- •1.1 Классификация передатчиков
- •1.2. Требования к выходным сигналам и параметрам передатчика
- •1.3. Структурные схемы передатчиков
- •1.4. Структурные схемы основных функциональных узлов и общие сведения о них
- •2.1. Статические характеристики активных элементов
- •2.2. Классификация режимов активных элементов в усилителях мощности
- •2.3. Гармонический анализ косинусоидальных импульсов
- •2.4. Другие формы импульсов тока и их гармонический анализ
- •2.5. Нелинейная модель биполярного транзистора и аппроксимация ее характеристик
- •2.6. Формы токов биполярного транзистора с учетом его инерционности при возбуждении от источника напряжения
- •2.7. Гармонический анализ токов. Расчет у-параметров транзистора в режиме большого сигнала
- •2.8. Гармонический анализ токов и напряжений в биполярном транзисторе при возбуждении от
- •§ 2.7, Выражаем комплексные амплитуды первых гармоник напряжения на входе и тока на выходе ik1 ( через комплексные амплитуды тока базы и напряжения на коллекторе :
- •3.1. Задачи проектирования и реализации
- •3.2. Выбор режима активного элемента в усилителе мощности
- •3.3. Выбор активного элемента для усилителя
- •3.4. Выбор угла отсечки
- •3.5. Расчет усилителя в критическом режиме на заданную мощность в нагрузке
- •3.6. Нагрузочные характеристики усилителя мощности
- •3.7. Влияние амплитуды напряжения возбуждения, питающих напряжений и температуры на режим усилителя мощности
- •3.8. Простые цепи согласования в усилителях мощности
- •3.9. Оценка фильтрации высших гармоник
- •3.10. Учет потерь в простых цепях согласования и общий кпд коллекторной цепи
- •§ 3.8 Уже было
- •3.11. Принципиальные схемы усилителей мощности
- •4.1. Общие соотношения при амплитудной
- •4.2. Модуляция смещением
- •4.3. Усиление модулированных колебаний
- •4.4. Коллекторная модуляция
- •4.5. Комбинированная коллекторная модуляция
- •4.6. Расчет усилителя мощности при коллекторной
- •4.7. Схемы выходных каскадов при коллекторной и комбинированной модуляции
- •5.1. Общие сведения
- •5.2. Параллельное включение активных элементов
- •5.3. Двухтактное включение активных элементов
- •5.4. Мостовое включение активных элементов
- •6.1. Общие сведения о ключевых
- •6.2. Двухтактный кум с переключением напряжения на биполярных транзисторах
- •6.3. Порядок расчета двухтактного кум
- •6.4. Однотактные кум
- •6.5. Расчет режима транзистора в однотактном кум
- •7.1. Общие сведения
- •7.2. Основные уравнения автогенератора
- •7.2.1. Уравнения стационарного режима
- •7.2.2. Расчет частоты автоколебаний. Необходимое условие фазовой устойчивости стационарного режима
- •7.2.3. Расчет амплитуды автоколебаний. Условия амплитудной устойчивости
- •7.3. Расчет и обеспечение устойчивости стационарных колебаний в автогенераторе при кусочно-линейных вольт-амперных характеристиках активного элемента
- •7.3.1. Колебательные характеристики активного элемента с кусочно-линейными вольт-амперными характеристиками в автогенераторе
- •7.3.2. Стационарные режимы в автогенераторах с цепями автоматического смещения. Применение диаграмм срыва и диаграмм смещения для расчета стационарных режимов
- •7.3.3. Анализ устойчивости стационарных режимов в автогенераторах с автосмещением. Режимы прерывистой генерации и самомодуляции
- •7.3.4. Нагрузочные характеристики автогенератора
- •7.3.5. Подход к выбору и расчету режима автогенератора
- •7.4. Схемы автогенераторов
- •7.4.1. Принципы построения схем автогенераторов
- •7.4.2. Высокочастотная эквивалентная схема с идеальным трансформатором
- •7.4.3. Обобщенная трехточечная схема
- •7.4.4. Емкостная и индуктивная трехточки
- •7.4.5. Цепи питания, смещения и связи с нагрузкой в схемах автогенераторов
- •7.5. Регулировочные характеристики автогенераторов
- •7.6. Нестабильность частоты автоколебаний
- •7.7. Кварцевая стабилизация частоты
- •8.1. Основные характеристики радиосигналов с угловой модуляцией
- •8.2. Структурные схемы передатчиков с угловой модуляцией
- •8.3. Характеристики передатчиков с угловой модуляцией
- •8.4. Методы получения чм- и фм-сигналов
- •8.5. Частотная модуляция в автогенераторах с помощью варикапа
- •8.6. Модуляторы фазы
- •8.7. Интегральные генераторы, управляемые по частоте
- •9.1. Требования к синтезаторам частот
- •9.2. Структуры синтезаторов частот
- •9.3. Источники опорных высокостабильных колебаний
- •9.4 Цифровые вычислительные синтезаторы
- •9.5. Синтезаторы на основе кольца фазовой
- •9.6. Интегральные синтезаторы частот
- •10.1. Конструкция биполярных свч-транзисторов
- •10.1.1. Структура биполярных свч-транзисторов
- •10.1.2. Оксибериллиевый изолятори внутреннее устройство мощного бт свч
- •10.1.3. Паразитные индуктивности и емкости выводов
- •10.1.4. Специализация биполярных свч-транзисторов
- •10.2. Режимы и параметры биполярных транзисторов
- •10.2.1. Питающее напряжение
- •10.2.2. Отсечка тока в биполярных свч-транзисторах
- •10.2.3. Система параметров биполярных свч -транзисторов
- •10.2.4. Модель биполярного свч-транзистора
- •10.3. Свойства биполярных свч-транзисторов в схемах резонансных усилителей с общим эмиттером и общей базой
- •10.4. Схемы усилителей мощности на биполярных свч-транзисторах
- •10.5. Конструкции транзисторных свч-устройств
- •11.1. Общие сведения о пролетных клистронах
- •11.2. Принцип действия пролетного клистрона
- •11.3. Теория группирования
- •11.4. Характеристики пролетного клистрона и способы их улучшения
- •12.1. Общие сведения
- •12.2. Устройство и принцип действия лбв-о
- •12.3. Рабочие характеристики лбв-о
- •12.4. Лампы обратной волны
- •13.1. Общие сведения
- •13.2. Движение электронов в скрещенных электрическом и магнитном полях
- •13.3. Структура поля и электронного потока при генерации свч-мощности
- •13.4.1. Коэффициент полезного действия
- •13.4. Характеристики и параметры магнетронных
- •13.4.2. Рабочие характеристики
- •13.4.3. Нагрузочные характеристики
- •13.5. Виды магнетронных автогенераторов и усилителей мощности
- •13.5.1. Основные сведения
- •13.5.2. Митрон — магнетрон, перестраиваемый по частоте напряжением
- •13.5.3. Амплитрон — магнетронный усилитель мощности
- •13.5.4. Генераторы на лампах бегущей и обратной волны типа м
- •13.6. Формирование модулированных колебаний в приборах типа м
- •14.1. Основные классы и области применения полупроводниковых диодных генераторов
- •14.2. Принцип действия и характеристики лавинно-пролетного диода
- •14.2.1. Общие сведения
- •14.2.2. Статический режим лпд
- •14.2.3. Понятие о слое умножения и пролетном
- •14.2.4. Пролетный режим лпд
- •14.3. Принцип действия и характеристики диода Ганна
- •14.3.1. Общие сведения
- •14.3.2. Механизм возникновения отрицательной проводимости в дг
- •14.3.3. Домены сильного поля. Динамика доменов
- •14.3.4. Режимы работы дг в генераторной схеме
- •14.4. Конструкции и эквивалентные схемы диодных генераторов
- •14.5. Управление колебаниями диодных генераторов
- •14.6. Способы повышения кпд диодных генераторов
- •Кулешов Валентин Николаевич, Удалов Николай Николаевич, Богачёв Вячеслав Михайлович, Белов Леонид Алексеевич, Коптев Глеб Иванович, Царапкин Дмитрий Петрович, Хрюнов Анатолий Васильевич
2.8. Гармонический анализ токов и напряжений в биполярном транзисторе при возбуждении от
источника тока
При разработке генераторов мощностью Р1 ≥ 0,5 Вт трудно обеспечить гармоническое входное напряжение. Это объясняется тем, что входное сопротивление транзистора, усредненное по первой гармонике тока, оказывается малым — несколько ом и менее. В этих условиях выходное сопротивление источника возбуждения для высших гармоник значительно превышает входное сопротивление транзистора по первой гармонике и гармоническим (или близким к нему) следует принять входной ток iб(τ) = I6 0 + I6 1 cosτ, , где 16 0 — постоянная составляющая; 16 , — амплитуда первой гармоники тока базы.
Как и в § 2.6, рассмотрим сначала процессы в транзисторе, положив Ск.а = Ск.п = 0. В соответствии со схемой рис. 2.13 получим уравнение для напряжения на переходе:
Решение этого уравнения в установившемся периодическом режиме запишем в виде:
(2.73)
где τ0, τ3 — углы открывания и запирания транзистора;
.
(2.74)
При τ0 < τ < τ3 транзистор открыт, причем в момент закрывания
(2.75)
В интервале τ3 < τ < τ0 + 2π транзистор закрыт, и в момент открывания
.
(2.76)
Решив уравнения сшивания (2.75) и (2.76) совместно, найдем установившиеся значения τ0 и τ3.
Импульс тока коллектора в соответствии с (2.42) повторяет по форме положительную полуволну напряжения
(еп - Е')0. Следовательно, форма импульса тока iK(τ) определяется первым из выражений (2.73). Анализ показывает, что, за исключением самых низких частот ω < 0,5/ τ β, импульс тока iK(τ) и положительная полуволна напряжения (еп - Е')0 могут быть аппроксимированы косинусои-дальными импульсами с высокочастотным углом отсечки 0, а отрицательная полуволна (eп - Е')0 — косинусоидальным импульсом с углом отсечки (π - 0) так, что
(2.77)
Значения τ м и Θ зависят от Θ1 и в первом приближении их можно определить по положению максимума тока, используя ту же аппроксимацию зависимости iк(τ), что и в § 2.6 (см. рис. 2.16).
На высоких частотах ш ω > 1/ τ β током через rβ можно пренебречь, т.е. представить переход кусочно-постоянной емкостью, меняющейся скачком при еп = Е'. Гармонический ток iб(τ) создает в такой цепи две полуволны напряжения разной амплитуды, каждая из которых является отрезком симметричной косинусоиды со своим углом отсечки (Θ и π - Θ соответственно, Θ≠ Θ1):
(2.78)
Выражение (2.78) является функцией τ, к которой стремится точное периодическое решение (2.73) при ωτ β —>∞. В этом случае рассчитывать угол отсечки удобнее не через ток Iб0, который при предельном переходе обращается в нуль, а через постоянную составляющую напряжения на переходе, т.е. напряжение смещения Ес. Определив на основании (2.78) постоянные составляющие положительной и отрицательной полуволн напряжения (еп(τ) -Е'), получим
(2.79)
По (2.79), задав I61 и Θ, сразу находим требуемое смещение Ес.
Первые гармоники коллекторного тока и напряжения на переходе транзистора, возбуждаемого током базы, можно определить, воспользовавшись (2.77) и (2.39):
(2.80)
(2.81)
где
.
(2.82)
Перейдем к учету влияния ек.э на выходной ток и входное напряжение. Для этого аналогично (2.67) по схеме рис. 2.13 найдем ток через эмиттерный переход при Ск.а≠0 и Ск.п ≠0:
(2.83)
Считая переменную составляющую напряжения ек.э гармонической, после преобразований, сходных с описанными в
