- •1.1 Классификация передатчиков
- •1.2. Требования к выходным сигналам и параметрам передатчика
- •1.3. Структурные схемы передатчиков
- •1.4. Структурные схемы основных функциональных узлов и общие сведения о них
- •2.1. Статические характеристики активных элементов
- •2.2. Классификация режимов активных элементов в усилителях мощности
- •2.3. Гармонический анализ косинусоидальных импульсов
- •2.4. Другие формы импульсов тока и их гармонический анализ
- •2.5. Нелинейная модель биполярного транзистора и аппроксимация ее характеристик
- •2.6. Формы токов биполярного транзистора с учетом его инерционности при возбуждении от источника напряжения
- •2.7. Гармонический анализ токов. Расчет у-параметров транзистора в режиме большого сигнала
- •2.8. Гармонический анализ токов и напряжений в биполярном транзисторе при возбуждении от
- •§ 2.7, Выражаем комплексные амплитуды первых гармоник напряжения на входе и тока на выходе ik1 ( через комплексные амплитуды тока базы и напряжения на коллекторе :
- •3.1. Задачи проектирования и реализации
- •3.2. Выбор режима активного элемента в усилителе мощности
- •3.3. Выбор активного элемента для усилителя
- •3.4. Выбор угла отсечки
- •3.5. Расчет усилителя в критическом режиме на заданную мощность в нагрузке
- •3.6. Нагрузочные характеристики усилителя мощности
- •3.7. Влияние амплитуды напряжения возбуждения, питающих напряжений и температуры на режим усилителя мощности
- •3.8. Простые цепи согласования в усилителях мощности
- •3.9. Оценка фильтрации высших гармоник
- •3.10. Учет потерь в простых цепях согласования и общий кпд коллекторной цепи
- •§ 3.8 Уже было
- •3.11. Принципиальные схемы усилителей мощности
- •4.1. Общие соотношения при амплитудной
- •4.2. Модуляция смещением
- •4.3. Усиление модулированных колебаний
- •4.4. Коллекторная модуляция
- •4.5. Комбинированная коллекторная модуляция
- •4.6. Расчет усилителя мощности при коллекторной
- •4.7. Схемы выходных каскадов при коллекторной и комбинированной модуляции
- •5.1. Общие сведения
- •5.2. Параллельное включение активных элементов
- •5.3. Двухтактное включение активных элементов
- •5.4. Мостовое включение активных элементов
- •6.1. Общие сведения о ключевых
- •6.2. Двухтактный кум с переключением напряжения на биполярных транзисторах
- •6.3. Порядок расчета двухтактного кум
- •6.4. Однотактные кум
- •6.5. Расчет режима транзистора в однотактном кум
- •7.1. Общие сведения
- •7.2. Основные уравнения автогенератора
- •7.2.1. Уравнения стационарного режима
- •7.2.2. Расчет частоты автоколебаний. Необходимое условие фазовой устойчивости стационарного режима
- •7.2.3. Расчет амплитуды автоколебаний. Условия амплитудной устойчивости
- •7.3. Расчет и обеспечение устойчивости стационарных колебаний в автогенераторе при кусочно-линейных вольт-амперных характеристиках активного элемента
- •7.3.1. Колебательные характеристики активного элемента с кусочно-линейными вольт-амперными характеристиками в автогенераторе
- •7.3.2. Стационарные режимы в автогенераторах с цепями автоматического смещения. Применение диаграмм срыва и диаграмм смещения для расчета стационарных режимов
- •7.3.3. Анализ устойчивости стационарных режимов в автогенераторах с автосмещением. Режимы прерывистой генерации и самомодуляции
- •7.3.4. Нагрузочные характеристики автогенератора
- •7.3.5. Подход к выбору и расчету режима автогенератора
- •7.4. Схемы автогенераторов
- •7.4.1. Принципы построения схем автогенераторов
- •7.4.2. Высокочастотная эквивалентная схема с идеальным трансформатором
- •7.4.3. Обобщенная трехточечная схема
- •7.4.4. Емкостная и индуктивная трехточки
- •7.4.5. Цепи питания, смещения и связи с нагрузкой в схемах автогенераторов
- •7.5. Регулировочные характеристики автогенераторов
- •7.6. Нестабильность частоты автоколебаний
- •7.7. Кварцевая стабилизация частоты
- •8.1. Основные характеристики радиосигналов с угловой модуляцией
- •8.2. Структурные схемы передатчиков с угловой модуляцией
- •8.3. Характеристики передатчиков с угловой модуляцией
- •8.4. Методы получения чм- и фм-сигналов
- •8.5. Частотная модуляция в автогенераторах с помощью варикапа
- •8.6. Модуляторы фазы
- •8.7. Интегральные генераторы, управляемые по частоте
- •9.1. Требования к синтезаторам частот
- •9.2. Структуры синтезаторов частот
- •9.3. Источники опорных высокостабильных колебаний
- •9.4 Цифровые вычислительные синтезаторы
- •9.5. Синтезаторы на основе кольца фазовой
- •9.6. Интегральные синтезаторы частот
- •10.1. Конструкция биполярных свч-транзисторов
- •10.1.1. Структура биполярных свч-транзисторов
- •10.1.2. Оксибериллиевый изолятори внутреннее устройство мощного бт свч
- •10.1.3. Паразитные индуктивности и емкости выводов
- •10.1.4. Специализация биполярных свч-транзисторов
- •10.2. Режимы и параметры биполярных транзисторов
- •10.2.1. Питающее напряжение
- •10.2.2. Отсечка тока в биполярных свч-транзисторах
- •10.2.3. Система параметров биполярных свч -транзисторов
- •10.2.4. Модель биполярного свч-транзистора
- •10.3. Свойства биполярных свч-транзисторов в схемах резонансных усилителей с общим эмиттером и общей базой
- •10.4. Схемы усилителей мощности на биполярных свч-транзисторах
- •10.5. Конструкции транзисторных свч-устройств
- •11.1. Общие сведения о пролетных клистронах
- •11.2. Принцип действия пролетного клистрона
- •11.3. Теория группирования
- •11.4. Характеристики пролетного клистрона и способы их улучшения
- •12.1. Общие сведения
- •12.2. Устройство и принцип действия лбв-о
- •12.3. Рабочие характеристики лбв-о
- •12.4. Лампы обратной волны
- •13.1. Общие сведения
- •13.2. Движение электронов в скрещенных электрическом и магнитном полях
- •13.3. Структура поля и электронного потока при генерации свч-мощности
- •13.4.1. Коэффициент полезного действия
- •13.4. Характеристики и параметры магнетронных
- •13.4.2. Рабочие характеристики
- •13.4.3. Нагрузочные характеристики
- •13.5. Виды магнетронных автогенераторов и усилителей мощности
- •13.5.1. Основные сведения
- •13.5.2. Митрон — магнетрон, перестраиваемый по частоте напряжением
- •13.5.3. Амплитрон — магнетронный усилитель мощности
- •13.5.4. Генераторы на лампах бегущей и обратной волны типа м
- •13.6. Формирование модулированных колебаний в приборах типа м
- •14.1. Основные классы и области применения полупроводниковых диодных генераторов
- •14.2. Принцип действия и характеристики лавинно-пролетного диода
- •14.2.1. Общие сведения
- •14.2.2. Статический режим лпд
- •14.2.3. Понятие о слое умножения и пролетном
- •14.2.4. Пролетный режим лпд
- •14.3. Принцип действия и характеристики диода Ганна
- •14.3.1. Общие сведения
- •14.3.2. Механизм возникновения отрицательной проводимости в дг
- •14.3.3. Домены сильного поля. Динамика доменов
- •14.3.4. Режимы работы дг в генераторной схеме
- •14.4. Конструкции и эквивалентные схемы диодных генераторов
- •14.5. Управление колебаниями диодных генераторов
- •14.6. Способы повышения кпд диодных генераторов
- •Кулешов Валентин Николаевич, Удалов Николай Николаевич, Богачёв Вячеслав Михайлович, Белов Леонид Алексеевич, Коптев Глеб Иванович, Царапкин Дмитрий Петрович, Хрюнов Анатолий Васильевич
6.3. Порядок расчета двухтактного кум
Для первого знакомства с расчетом КУМ рассмотрим область сравнительно невысоких частот — порядка 100 кГц, в которой можно пренебречь сквозными токами и другими «паразитными» процессами, а транзистор заменить ключом с сопротивлением rнас (см. рис. 6.1, б).
Для оценки общего КПД усилителя
(6.3)
где Р0 — мощность, потребляемая от источника питания; Рн - мощность, передаваемая в нагрузку, введем электронный КПД ключевого усилителя
(6.4)
где Рц.с мощность, рассеиваемая на сопротивлении потерь контура rL , а также введем КПД цепи согласования
(6.5)
Из этих соотношений следует равенство
(6.6)
Следует отметить, что в схеме рис. 6.1, б при отсутствии в контуре токов высших гармоник и связанных с ними потерь мощное Р0 равна полной мощности Р1, выделяемой первой гармоникой тока контура на сопротивлениях RH, rнас и rL, т. е. справедливо равенство
(6.7)
где
(6.8)
— полное сопротивление потерь в выходном контуре КУМ; Рк - мощность, рассеиваемая на коллекторах транзисторов, численно равная потерям на сопротивлении rнас;
— амплитуда
первой гармоники тока контура.
Непосредственно из схемы рис. 6.1, б и определений η0, ηэ.кл ηц.с вытекают следующие выражения:
(6.9)
Кроме них для расчетов используют соотношения, связывающие сопротивления потерь с добротностями выходного контура при отсутствии вносимых сопротивлений (на холостом ходу) Qx и при наличии внесенных сопротивлений QH. Эти добротности выража-
ются
через характеристическое
сопротивление контура
и
сопротивление rL
и
RK
Qx = ρ/r L ; Qн = ρ/Rк (6.10)
Из (6.8), (6.10) получим формулу для ρ при заданных rнас
При получим КУМ формулу для расчета р при заданных гнас, QH и Qк
(6.11)
При рисчете КУМ добротность QH определяется требованиями к подавлению высших гармоник тока в нагрузке. Степень подавления n-й гармоники находится из соотношения
(6.12)
и обычно измеряется в децибелах
(6.13)
Выразим
через
соответствующие гармоники напряжения
e'K(t):
гармопические составляющие напряжения e'K(t) определяются формулой (6.1), из которой следует
(6.14)
И соответственно
(6.15)
Таким образом, для наибольшей третьей гармоники при симметричном меандре e'K(t) получаем
(6.16)
(6.17)
При расчете входной цепи предположим, что КУМ возбуждается от генератора гармонического тока, причем амплитуда тока базы в режиме насыщения на порядок ниже высоты импульса коллекторного тока:
(6.18)
Для оценки входной мощности необходимо знать амплитуду первой гармоники напряжения возбуждения Uв1. В соответствии с рис. 6.2, л первая гармоника напряжения uв(t) складывается из первой гармоники прямоугольного напряжения, возникающего в связи с начальным сдвигом статических характеристик Е' и изменяющегося от -Е' до +Е', и падения напряжения на сопротивлениях баз за счет тока возбуждения. В результате имеем
(6.19)
Расчет выполним в двух вариантах. В обоих вариантах считаем заданной мощность в нагрузке Рн, параметры транзистора (rнас, rб, Е') и степень подавления третьей гармоники ФзD. В варианте 1 считаем заданным сопротивление нагрузки и находим требуемое напряжение питания Ек. В варианте 2 считаем заданным напряжение Ек и определяем сопротивление нагрузки RH. Найденное значение RН, как правило, не совпадает с требуемым, например с сопротивлением фидера Rф. Именно это обстоятельство заставляет перейти от простейшей схемы КУМ (см. рис. 6.1, а) к схеме на рис. 6.3, б. Схема при том же общем КПД обеспечивает повышенную фильтрацию высших гармоник либо при заданной степени фильтрации позволяет повысить общий КПД усилителя.
Вариант 1. Расчет на заданную мощность Рн при заданном RH.
Исходя из заданных требований к подавлению третьей гармоники, из равенства (6.17) определяем добротность
2. Задавая добротность контура на холостом ходу (например Qx = 100), по формуле (6.11) находим характеристическое сопротивление контура ρ, по формулам (6.10) определяем rL и RK и по формулам (6.9) рассчитываем η0, ηэ.кл и ηц.с.
3. Из (6.3)—(6.5) находим мощности:
4. Рассчитываем первую гармонику тока нагрузки, высоту импульса и постоянную составляющую тока коллектора:
5. Находим напряжение питания выходной цепи
Напряжение питания не должно превышать допустимого Ек < ек.э.доп. Выполнение этого неравенства следует проверить.
6. Номиналы элементов ЦС рассчитываем по формулам:
L = р/ω; С= 1/(ωр).
7. Определяем амплитуды напряжений на реактивных элементах контура (на резонансной частоте контура ю они равны):
На это напряжение должны быть рассчитаны электрические прочности катушки индуктивности и конденсатора ЦС.
8. По формулам (6.18) и (6.19) находим амплитуды входного тока Iв и напряжения Uв1, определяем мощность возбуждения и коэффициент усиления по мощности:
На этом расчет КУМ при заданных значениях Рн и RH заканчивается.
Для расчета режима и параметров КУМ при заданных Рн и Ек и неизвестном заранее значении RH предварительно установим связь между общим КПД η0, мощностью Рн и напряжением питания Ек. Согласно схеме выходной цепи КУМ (см. рис. 6.1, б) на сопротивлении RH развивается напряжение
и, следовательно,
Теперь, считая известными Рн Rн, rнас, QH и Qx, находим выражение для общего КПД ключевого усилителя, подставляя RH в виде
(6.21)
и учитывая, что rL = (QH /QX)RK , RK = RH/η0, получаем из (6.21)
(6.22)
Подставляя это выражение в (6.20) и решая получившееся уравнение относительно г|0, приходим к искомой формуле
(6.23)
Заметим, что из двух решений уравнения относительно ц0 выбрано большее, соответствующее режиму высокого КПД.
Используя полученные формулы, строим второй вариант расчета КУМ.
Вариант 2. Расчет на заданную мощность в нагрузке Ри при заданном напряжении питания Ек.
1. Как
и в п. 1 варианта 1, исходя из заданного
значения Ф
,
определяем добротность QH.
При
этом выбираем значение Qx.
2. По формуле (6.23) находим общий КПД η0 и, разрешив (6.20) относительно RH, рассчитаем сопротивление нагрузки
(6.24)
3. По формуле (6.11) находим характеристическое сопротивление контура ρ, по (6.10) рассчитываем rL и RK и по (6.9) определяем ηэ.кл
и ηц.э.
После нахождения Рн и ρ задача сводится к решенной ранее и расчет выполняется в соответствии с пп. 3—8 варианта 1. При этом п. 5, в котором определяется напряжение питания, известное из исходных данных, можно опустить либо использовать для проверки точности вычислений.
Найденное значение RH, как правило, оказывается меньше сопротивления реальной нагрузки, например Rф = 50 или 75 Ом. В этом случае можно перейти от простой схемы (см. рис. 6.1, а) к схеме с повышенной фильтрацией высших гармоник (см. рис. 6.3). Коэффициент подавления третьей гармоники, как показано в гл. 3, для этой схемы
(6.25)
Отсюда видно, что при отношении Rф/Rн= 1,6...4,0 коэффициент Ф3 уменьшается в 2,0...2,7 раза, т. е. степень подавления третьей гармоники улучшается на 3...4 дБ. Если же требования к КПД превалируют, то из (6.25) можно найти новое, меньшее значение добротности QH и по формуле (6.23) уточнить значение КПД η0. Отметим, что в схеме с улучшенной фильтрацией общий КПД коллекторной цепи КУМ повышается преимущественно благодаря уменьшению мощности рассеяния в катушке индуктивности (вдвое при Ф3 = 2) и соответствующему увеличению КПД цепи согласования. Электронный КПД усилителя при этом практически не меняется, точнее, увеличивается на доли процента.
