- •1.1 Классификация передатчиков
- •1.2. Требования к выходным сигналам и параметрам передатчика
- •1.3. Структурные схемы передатчиков
- •1.4. Структурные схемы основных функциональных узлов и общие сведения о них
- •2.1. Статические характеристики активных элементов
- •2.2. Классификация режимов активных элементов в усилителях мощности
- •2.3. Гармонический анализ косинусоидальных импульсов
- •2.4. Другие формы импульсов тока и их гармонический анализ
- •2.5. Нелинейная модель биполярного транзистора и аппроксимация ее характеристик
- •2.6. Формы токов биполярного транзистора с учетом его инерционности при возбуждении от источника напряжения
- •2.7. Гармонический анализ токов. Расчет у-параметров транзистора в режиме большого сигнала
- •2.8. Гармонический анализ токов и напряжений в биполярном транзисторе при возбуждении от
- •§ 2.7, Выражаем комплексные амплитуды первых гармоник напряжения на входе и тока на выходе ik1 ( через комплексные амплитуды тока базы и напряжения на коллекторе :
- •3.1. Задачи проектирования и реализации
- •3.2. Выбор режима активного элемента в усилителе мощности
- •3.3. Выбор активного элемента для усилителя
- •3.4. Выбор угла отсечки
- •3.5. Расчет усилителя в критическом режиме на заданную мощность в нагрузке
- •3.6. Нагрузочные характеристики усилителя мощности
- •3.7. Влияние амплитуды напряжения возбуждения, питающих напряжений и температуры на режим усилителя мощности
- •3.8. Простые цепи согласования в усилителях мощности
- •3.9. Оценка фильтрации высших гармоник
- •3.10. Учет потерь в простых цепях согласования и общий кпд коллекторной цепи
- •§ 3.8 Уже было
- •3.11. Принципиальные схемы усилителей мощности
- •4.1. Общие соотношения при амплитудной
- •4.2. Модуляция смещением
- •4.3. Усиление модулированных колебаний
- •4.4. Коллекторная модуляция
- •4.5. Комбинированная коллекторная модуляция
- •4.6. Расчет усилителя мощности при коллекторной
- •4.7. Схемы выходных каскадов при коллекторной и комбинированной модуляции
- •5.1. Общие сведения
- •5.2. Параллельное включение активных элементов
- •5.3. Двухтактное включение активных элементов
- •5.4. Мостовое включение активных элементов
- •6.1. Общие сведения о ключевых
- •6.2. Двухтактный кум с переключением напряжения на биполярных транзисторах
- •6.3. Порядок расчета двухтактного кум
- •6.4. Однотактные кум
- •6.5. Расчет режима транзистора в однотактном кум
- •7.1. Общие сведения
- •7.2. Основные уравнения автогенератора
- •7.2.1. Уравнения стационарного режима
- •7.2.2. Расчет частоты автоколебаний. Необходимое условие фазовой устойчивости стационарного режима
- •7.2.3. Расчет амплитуды автоколебаний. Условия амплитудной устойчивости
- •7.3. Расчет и обеспечение устойчивости стационарных колебаний в автогенераторе при кусочно-линейных вольт-амперных характеристиках активного элемента
- •7.3.1. Колебательные характеристики активного элемента с кусочно-линейными вольт-амперными характеристиками в автогенераторе
- •7.3.2. Стационарные режимы в автогенераторах с цепями автоматического смещения. Применение диаграмм срыва и диаграмм смещения для расчета стационарных режимов
- •7.3.3. Анализ устойчивости стационарных режимов в автогенераторах с автосмещением. Режимы прерывистой генерации и самомодуляции
- •7.3.4. Нагрузочные характеристики автогенератора
- •7.3.5. Подход к выбору и расчету режима автогенератора
- •7.4. Схемы автогенераторов
- •7.4.1. Принципы построения схем автогенераторов
- •7.4.2. Высокочастотная эквивалентная схема с идеальным трансформатором
- •7.4.3. Обобщенная трехточечная схема
- •7.4.4. Емкостная и индуктивная трехточки
- •7.4.5. Цепи питания, смещения и связи с нагрузкой в схемах автогенераторов
- •7.5. Регулировочные характеристики автогенераторов
- •7.6. Нестабильность частоты автоколебаний
- •7.7. Кварцевая стабилизация частоты
- •8.1. Основные характеристики радиосигналов с угловой модуляцией
- •8.2. Структурные схемы передатчиков с угловой модуляцией
- •8.3. Характеристики передатчиков с угловой модуляцией
- •8.4. Методы получения чм- и фм-сигналов
- •8.5. Частотная модуляция в автогенераторах с помощью варикапа
- •8.6. Модуляторы фазы
- •8.7. Интегральные генераторы, управляемые по частоте
- •9.1. Требования к синтезаторам частот
- •9.2. Структуры синтезаторов частот
- •9.3. Источники опорных высокостабильных колебаний
- •9.4 Цифровые вычислительные синтезаторы
- •9.5. Синтезаторы на основе кольца фазовой
- •9.6. Интегральные синтезаторы частот
- •10.1. Конструкция биполярных свч-транзисторов
- •10.1.1. Структура биполярных свч-транзисторов
- •10.1.2. Оксибериллиевый изолятори внутреннее устройство мощного бт свч
- •10.1.3. Паразитные индуктивности и емкости выводов
- •10.1.4. Специализация биполярных свч-транзисторов
- •10.2. Режимы и параметры биполярных транзисторов
- •10.2.1. Питающее напряжение
- •10.2.2. Отсечка тока в биполярных свч-транзисторах
- •10.2.3. Система параметров биполярных свч -транзисторов
- •10.2.4. Модель биполярного свч-транзистора
- •10.3. Свойства биполярных свч-транзисторов в схемах резонансных усилителей с общим эмиттером и общей базой
- •10.4. Схемы усилителей мощности на биполярных свч-транзисторах
- •10.5. Конструкции транзисторных свч-устройств
- •11.1. Общие сведения о пролетных клистронах
- •11.2. Принцип действия пролетного клистрона
- •11.3. Теория группирования
- •11.4. Характеристики пролетного клистрона и способы их улучшения
- •12.1. Общие сведения
- •12.2. Устройство и принцип действия лбв-о
- •12.3. Рабочие характеристики лбв-о
- •12.4. Лампы обратной волны
- •13.1. Общие сведения
- •13.2. Движение электронов в скрещенных электрическом и магнитном полях
- •13.3. Структура поля и электронного потока при генерации свч-мощности
- •13.4. Характеристики и параметры магнетронных
- •13.4.1. Коэффициент полезного действия
- •13.4.2. Рабочие характеристики
- •13.4.3. Нагрузочные характеристики
- •13.5. Виды магнетронных автогенераторов и усилителей мощности
- •13.5.1. Основные сведения
- •13.5.2. Митрон — магнетрон, перестраиваемый по частоте напряжением
- •13.5.3. Амплитрон — магнетронный усилитель мощности
- •13.5.4. Генераторы на лампах бегущей и обратной волны типа м
- •13.6. Формирование модулированных колебаний в приборах типа м
- •14.1. Основные классы и области применения полупроводниковых диодных генераторов
- •14.2. Принцип действия и характеристики лавинно-пролетного диода
- •14.2.1. Общие сведения
- •14.2.2. Статический режим лпд
- •14.2.3. Понятие о слое умножения и пролетном
- •14.2.4. Пролетный режим лпд
- •14.3. Принцип действия и характеристики диода Ганна
- •14.3.1. Общие сведения
- •14.3.2. Механизм возникновения отрицательной проводимости в дг
- •14.3.3. Домены сильного поля. Динамика доменов
- •14.3.4. Режимы работы дг в генераторной схеме
- •14.4. Конструкции и эквивалентные схемы диодных генераторов
- •14.5. Управление колебаниями диодных генераторов
- •14.6. Способы повышения кпд диодных генераторов
- •Кулешов Валентин Николаевич, Удалов Николай Николаевич, Богачёв Вячеслав Михайлович, Белов Леонид Алексеевич, Коптев Глеб Иванович, Царапкин Дмитрий Петрович, Хрюнов Анатолий Васильевич
7.3.2. Стационарные режимы в автогенераторах с цепями автоматического смещения. Применение диаграмм срыва и диаграмм смещения для расчета стационарных режимов
Один из типовых вариантов построения цепей эмиттерного и базового автосмещения транзисторного АГ показан на рис. 7.8.
В этой схеме напряжение смещения Ес является разностью напряжения питания цепи смещения Еп.с и падений напряжения от постоянной составляющей тока эмиттера 1Э.0 на сопротивлении Rэ0 и от постоянной составляющей тока базы Iв0 на сопротивлении RBX0:
(7.47)
Емкости Сэ0 и Свх о шунтирующие соответственно Яэ0 и RBX 0, выбираются так, чтобы падения напряжения на них от переменных
Рис. 7.8. Вариант построения цепей автоматического смещения в транзисторном автогенераторе
составляющих соответствующих токов были пренебрежимо малым.
Разделительная емкость Ср предотвращает протекание тока Iвх0 через выходные элементы цепи обратной связи, а блокировочная индуктивность Iбл предотвращает короткое замыкание в цепи источника колебательного напряжения, поступающего из цепи обратной связи через Ср. Падение напряжения от тока 1В0 на индуктивности L6л считается пренебрежимо малым.
Напряжение питания цепи смещения Епс выбирается таким образом, чтобы в режиме покоя выполнялось условие Ес> Е' и крутизна проходной характеристики в точке самовозбуждения была равна S (как на рис. 7.7, а). Поскольку с ростом амплитуды колебаний UBX
постоянные составляющие токов базы Iвх 0 и эмиттера Iэ0 увеличиваются, напряжение Ес, как следует из (7.47), должно уменьшаться. При правильном выборе значений R30 и RBX 0 стационарное значение амплитуды UBX стац будет достигнуто в недонапряженном режиме путем уменьшения угла отсечки 0.
Таким образом будет реализован стационарный режим, в котором напряжение смещения Ес будет меньше Е’ а угол отсечки будет меньше 90°.
Чтобы проверить это предположение расчетом, необходимо найти стационарные значения амплитуды UBX стац и напряжения Ес при
заданных значениях SZy, ЕПC, Rэ0 и RB0. Эти значения получаются совместным решением уравнения стационарного режима
(7.48)
являющегося обобщением уравнения (7.24) для случая, когда при переходе к стационарному режиму изменяются как UВХ, так и Ес, и уравнения цепи автосмещения (7.47).
Уравнение (7.48) при фиксированном значении Zy задает функцию UBX от Ес, т. е. определяет возможные значения стационарных амплитуд колебаний при каждом значении Ес. Определенную таким образом зависимость UBX от Ес называют диаграммой срыва [4, 5].
Диаграмма срыва, соответствующая конкретному значению Zy,
может быть получена из семейства колебательных характеристик, подобных показанным на рис. 7.7, в, г, построенных при нескольких значениях напряжения смещения. На рис. 7.9, а представлено такое семейство колебательных характеристик. Штрихпунктирной линией дана колебательная характеристика, соответствующая Ес = Е'. Выше нее расположены характеристики, соответствующие положитель-
Рис. 7.9. Семейство колебательных характеристик автогенератора, построенных при нескольких значениях напряжения смещения Ес (а), и диаграммы срыва, построенные по этим характеристикам при двух значениях запаса по самовозбуждению (б)
ным сдвигам Ес относительно Е' на ∆Ес (n=1,2,...), где АЕС — шаг изменения напряжения смещения. Ниже нее расположены колебательные характеристики, соответствующие отрицательным сдвигам Ес относительно E' на -т∆Ес (т= 1, 2, ...).
Задавая значение Zy и строя соответствующую этому Zy прямую обратной связи, находим координаты UBX точек пересечения этой прямой колебательными характеристиками, соответствующими каждому значению Ес.
Геометрическое место этих точек в плоскости (Ес, UBX) представляет собой диаграмму срыва, построенную для заданного Zy. На рис. 7.9, а показаны две прямые обратной связи, с использованием которых на рис. 7.9, б построены две диаграммы срыва.
Первая прямая соответствует такому Zy = Zyl, при котором SZy < 2.
Расположенные на ней точки стационарного режима лежат в области, где
Ес < Е'. Эта диаграмма срыва (рис. 7.9, б) имеет положительный наклон как в области недонапряженного режима, лежащей ниже граничной штриховой линии, так и в области перенапряженного режима, лежащей выше этой линии.
Точки стационарного режима 1—5 на рис. 7.9, а соответствуют точкам с теми же номерами на рис. 7.9, б. Как было показано в предыдущем параграфе, все стационарные режимы, лежащие на этой диаграмме срыва, устойчивы при постоянных, не зависящих от UBX напряжениях Ес. Точки равновесия, соответствующие UBX = 0, в области Ес < Е' неустойчивы, так как при Zy > 1/S выполнено условие мягкого самовозбуждения.
Вторая прямая обратной связи на рис. 7.9, а построена при Zy = = Zy2 > 2/S.
Все стационарные точки, соответствующие недонапря-женному режиму, и часть точек, соответствующих перенапряженному режиму, лежат в области, где Е < Е'. При этом, как видно из
приведенных на рис. 7.9 графиков, участок диаграммы срыва, соответствующий недонапряженным режимам, имеет отрицательный наклон в плоскости (Ес, UBX) и ему принадлежат стационарные
точки, которые неустойчивы при внешнем смещении. Это было показано в предыдущем параграфе.
Устойчивыми в области Ес < Е' являются точки покоя UBX = 0 и точки, лежащие в перенапряженном режиме.
При кусочно-линейной аппроксимации характеристик АЭ для области недонапряженного режима диаграммы срыва нетрудно
построить аналитически. Поскольку для ненулевых решений уравнение (7.48) приводится к виду
(7.49)
а в недонапряженном режиме
(7.50)
зависимость UBX(EC) определяется уравнением (7.46), в котором множитель (-l/cosΘCT) при заданном значении Zy, а следовательно, и запаса по самовозбуждению SZy, является величиной постоянной.
Из (7.46) видно, что каждая диаграмма срыва в недонапряженном режиме представляет собой прямую линию, проходящую через точку Ес = Е'. Угловой коэффициент этой прямой (-l/cosΘCT) является положительным при cosΘCT < 0, т. е. при 90° < ΘCT < 180°. Этой области соответствуют значения 0,5 < Yj(0CT) < 1,0 и значения запаса по самовозбуждению 1 < SZy < 2. Граничному значению запаса по самовозбуждению SZy = 1 соответствует cosΘCT = -1 и угловой коэффициент, равный единице. В области, где SZy > 2 и в соответствии с (7.45) γ1(Θст)< 0,5, а ΘСТ < 90°, угловые коэффициенты диаграмм срыва отрицательны. При SZy —> ∞ Θст —> 0 и (-l/cosΘCT) —>
(-1). Прямая с таким угловым коэффициентом является второй граничной линией сектора углов, в котором расположены диаграммы срыва. При Θст = 90° угловой коэффициент диаграммы срыва бесконечно велик и диаграмма срыва является вертикальной прямой. Этому значению 0СТ соответствует запас по самовозбуждению SZy = 2.
Семейство диаграмм срыва, построенных при нескольких значениях запаса по самовозбуждению, показано на рис. 7.10. Область недонапряженных режимов на плоскости (Ес, UBX) лежит ниже линии
критического режима (ЛКР), определенной полученным ранее уравнением (7.39). Эта линия, как видно из (7.39), представляет собой прямую с небольшим отрицательным наклоном.
Участки диаграмм срыва, лежащие в области перенапряженного режима, также показаны на рис. 7.10. Можно заметить, что все диаграммы срыва с отрицательными угловыми коэффициентами проходят в области перенапряженного режима через точки с вертикальными касательными. Левее этих точек стационарных режимов с UBX = 0 не существует.
Существует и устойчив лишь режим отсутствия колебаний с UВХ = 0.
Правее точек вертикальных касательных амплитуда колебаний в перенапряженном режиме немного возрастает с увели-
чением Ес. Поскольку это возрастание невелико, для грубой оценки амплитуду колебаний в перенапряженном режиме можно считать равной ее значению в критическом режиме.
Из изложенного следует, что при экспериментальном получении диаграмм срыва UBX(EC) путем принудительного изменения Ес и измерения значений UBX, соответствующих каждому Ес, получатся зависимости UBX(EC), показанные на рис. 7.11.
При 1 < SZy < 2 получается экспериментальная кривая рис. 7.11, а, содержащая все значения UBX, найденные теоретически. При увеличении Ес колебания возникают после перехода через точку Е' и
Рис. 7.10. Семейство диаграмм срыва автогенератора, построенных при нескольких значениях запаса по самовозбуждению
Рис. 7.11. Экспериментально наблюдаемые зависимости стационарной амплитуды колебаний от напряжения внешнего смешения при мягком (а) и жестком (б) режимах самовозбуждения
плавно увеличиваются с ростом Ес. Происходит мягкое самовозбуждение. В этом случае результаты измерений не зависят от направления изменения Ес.
Если SZy > 2, то при плавном увеличении Ес от отрицательных значений, при которых АЭ закрыт и автоколебания отсутствуют, возникновение колебаний также произойдет как только Ес превысит Е'. Однако амплитуда колебаний сразу вырастет до конечного и достаточно большого значения, соответствующего устойчивым колебаниям в перенапряженном режиме АЭ (рис. 7.11, б). В плоскости (Ес, UBX) зависимость UBX(EC) содержит скачок амплитуды UBX вверх при Ес = Е'. При дальнейшем увеличении Ес амплитуда UBX несколько возрастает.
При изменении Ес в обратном направлении плавное уменьшение амплитуды происходит до точки Еср, в которой касательная к диаграмме срыва, соответствующей заданному значению SZy , вертикальна. При переходе точки Еср в направлении уменьшения Ес происходит срыв колебаний.
Амплитуда изменяется скачком от значения, соответствующего режиму, близкому к критическому, до нуля. Таким образом, на экспериментальной зависимости UBX(EC) имеется область гистерезиса, расположенная между точкой срыва колебаний £„„ и точ-кои возникновения колебаний Е'. Именно в этой области значений расположены точки неустойчивых стационарных значений UBX, получить которые при такой методике эксперимента невозможно.
Явления скачкообразного возникновения и срыва колебаний, наблюдавшиеся при описанных экспериментах по исследованию зависимостей UBX(EC) объясняют само название этих зависимостей.
Как показано в начале этого параграфа, в схеме с автосмещением напряжение Ес является функцией амплитуды колебаний UBX, которая в неявном виде задана уравнением (7.47). Функция EC(UBX), определяемая из уравнения (7.47), называется диаграммой смещения. При кусочно-линейной аппроксимации характеристик АЭ с одинаковыми для проходной и входной ВАХ напряжениями отсечки токов Е' и при работе АЭ в недонапряженном режиме справедливы следующие выражения:
Подставив их в (7.47) и введя обозначение
Gc = R30S+(RBx0 + R30)SBX (7.51)
для параметра автосмещения, представим уравнение (7.47) в виде
Ес = Епх-Ссγо(Θ)Uвх. (7.52)
Поскольку из (7.41) вытекает равенство
Ес –Е’= -UвхcosΘ . (7.53)
из (7.52), (7.53) получим
(7.54)
Формула (7.54) позволяет при заданных Gc и ЕПС найти UBX как функцию Э, после чего по (7.53) находится значение Ес.
При 0 = 180°, т. е. на границе самовозбуждения, в соответствии с (7.54) амплитуда начальных колебаний
Uвх.нач
=
(7.55)
В области 0 < UBX < Uвх.нач изменение UBX не влияет на Ес, поэтому в плоскости (Ес, UBX) диаграмма смещения представляет собой вертикальную линию.
Семейство диаграмм смещения, построенных для транзисторного АГ при заданном Еп с и нескольких значениях параметра Gc, показано на рис. 7.12. Формы диаграмм смещения в перенапряженном режиме несколько различаются при разных соотношениях вкладов токов базы (входного электрода) и эмиттера в напряжение автосмещения. На диаграммах рис. 7.12 отражен случай, когда доминирует вклад тока эмиттера.
Следует обратить внимание на то, что линия критического режима на плоскости диаграмм срыва (ДС) и диаграмм смещения (ДСм.) является прямой, определяемой уравнением (7.39), только при условии, что напряжение Еп между коллектором и эмиттером при изменении Ес поддерживается постоянным. При наличии сопротивления эмиттерного автосмещения Яэ0 (см. рис. 7.8) требуется коррекция напряжения источника питания коллекторной цепи для компенсации изменений падения напряжения на сопротивлении R3 0.
Стационарные значения амплитуды колебаний UBX и напряжения смещения Ес в АГ с автосмещением определяются путем решения системы уравнений диаграммы срыва (7.49) и диаграммы смещения
Рис. 7.12. Семейство диаграмм смещения, соответствующих различным значениям параметра Gc, и точки стационарного режима АГ, определенные по пересечению диаграммы срыва ДС и ДСм.
(7.47). При графическом решении стационарные значения Ес и UBX являются координатами точки пересечения диаграммы срыва, соответствующей выбранным запасу по самовозбуждению и коэффициенту обратной связи, и диаграммы смещения, соответствующей выбранным значениям Еп с и параметра автосмещения Gc (7.51).
На рис. 7.12 показаны диаграмма срыва, соответствующая SZy ≈3 (ΘСТ = 70°) и несколько диаграмм смещения, соответствующих различным значениям Gc.
Из рис. 7.12 видно, что при Gc, равном 2, 5 и 10, точки пересечения диаграмм смещения с диаграммой срыва лежат в области перенапряженного режима, а при Gc = 20 эта точка пересечения находится в области недонапряженного режима. Таким образом, в последнем случае использование автосмещения позволило обеспечить существование стационарного недонапряженного режима с мягким самовозбуждением при SZy > 2.
