- •1.1 Классификация передатчиков
- •1.2. Требования к выходным сигналам и параметрам передатчика
- •1.3. Структурные схемы передатчиков
- •1.4. Структурные схемы основных функциональных узлов и общие сведения о них
- •2.1. Статические характеристики активных элементов
- •2.2. Классификация режимов активных элементов в усилителях мощности
- •2.3. Гармонический анализ косинусоидальных импульсов
- •2.4. Другие формы импульсов тока и их гармонический анализ
- •2.5. Нелинейная модель биполярного транзистора и аппроксимация ее характеристик
- •2.6. Формы токов биполярного транзистора с учетом его инерционности при возбуждении от источника напряжения
- •2.7. Гармонический анализ токов. Расчет у-параметров транзистора в режиме большого сигнала
- •2.8. Гармонический анализ токов и напряжений в биполярном транзисторе при возбуждении от
- •§ 2.7, Выражаем комплексные амплитуды первых гармоник напряжения на входе и тока на выходе ik1 ( через комплексные амплитуды тока базы и напряжения на коллекторе :
- •3.1. Задачи проектирования и реализации
- •3.2. Выбор режима активного элемента в усилителе мощности
- •3.3. Выбор активного элемента для усилителя
- •3.4. Выбор угла отсечки
- •3.5. Расчет усилителя в критическом режиме на заданную мощность в нагрузке
- •3.6. Нагрузочные характеристики усилителя мощности
- •3.7. Влияние амплитуды напряжения возбуждения, питающих напряжений и температуры на режим усилителя мощности
- •3.8. Простые цепи согласования в усилителях мощности
- •3.9. Оценка фильтрации высших гармоник
- •3.10. Учет потерь в простых цепях согласования и общий кпд коллекторной цепи
- •§ 3.8 Уже было
- •3.11. Принципиальные схемы усилителей мощности
- •4.1. Общие соотношения при амплитудной
- •4.2. Модуляция смещением
- •4.3. Усиление модулированных колебаний
- •4.4. Коллекторная модуляция
- •4.5. Комбинированная коллекторная модуляция
- •4.6. Расчет усилителя мощности при коллекторной
- •4.7. Схемы выходных каскадов при коллекторной и комбинированной модуляции
- •5.1. Общие сведения
- •5.2. Параллельное включение активных элементов
- •5.3. Двухтактное включение активных элементов
- •5.4. Мостовое включение активных элементов
- •6.1. Общие сведения о ключевых
- •6.2. Двухтактный кум с переключением напряжения на биполярных транзисторах
- •6.3. Порядок расчета двухтактного кум
- •6.4. Однотактные кум
- •6.5. Расчет режима транзистора в однотактном кум
- •7.1. Общие сведения
- •7.2. Основные уравнения автогенератора
- •7.2.1. Уравнения стационарного режима
- •7.2.2. Расчет частоты автоколебаний. Необходимое условие фазовой устойчивости стационарного режима
- •7.2.3. Расчет амплитуды автоколебаний. Условия амплитудной устойчивости
- •7.3. Расчет и обеспечение устойчивости стационарных колебаний в автогенераторе при кусочно-линейных вольт-амперных характеристиках активного элемента
- •7.3.1. Колебательные характеристики активного элемента с кусочно-линейными вольт-амперными характеристиками в автогенераторе
- •7.3.2. Стационарные режимы в автогенераторах с цепями автоматического смещения. Применение диаграмм срыва и диаграмм смещения для расчета стационарных режимов
- •7.3.3. Анализ устойчивости стационарных режимов в автогенераторах с автосмещением. Режимы прерывистой генерации и самомодуляции
- •7.3.4. Нагрузочные характеристики автогенератора
- •7.3.5. Подход к выбору и расчету режима автогенератора
- •7.4. Схемы автогенераторов
- •7.4.1. Принципы построения схем автогенераторов
- •7.4.2. Высокочастотная эквивалентная схема с идеальным трансформатором
- •7.4.3. Обобщенная трехточечная схема
- •7.4.4. Емкостная и индуктивная трехточки
- •7.4.5. Цепи питания, смещения и связи с нагрузкой в схемах автогенераторов
- •7.5. Регулировочные характеристики автогенераторов
- •7.6. Нестабильность частоты автоколебаний
- •7.7. Кварцевая стабилизация частоты
- •8.1. Основные характеристики радиосигналов с угловой модуляцией
- •8.2. Структурные схемы передатчиков с угловой модуляцией
- •8.3. Характеристики передатчиков с угловой модуляцией
- •8.4. Методы получения чм- и фм-сигналов
- •8.5. Частотная модуляция в автогенераторах с помощью варикапа
- •8.6. Модуляторы фазы
- •8.7. Интегральные генераторы, управляемые по частоте
- •9.1. Требования к синтезаторам частот
- •9.2. Структуры синтезаторов частот
- •9.3. Источники опорных высокостабильных колебаний
- •9.4 Цифровые вычислительные синтезаторы
- •9.5. Синтезаторы на основе кольца фазовой
- •9.6. Интегральные синтезаторы частот
- •10.1. Конструкция биполярных свч-транзисторов
- •10.1.1. Структура биполярных свч-транзисторов
- •10.1.2. Оксибериллиевый изолятори внутреннее устройство мощного бт свч
- •10.1.3. Паразитные индуктивности и емкости выводов
- •10.1.4. Специализация биполярных свч-транзисторов
- •10.2. Режимы и параметры биполярных транзисторов
- •10.2.1. Питающее напряжение
- •10.2.2. Отсечка тока в биполярных свч-транзисторах
- •10.2.3. Система параметров биполярных свч -транзисторов
- •10.2.4. Модель биполярного свч-транзистора
- •10.3. Свойства биполярных свч-транзисторов в схемах резонансных усилителей с общим эмиттером и общей базой
- •10.4. Схемы усилителей мощности на биполярных свч-транзисторах
- •10.5. Конструкции транзисторных свч-устройств
- •11.1. Общие сведения о пролетных клистронах
- •11.2. Принцип действия пролетного клистрона
- •11.3. Теория группирования
- •11.4. Характеристики пролетного клистрона и способы их улучшения
- •12.1. Общие сведения
- •12.2. Устройство и принцип действия лбв-о
- •12.3. Рабочие характеристики лбв-о
- •12.4. Лампы обратной волны
- •13.1. Общие сведения
- •13.2. Движение электронов в скрещенных электрическом и магнитном полях
- •13.3. Структура поля и электронного потока при генерации свч-мощности
- •13.4.1. Коэффициент полезного действия
- •13.4. Характеристики и параметры магнетронных
- •13.4.2. Рабочие характеристики
- •13.4.3. Нагрузочные характеристики
- •13.5. Виды магнетронных автогенераторов и усилителей мощности
- •13.5.1. Основные сведения
- •13.5.2. Митрон — магнетрон, перестраиваемый по частоте напряжением
- •13.5.3. Амплитрон — магнетронный усилитель мощности
- •13.5.4. Генераторы на лампах бегущей и обратной волны типа м
- •13.6. Формирование модулированных колебаний в приборах типа м
- •14.1. Основные классы и области применения полупроводниковых диодных генераторов
- •14.2. Принцип действия и характеристики лавинно-пролетного диода
- •14.2.1. Общие сведения
- •14.2.2. Статический режим лпд
- •14.2.3. Понятие о слое умножения и пролетном
- •14.2.4. Пролетный режим лпд
- •14.3. Принцип действия и характеристики диода Ганна
- •14.3.1. Общие сведения
- •14.3.2. Механизм возникновения отрицательной проводимости в дг
- •14.3.3. Домены сильного поля. Динамика доменов
- •14.3.4. Режимы работы дг в генераторной схеме
- •14.4. Конструкции и эквивалентные схемы диодных генераторов
- •14.5. Управление колебаниями диодных генераторов
- •14.6. Способы повышения кпд диодных генераторов
- •Кулешов Валентин Николаевич, Удалов Николай Николаевич, Богачёв Вячеслав Михайлович, Белов Леонид Алексеевич, Коптев Глеб Иванович, Царапкин Дмитрий Петрович, Хрюнов Анатолий Васильевич
7.5. Регулировочные характеристики автогенераторов
Под регулировочными характеристиками АГ понимают зависимости параметров стационарного режима от параметров одного из элементов схемы. Эти характеристики дают представление о влиянии элементов выбранной схемы на частоту и режим автоколебаний. Опираясь на них, можно выбрать наиболее удобный алгоритм получения требуемых значений частоты и амплитуды выходных колебаний при наличии неизбежного разброса параметров активных и пассивных компонентов схемы и, в частности, выбрать параметры, которые следует изменять в процессе регулировки схемы АГ.
Рассмотрим в качестве примера регулировочные характеристики АГ по схеме ЕТ с последовательно соединенными емкостью С3 и индуктивностью Z3 между коллектором и базой (см. рис. 7.21, а и рис. 7.24). Из (7.107), (7.113) и (7.114)—(7.116) получим выражения для частоты автоколебаний
(7.120)
и управляющего сопротивления
.
(7.121)
Здесь считаем, что φ5 = 0 и φk = 0.
Предположим, что регулирующим параметром является емкость С1. Остальные параметры будем считать постоянными, так же как и добротность контура Q. Зависимости управляющего сопротивления и частоты колебаний от С1 показаны на рис. 7.25.
По зависимости Rу(С1) (рис. 7.25, а) можно определить границы области
C1 min < C1 < С1mах, в которой выполнено условие самовозбуждения.
Максимальное
значение Ry
достигается
при С1
=
Используя нагрузочную характеристику рис. 7.16, можно затем получить зависимость амплитуды колебаний Uвх от C1 (Однозначно она находится по рис. 7.16 только в области недонапряженного режима.) Из рис. 7.25, б видно, как изменяется частота автоколебаний при изменении С1. Из рассмотренного выше примера расчета АГ можно сделать вывод, что в реальных схемах генераторов на биполярных транзисторах емкость
С1 >> . В этой области изменение C1 (см. рис. 7.25) позволяет существенно изменять запас по
Рис. 7.25. Зависимости управляющего сопротивления (а) и частоты колебаний (б) от емкости C1 в автогенераторе по схеме емкостной трехточки, показанной на рис. 7.24
самовозбуждению и амплитуду колебаний при слабом влиянии на их частоту
Аналогичным образом с помощью выражений (7.120), (7.121) можно проанализировать зависимости управляющего сопротивления и частоты автоколебаний от емкости С3 в схеме рис. 7.24 и выяснить, как будет изменяться запас по самовозбуждению при перестройке АГ в некотором диапазоне частот с помощью емкости С3.
7.6. Нестабильность частоты автоколебаний
Частота АГ f непрерывно изменяется по различным причинам, объединяемым общим названием дестабилизирующие факторы. Их можно разделить на две группы, действующие на fT двумя путями: 1) изменение резонансной частоты контура; 2) изменение фазового набега в кольце положительной обратной связи. Первая группа обычно включает в себя климатические факторы (температуру, влажность, атмосферное давление) и факторы механического воздействия окружающей среды (вибрации, акустическое воздействие, ускорения). Вторая группа факторов представлена в основном внутренними шумовыми процессами в АЭ и других элементах схемы АГ, а также нестабильностями источников питания.
Указанное деление в значительной мере условно. Например, в АГ на биполярном транзисторе случайное отклонение Ек сначала быстро изменяет fг вследствие зависимости от Ек значений ф5, q>k и барьерной емкости коллекторного перехода, а затем настает очередь более инерционных откликов, порожденных сдвигом теплового баланса.
Рассмотрим более подробно влияние на нестабильность частоты фазовых сдвигов по кольцу положительной обратной связи. Используя уравнение баланса фаз (7.13) при т = 0, записываем следующее уравнение для частоты генерации fr:
(7.122)
Ограничиваясь рассмотрением одноконтурных АГ, представляем фазочастотную характеристику ср^Л) (7-96) в виде
(7.123)
Подставляя (7.123) в (7.122) и решая полученное уравнение относительно fг, получаем
(7.124)
24)
Из (7.124) видно, что нестабильности фазового сдвига изменяют отклонение частоты генерации от резонансной частоты контура и эти изменения тем значительнее, чем ниже добротность контура.
Для относительных изменений частоты генерации, обусловленных малыми нестабильностями резонансной частоты Д/0, и для сдвигов фаз Аф^, Дф^ из (7.124) вытекает следующее выражение:
(7.125)
Из
(7.125) видно, что нестабильности частоты,
обусловленные изменением фазовых
сдвигов по кольцу обратной связи, тем
больше, чем больше по абсолютному
значению суммарный фазовый сдвиг по
кольцу |
|
на частоте генерации. Увеличение |
|
уменьшает знаменатель множителя при
(
)
в (7.125). Физически это отражает уменьшение крутизны фазочастот-ной характеристики контура при отклонении частоты генерации fг от резонансной частоты f0.
Следует отметить, что при работе на частотах, при которых фаза крутизны АЭ достигает значений φS = -20° (что при расчете режима АГ не приводит к значительным поправкам), и при ненулевой входной проводимости АЭ SBX jпроявляется заметная разница между схемами ИТ и ЕТ в чувствительности частоты генерации к нестабиль-ностям фазовых сдвигов по кольцу обратной связи. Эта разница связана с разными знаками фазы коэффициента обратной связи φk (7.101) в этих схемах.
В ИТ Хσ > 0 и φk < 0, поэтому отрицательные сдвиги фаз φS и φk при суммировании дают | | = | φS | + | φk | .
В ИТ Хσ Т < 0 и φk > 0, поэтому | | =|| φS |+| φk ||. Если φS = -20°, а
| φk.| = 15°, то в ИТ | | = 35° и множитель 1/соs2( ) = 1,49.
В ЕТ | | = 5° и этот множитель
практически равен единице. Таким образом, даже при таком малом значении ф5 чувствительность ИТ к нестабильностям фазовых сдвигов по кольцу в 1,5 раза выше, чем чувствительность ЕТ. С увеличением запаздывания по фазе это различие становится еще более заметным и возможность компенсации этого запаздывания фазовым
сдвигом в ЕТ становится существенным ее преимуществом перед ИТ.
Для повышения стабильности частоты (снижения нестабильности частоты) в соответствии с (7.125) необходимо:
повышать эталонность контура, т. е. обеспечивать большее постоянство f;
выбирать режим работы АЭ с минимальными ∆φs (как правило, это недонапряженный режим);
работать на наиболее крутом участке ФЧХ контура в точке fг =f0, добиваясь полного фазирования с помощью дополнительного фазовращателя между контуром и управляющим электродом АЭ;
увеличивать добротность нагруженной колебательной системы АГ. Последнее требование обычно наиболее эффективно достигается путем подключения дополнительного высокодобротного контура.
