включение активных элементов
- •5.4. Мостовое включение активных элементов
- •6.1. Общие сведения о ключевых
- •6.2. Двухтактный кум с переключением напряжения на биполярных транзисторах
- •6.3. Порядок расчета двухтактного кум
- •6.4. Однотактные кум
- •6.5. Расчет режима транзистора в однотактном кум
- •7.1. Общие сведения
- •7.2. Основные уравнения автогенератора
- •7.2.1. Уравнения стационарного режима
- •7.2.2. Расчет частоты автоколебаний. Необходимое условие фазовой устойчивости стационарного режима
- •7.2.3. Расчет амплитуды автоколебаний. Условия амплитудной устойчивости
- •7.3. Расчет и обеспечение устойчивости стационарных колебаний в автогенераторе при кусочно-линейных вольт-амперных характеристиках активного элемента
- •7.3.1. Колебательные характеристики активного элемента с кусочно-линейными вольт-амперными характеристиками в автогенераторе
- •7.3.2. Стационарные режимы в автогенераторах с цепями автоматического смещения. Применение диаграмм срыва и диаграмм смещения для расчета стационарных режимов
- •7.3.3. Анализ устойчивости стационарных режимов в автогенераторах с автосмещением. Режимы прерывистой генерации и самомодуляции
- •7.3.4. Нагрузочные характеристики автогенератора
- •7.3.5. Подход к выбору и расчету режима автогенератора
- •7.4. Схемы автогенераторов
- •7.4.1. Принципы построения схем автогенераторов
- •7.4.2. Высокочастотная эквивалентная схема с идеальным трансформатором
- •7.4.3. Обобщенная трехточечная схема
- •7.4.4. Емкостная и индуктивная трехточки
- •7.4.5. Цепи питания, смещения и связи с нагрузкой в схемах автогенераторов
- •7.5. Регулировочные характеристики автогенераторов
- •7.6. Нестабильность частоты автоколебаний
- •7.7. Кварцевая стабилизация частоты
- •8.1. Основные характеристики радиосигналов с угловой модуляцией
- •8.2. Структурные схемы передатчиков с угловой модуляцией
- •8.3. Характеристики передатчиков с угловой модуляцией
- •8.4. Методы получения чм- и фм-сигналов
- •8.5. Частотная модуляция в автогенераторах с помощью варикапа
- •8.6. Модуляторы фазы
- •8.7. Интегральные генераторы, управляемые по частоте
- •9.1. Требования к синтезаторам частот
- •9.2. Структуры синтезаторов частот
- •9.3. Источники опорных высокостабильных колебаний
- •9.4 Цифровые вычислительные синтезаторы
- •9.5. Синтезаторы на основе кольца фазовой
- •9.6. Интегральные синтезаторы частот
- •10.1. Конструкция биполярных свч-транзисторов
- •10.1.1. Структура биполярных свч-транзисторов
- •10.1.2. Оксибериллиевый изолятори внутреннее устройство мощного бт свч
- •10.1.3. Паразитные индуктивности и емкости выводов
- •10.1.4. Специализация биполярных свч-транзисторов
- •10.2. Режимы и параметры биполярных транзисторов
- •10.2.1. Питающее напряжение
- •10.2.2. Отсечка тока в биполярных свч-транзисторах
- •10.2.3. Система параметров биполярных свч -транзисторов
- •10.2.4. Модель биполярного свч-транзистора
- •10.3. Свойства биполярных свч-транзисторов в схемах резонансных усилителей с общим эмиттером и общей базой
- •10.4. Схемы усилителей мощности на биполярных свч-транзисторах
- •10.5. Конструкции транзисторных свч-устройств
- •11.1. Общие сведения о пролетных клистронах
- •11.2. Принцип действия пролетного клистрона
- •11.3. Теория группирования
- •11.4. Характеристики пролетного клистрона и способы их улучшения
- •12.1. Общие сведения
- •12.2. Устройство и принцип действия лбв-о
- •12.3. Рабочие характеристики лбв-о
- •12.4. Лампы обратной волны
- •13.1. Общие сведения
- •13.2. Движение электронов в скрещенных электрическом и магнитном полях
- •13.3. Структура поля и электронного потока при генерации свч-мощности
- •13.4.1. Коэффициент полезного действия
- •13.4. Характеристики и параметры магнетронных
- •13.4.2. Рабочие характеристики
- •13.4.3. Нагрузочные характеристики
- •13.5. Виды магнетронных автогенераторов и усилителей мощности
- •13.5.1. Основные сведения
- •13.5.2. Митрон — магнетрон, перестраиваемый по частоте напряжением
- •13.5.3. Амплитрон — магнетронный усилитель мощности
- •13.5.4. Генераторы на лампах бегущей и обратной волны типа м
- •13.6. Формирование модулированных колебаний в приборах типа м
- •14.1. Основные классы и области применения полупроводниковых диодных генераторов
- •14.2. Принцип действия и характеристики лавинно-пролетного диода
- •14.2.1. Общие сведения
- •14.2.2. Статический режим лпд
- •14.2.3. Понятие о слое умножения и пролетном
- •14.2.4. Пролетный режим лпд
- •14.3. Принцип действия и характеристики диода Ганна
- •14.3.1. Общие сведения
- •14.3.2. Механизм возникновения отрицательной проводимости в дг
- •14.3.3. Домены сильного поля. Динамика доменов
- •14.3.4. Режимы работы дг в генераторной схеме
- •14.4. Конструкции и эквивалентные схемы диодных генераторов
- •14.5. Управление колебаниями диодных генераторов
- •14.6. Способы повышения кпд диодных генераторов
- •Кулешов Валентин Николаевич, Удалов Николай Николаевич, Богачёв Вячеслав Михайлович, Белов Леонид Алексеевич, Коптев Глеб Иванович, Царапкин Дмитрий Петрович, Хрюнов Анатолий Васильевич
13.1. Общие сведения
Для генерации мощных СВЧ-колебаний применяют электронные приборы, в которых взаимодействие электронов с электрической составляющей поля СВЧ происходит в пространстве, где постоянное магнитное поле перпендикулярно постоянному электрическому полю. Термин «магнетрон» [от греческих слов magnetis и (elek)трон] используется с 20-х годов XX века, когда работами А. Хала, А. Жачека, А.А. Слуцкина, К. Окабе развивалась техника генерирования колебаний сантиметрового диапазона длин волн скрещенных электрическом и магнитных полях. В 1936г. Н.Ф. Алексеевым и Д.Е. Маляровым под руководством М.А. Бонч-Бруевича была создана конструкция многорезонатроного магнетрона с массивным анодным блоком. Использование именно магнетронных автогенераторов, позволяющих обеспечить пиковую мощность до сотен киловатт при КПД около 80 %, способствовало развитию радиолокационной техники в годы Второй мировой войны и после нее, широкому использованию устройств СВЧ-нагрева в бытовых и промышленных печах, развитию средств передачи энергии с помощью электромагнитных полей.
Базовым для семейства таких электронных приборов является многорезонаторный магнетрон, разрез которого показан на рис. 13.1, а, а вид резонаторного блока — на рис. 13.1,6.
Статическое электрическое поле прикладывается между катодом 2 и анодным блоком I; статическое магнитное поле создается между торцами блока I; кольцевая система резонаторов образована цилиндрическими полостями и щелями в анодном блоке; вывод СВЧ-энер-гии 5 связывает магнетрон с нагрузкой. Электроны движутся в пространстве между катодом и анодом в скрещенных электрическом и магнитном полях.
Рис. 13.1. Разрез многорезонаторного магнетрона без внешней магнитной системы:
1 — анодный блок с системой цилиндрических резонаторов типа «щель—отверстие» 3; 2 — катод с выводами подогревателя; 4 — пространство взаимодействия электронов с электрическим и магнитным полями; 5 — коаксиальный вывод энергии СВЧ
13.2. Движение электронов в скрещенных электрическом и магнитном полях
Рассмотрим поведение одиночного электрона, находящегося в точке 1 (рис. 13.2) с нулевой начальной скоростью в однородном пространстве с вектором напряженности статического электрического поля \Е\ = Ea/d и ортогональным ему вектором магнитной индукции В, где Еа — анодное напряжение; d — расстояние между анодом и катодом.
Движение электрона в трехмерном пространстве (х, у, z ) описывается дифференциальным уравнением
,
(13.1)
где т и е — соответственно масса и заряд электрона; v3J1 — вектор скорости электрона (в скобках — векторное произведение). При нулевой начальной скорости (точка 1) отрицательно заряженный электрон начинает движение по направлению к положительно заряженному аноду, а наличие магнитного поля за счет силы Лоренца искривляет его траекторию, которая в плоскости (х, у) представляет собой циклоиду (показана на рис. 13.2 штриховой линией). Эту кривую можно представить как след точки, находящейся на ободе круга
Рис. 13.2. Траектория движения электрона в однородных скрещенных электрическом и магнитном полях
Рис. 13.3. К выбору анодного напряжения и магнитной индукции в 8-резонатор-ном магнетроне
радиусом
,
где
В
= \В\ ,
который катится по линии a—
а', параллельной
катоду. За период циклоиды (между точками
1
и
4)
полная
энергия электрона не изменяется, его
кинетическая энергия
имеет
нулевое значение в точках останова 1
и
4,
максимальное
— в точке 3
на
вершине циклоиды. Средняя скорость
перемещения электрона вдоль линии
a—a'.
,
(13.2)
а наибольшее отклонение h = 2Ea /(B 2ed) положения электрона от линии a—а' равно удвоенному радиусу циклоиды. Циклоидальное движение прерывается при попадании электрона на анод, если h > d. В плоскости параметров (Еа, В) (рис. 13.3) парабола критического режима отделяет область, лежащую левее нее, где невозможно циклоидальное движение, от рабочей области, лежащей правее.
Для
цилиндрической конструкции магнетрона
d
=
,
где
—
радиусы анода и катода, уравнение
параболы критического режима имеет вид
.
(13.3)
Если высокочастотных полей в пространстве между анодом и катодом нет, то каждый электрон в облаке, находящемся около нагретого катода, движется по циклоидам параллельно катоду со средней скоростью ср, (13.2). В цилиндрической конструкции каждый электрон движется по эпициклоидам, а облако в целом вращается вокруг катода с угловой скоростью ц = еВ/т.
