- •1.1 Классификация передатчиков
- •1.2. Требования к выходным сигналам и параметрам передатчика
- •1.3. Структурные схемы передатчиков
- •1.4. Структурные схемы основных функциональных узлов и общие сведения о них
- •2.1. Статические характеристики активных элементов
- •2.2. Классификация режимов активных элементов в усилителях мощности
- •2.3. Гармонический анализ косинусоидальных импульсов
- •2.4. Другие формы импульсов тока и их гармонический анализ
- •2.5. Нелинейная модель биполярного транзистора и аппроксимация ее характеристик
- •2.6. Формы токов биполярного транзистора с учетом его инерционности при возбуждении от источника напряжения
- •2.7. Гармонический анализ токов. Расчет у-параметров транзистора в режиме большого сигнала
- •2.8. Гармонический анализ токов и напряжений в биполярном транзисторе при возбуждении от
- •§ 2.7, Выражаем комплексные амплитуды первых гармоник напряжения на входе и тока на выходе ik1 ( через комплексные амплитуды тока базы и напряжения на коллекторе :
- •3.1. Задачи проектирования и реализации
- •3.2. Выбор режима активного элемента в усилителе мощности
- •3.3. Выбор активного элемента для усилителя
- •3.4. Выбор угла отсечки
- •3.5. Расчет усилителя в критическом режиме на заданную мощность в нагрузке
- •3.6. Нагрузочные характеристики усилителя мощности
- •3.7. Влияние амплитуды напряжения возбуждения, питающих напряжений и температуры на режим усилителя мощности
- •3.8. Простые цепи согласования в усилителях мощности
- •3.9. Оценка фильтрации высших гармоник
- •3.10. Учет потерь в простых цепях согласования и общий кпд коллекторной цепи
- •§ 3.8 Уже было
- •3.11. Принципиальные схемы усилителей мощности
- •4.1. Общие соотношения при амплитудной
- •4.2. Модуляция смещением
- •4.3. Усиление модулированных колебаний
- •4.4. Коллекторная модуляция
- •4.5. Комбинированная коллекторная модуляция
- •4.6. Расчет усилителя мощности при коллекторной
- •4.7. Схемы выходных каскадов при коллекторной и комбинированной модуляции
- •5.1. Общие сведения
- •5.2. Параллельное включение активных элементов
- •5.3. Двухтактное включение активных элементов
- •5.4. Мостовое включение активных элементов
- •6.1. Общие сведения о ключевых
- •6.2. Двухтактный кум с переключением напряжения на биполярных транзисторах
- •6.3. Порядок расчета двухтактного кум
- •6.4. Однотактные кум
- •6.5. Расчет режима транзистора в однотактном кум
- •7.1. Общие сведения
- •7.2. Основные уравнения автогенератора
- •7.2.1. Уравнения стационарного режима
- •7.2.2. Расчет частоты автоколебаний. Необходимое условие фазовой устойчивости стационарного режима
- •7.2.3. Расчет амплитуды автоколебаний. Условия амплитудной устойчивости
- •7.3. Расчет и обеспечение устойчивости стационарных колебаний в автогенераторе при кусочно-линейных вольт-амперных характеристиках активного элемента
- •7.3.1. Колебательные характеристики активного элемента с кусочно-линейными вольт-амперными характеристиками в автогенераторе
- •7.3.2. Стационарные режимы в автогенераторах с цепями автоматического смещения. Применение диаграмм срыва и диаграмм смещения для расчета стационарных режимов
- •7.3.3. Анализ устойчивости стационарных режимов в автогенераторах с автосмещением. Режимы прерывистой генерации и самомодуляции
- •7.3.4. Нагрузочные характеристики автогенератора
- •7.3.5. Подход к выбору и расчету режима автогенератора
- •7.4. Схемы автогенераторов
- •7.4.1. Принципы построения схем автогенераторов
- •7.4.2. Высокочастотная эквивалентная схема с идеальным трансформатором
- •7.4.3. Обобщенная трехточечная схема
- •7.4.4. Емкостная и индуктивная трехточки
- •7.4.5. Цепи питания, смещения и связи с нагрузкой в схемах автогенераторов
- •7.5. Регулировочные характеристики автогенераторов
- •7.6. Нестабильность частоты автоколебаний
- •7.7. Кварцевая стабилизация частоты
- •8.1. Основные характеристики радиосигналов с угловой модуляцией
- •8.2. Структурные схемы передатчиков с угловой модуляцией
- •8.3. Характеристики передатчиков с угловой модуляцией
- •8.4. Методы получения чм- и фм-сигналов
- •8.5. Частотная модуляция в автогенераторах с помощью варикапа
- •8.6. Модуляторы фазы
- •8.7. Интегральные генераторы, управляемые по частоте
- •9.1. Требования к синтезаторам частот
- •9.2. Структуры синтезаторов частот
- •9.3. Источники опорных высокостабильных колебаний
- •9.4 Цифровые вычислительные синтезаторы
- •9.5. Синтезаторы на основе кольца фазовой
- •9.6. Интегральные синтезаторы частот
- •10.1. Конструкция биполярных свч-транзисторов
- •10.1.1. Структура биполярных свч-транзисторов
- •10.1.2. Оксибериллиевый изолятори внутреннее устройство мощного бт свч
- •10.1.3. Паразитные индуктивности и емкости выводов
- •10.1.4. Специализация биполярных свч-транзисторов
- •10.2. Режимы и параметры биполярных транзисторов
- •10.2.1. Питающее напряжение
- •10.2.2. Отсечка тока в биполярных свч-транзисторах
- •10.2.3. Система параметров биполярных свч -транзисторов
- •10.2.4. Модель биполярного свч-транзистора
- •10.3. Свойства биполярных свч-транзисторов в схемах резонансных усилителей с общим эмиттером и общей базой
- •10.4. Схемы усилителей мощности на биполярных свч-транзисторах
- •10.5. Конструкции транзисторных свч-устройств
- •11.1. Общие сведения о пролетных клистронах
- •11.2. Принцип действия пролетного клистрона
- •11.3. Теория группирования
- •11.4. Характеристики пролетного клистрона и способы их улучшения
- •12.1. Общие сведения
- •12.2. Устройство и принцип действия лбв-о
- •12.3. Рабочие характеристики лбв-о
- •12.4. Лампы обратной волны
- •13.1. Общие сведения
- •13.2. Движение электронов в скрещенных электрическом и магнитном полях
- •13.3. Структура поля и электронного потока при генерации свч-мощности
- •13.4.1. Коэффициент полезного действия
- •13.4. Характеристики и параметры магнетронных
- •13.4.2. Рабочие характеристики
- •13.4.3. Нагрузочные характеристики
- •13.5. Виды магнетронных автогенераторов и усилителей мощности
- •13.5.1. Основные сведения
- •13.5.2. Митрон — магнетрон, перестраиваемый по частоте напряжением
- •13.5.3. Амплитрон — магнетронный усилитель мощности
- •13.5.4. Генераторы на лампах бегущей и обратной волны типа м
- •13.6. Формирование модулированных колебаний в приборах типа м
- •14.1. Основные классы и области применения полупроводниковых диодных генераторов
- •14.2. Принцип действия и характеристики лавинно-пролетного диода
- •14.2.1. Общие сведения
- •14.2.2. Статический режим лпд
- •14.2.3. Понятие о слое умножения и пролетном
- •14.2.4. Пролетный режим лпд
- •14.3. Принцип действия и характеристики диода Ганна
- •14.3.1. Общие сведения
- •14.3.2. Механизм возникновения отрицательной проводимости в дг
- •14.3.3. Домены сильного поля. Динамика доменов
- •14.3.4. Режимы работы дг в генераторной схеме
- •14.4. Конструкции и эквивалентные схемы диодных генераторов
- •14.5. Управление колебаниями диодных генераторов
- •14.6. Способы повышения кпд диодных генераторов
- •Кулешов Валентин Николаевич, Удалов Николай Николаевич, Богачёв Вячеслав Михайлович, Белов Леонид Алексеевич, Коптев Глеб Иванович, Царапкин Дмитрий Петрович, Хрюнов Анатолий Васильевич
8.3. Характеристики передатчиков с угловой модуляцией
Для оценки качества работы передатчиков с ЧМ, как уже говорилось выше (см. рис. 8.4), применяют характеристики, аналогичные характеристикам передатчиков с AM:
статические модуляционные характеристики, представляющие собой зависимость частоты ω от медленно меняющегося управляющего напряжения Емод на управителе частоты;
динамические модуляционные характеристики, представляющие ту же зависимость ω(Емод), но при быстро меняющемся Емод;
амплитудные характеристики, показывающие, как зависит индекс модуляции т от амплитуды модулирующего напряжения UΩ на данной частоте сигнала информации Ω;
частотные характеристики, представляющие зависимость индекса модуляции т от частоты сигнала UΩ при постоянной амплитуде UΩ;
зависимости амплитуды колебаний U от напряжения Емод, определяющие паразитную амплитудную модуляцию.
Наиболее важной является СМХ, которую рассмотрим подробнее. Напряжение Емод представим суммой постоянного смещения Е0 и переменной составляющей АЕ:
Емод = Е0 + ∆Е. (8.6)
Средняя частота колебаний определяется при ∆Е = 0 и равна ω0 = ω (Е0). Обычно СМХ удобно центрировать и представлять как зависимость относительной девиации частоты у = ∆ω / ω0 = (ω - ω0)/ω0 от нормированной переменной составляющей ε = ∆E/E0 управляющего напряжения: у = у(ε). В общем случае зависимость у(ε) нелинейная и ее можно записать в виде разложения в ряд по степеням е:
у(ε) = S1 ε + S2ε2 + S3ε3 + ... + Snεn +… (8.7)
где
Sn
=
—
нормированная крутизна СМХ; коэффициенты
S2, S3, ... характеризует кривизну зависимости у(ε).
Нелинейные искажения оцениваются по СМХ при модуляции гармоническим сигналом ∆Е = UΩcosΩ.t. Коэффициенты нелинейных искажений К2, К3, ... равны отношениям максимальных девиаций
частоты на соответствующих гармониках модулирующего сигнала к максимальной девиации частоты на первой гармонике:
(8.8)
При высоких требованиях к точности формирования ЧМ-сигна-лов следует добиваться минимальных значений S2, S3, ... В этом случае связь между девиацией частоты у и управляющим напряжением ε близка к линейной:
у = S1ε
Из СМХ (8.7) можно определить максимальный диапазон перестройки частоты уmах при изменении управляющего напряжения е в допустимых пределах εmin ≤ ε ≤ εmax:
(8.9)
Частота колебаний АГ определяется из уравнений стационарного режима. В первом приближении можно считать, что амплитуда слабо влияет на фазовые сдвиги и частота колебаний со определяется из уравнения баланса фаз:
(ω - ωк)/ωк = 1/2Q tg (φS + φk), (8.10)
где ωк — резонансная частота контура АГ; Q — его нагруженная добротность; φS и φk — фазы средней крутизны и коэффициента обратной связи.
Используются два способа управления частотой колебаний АГ. Наиболее эффективный — это изменение резонансной частоты контура ∆ωк, которое вызывает равное ему изменение частоты колебаний ∆ω = ∆ωк. Второй метод управления частотой связан с изменением фаз ∆φS и ∆φk . В одноконтурных АГ на лампах и транзисторах пределы изменений ∆φS и ∆φk обычно невелики и девиация частоты получается малой.
Реальные модуляторы фазы и частоты в процессе модуляции неизбежно создают паразитную амплитудную модуляцию (ПАМ). (Щ налы с угловой модуляцией и со значительной ПАМ, передаваемые в эфир, снижают достоинства самого вида модуляции, придают им типичные недостатки АМ-сигналов. Кроме того, ПАМ в тракте Передатчика, проходя через нелинейные каскады (умножители частоты, усилитель мощности), приводит к искажению фазовой модуляционной характеристики из-за явления амплитудно-фазовой конверсии (ДФК). Она заключается в том, что фазовый сдвиг высокочастотного колебания, проходящего через нелинейные цепи, становится завися-
щим от его амплитуды. Это явление особенно заметно в устройствах на биполярных транзисторах, поэтому ПАМ приходится снижать всеми мерами. К ним относится и специальный выбор схем модуляторов, и включение высокочастотного ограничителя после модулятора (см. ОГР-2 на рис. 8.7). Следует учитывать, что АФК может происходить и в самом ограничителе ввиду его сильно выраженной нелинейности и инерционности, поэтому принимать меры по уменьшению ПАМ в модуляторах, безусловно, следует.
Например, МФ для обеспечения минимальных нелинейных искажений нуждается в оптимальном стабильном сопротивлении нагрузки. В связи с этим между МФ и ОГР-2 включается аттенюатор АТТ-2, обеспечивающий эту нагрузку (см. рис. 8.7). Мощность потерь в АТТ-2 компенсируется в усилителе-ограничителе ОГР-2. Выходное напряжение ОГР-2 должно иметь определенное стабильное и оптимальное значение для работы умножителя частоты по причинам, указанным ранее. В самом УЧ следует обеспечить хорошую фильтрацию на выходе побочных составляющих спектра, прежде всего субгармоник. Для умножителя частоты это все частоты вида kfBX, где к= 1,2, 3 ..., кроме выходной частоты, а fвх — частота КАГ.
Для всех каскадов после МФ следует обеспечить АЧХ, достаточную для прохождения спектра ФМ заданной ширины. На выходе передатчика, как и при других видах модуляции, должен быть включен полосовой фильтр (ПФ) для подавления внеполосных излучений, главным образом гармоник выходной частоты.
Из сказанного понятно, что часть высокочастотного тракта после ограничителя должна быть возможно более короткой, особенно, если она состоит из нелинейных каскадов, чтобы не «испортить» сформированный ФМ-сигнал. Поэтому в некоторых случаях, обычно в устройствах СВЧ, стремятся включать модуляторы как можно ближе к выходу передатчика. С этим связаны трудности получения относительно большой выходной мощности от МФ. Различные компромиссные решения приводят к разнообразию структурных схем передатчиков с ФМ.
